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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
NXPSC08650Q WeEn Semiconductors NXPSC08650Q -
सराय
 ECAD 9977 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
NXPLQSC10650Q WeEn Semiconductors NXPLQSC10650Q -
सराय
 ECAD 1984 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.85 वी @ 10 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 250pf @ 1V, 1MHz
BYV25FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV25FX-600,127 0.3465
सराय
 ECAD 1669 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV25 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 5 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BYV29X-600,127 WeEn Semiconductors BYV29X-600,127 0.9700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.26 वी @ 8 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
सराय
 ECAD 5335 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए 1.65 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 ° C
WND35P12BJ WeEn Semiconductors WND35P12BJ 1.6000
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WND35 तमाम D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.4 वी @ 35 ए 50 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors WNSC2D08650Q 2.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1740-WNSC2D08650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BYV29FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV29FX-600,127 0.9700
सराय
 ECAD 88 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 8 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650WQ 6.6800
सराय
 ECAD 529 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D20650WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 20 ए 1200pf @ 1V, 1MHz
NXPSC086506Q WeEn Semiconductors NXPSC086506Q 4.8000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072073127 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
सराय
 ECAD 6166 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 25 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 141pf @ 1V, 1MHz
BYC30WT-600PQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ 2.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-247-3 BYC30 तमाम To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934068091127 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 22 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors BYC60W-600PQ 3.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC60 तमाम से 247-2 तंग रोहस अफ़मार तंग 934069532127 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.6 वी @ 60 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 60 ए -
WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T6J 1.7160
सराय
 ECAD 6617 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
NXPS20S100CX,127 WeEn Semiconductors NXPS20S100CX, 127 -
सराय
 ECAD 8494 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Nxps20 schottky To-220f - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934067128127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 580 mV @ 3 ए 3 µa @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC30X-600P,127 WeEn Semiconductors BYC30X-600P, 127 2.7400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC30 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 30 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
BYC20X-600PQ WeEn Semiconductors BYC20X-600PQ 1.9200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC20 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934067355127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.5 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
BYC8X-600,127 WeEn Semiconductors BYC8X-600,127 1.1200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC8 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 8 ए 52 एनएस 150 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors BYR29X-600,127 0.5610
सराय
 ECAD 7922 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYR29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 8 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
NXPSC04650DJ WeEn Semiconductors NXPSC04650DJ -
सराय
 ECAD 2836 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 170 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 130pf @ 1V, 1MHz
BYT79X-600,127 WeEn Semiconductors BYT79X-600,127 1.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYT79 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D12650TJ 3.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 ° C 12 ए 380pf @ 1V, 1MHz
BYC5B-600,118 WeEn Semiconductors BYC5B-600,118 0.5610
सराय
 ECAD 4615 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYC5 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 5 ए 50 एनएस 100 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
MURS160BJ WeEn Semiconductors Murs160bj 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs1 तमाम एसएमबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors WNS30H100CBJ 1.1200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WNS30 schottky D2PAK तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 710 mV @ 15 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC5D10650W6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650W6Q -
सराय
 ECAD 4282 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 - 1740-WNSC5D10650W6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
WND10P08XQ WeEn Semiconductors WND10P08XQ 0.8900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Wnd10 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 10 ए 10 µa @ 800 V 150 ° C 10 ए -
BYV42E-150,127 WeEn Semiconductors BYV42E-150,127 1.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-3 BYV42 तमाम टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 30 ए 1.2 वी @ 30 ए 28 एनएस 100 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC6D04650Q WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q 0.9000
सराय
 ECAD 8930 0.00000000 तिहाई - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D04650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 4 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 233pf @ 1V, 1MHz
NXPSC08650DJ WeEn Semiconductors NXPSC08650DJ -
सराय
 ECAD 6977 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) 934070008118 Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
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