SIC
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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650DJ 1.7300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650DJ 1.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 125pf @ 1V, 1MHz
BYC30Y-600PQ WeEn Semiconductors BYC30Y-600PQ 0.9132
सराय
 ECAD 1903 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC30 तंग IITO-220-2L तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
WB45SD160ALZ WeEn Semiconductors WB45SD160ALZ 0.8063
सराय
 ECAD 4544 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB45 तंग एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.4 वी @ 45 ए 50 µA @ 1600 वी 150 ° C 45 ए -
WNC3060D45160WQ WeEn Semiconductors WNC3060D45160WQ 2.2193
सराय
 ECAD 4904 0.00000000 तिहाई - थोक शिर WNC3060 - 600
WNB2560MQ WeEn Semiconductors WNB2560MQ 1.6165
सराय
 ECAD 1893 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे WNB2560 तंग जीबीजेएस तंग Ear99 8541.10.0080 600 920 mV @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
सराय
 ECAD 5335 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए 1.65 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 ° C
WBST080SCM120CGALW WeEn Semiconductors WBST080SCM120CGALW 11.6617
सराय
 ECAD 9134 0.00000000 तिहाई - थोक शिर WBST080 - 1
BYV60W-600PSQ WeEn Semiconductors BYV60W-600PSQ 2.0689
सराय
 ECAD 1643 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYV60 तंग से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 60 ए -
WNSC2D0212006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0212006Q -
सराय
 ECAD 5726 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC2D0212006Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 2 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 95pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
सराय
 ECAD 5301 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D04650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 138pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D10650W6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650W6Q -
सराय
 ECAD 4282 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 - 1740-WNSC5D10650W6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
सराय
 ECAD 6166 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 25 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 141pf @ 1V, 1MHz
NXPSC08650DJ WeEn Semiconductors NXPSC08650DJ -
सराय
 ECAD 6977 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) 934070008118 Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D0512006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0512006Q 0.8343
सराय
 ECAD 8420 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC201200CWQ 9.8340
सराय
 ECAD 9464 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 510pf @ 1V, 1MHz
WNS40H100C,127 WeEn Semiconductors WNS40H100C, 127 0.4247
सराय
 ECAD 3137 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WNS40 schottky To-220e तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors BYV72EW-200,127 1.9400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 BYV72 तंग To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 1.2 वी @ 30 ए 28 एनएस 100 µA @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYT79X-600,127 WeEn Semiconductors BYT79X-600,127 1.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYT79 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors BYC60W-600PQ 3.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC60 तंग से 247-2 तंग रोहस अफ़मार तंग 934069532127 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.6 वी @ 60 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 60 ए -
NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors Nxpsc04650b6j 2.7400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 170 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 130pf @ 1V, 1MHz
MURS160BJ WeEn Semiconductors Murs160bj 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs1 तंग एसएमबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BYC5X-600,127 WeEn Semiconductors BYC5X-600,127 0.4950
सराय
 ECAD 3384 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC5 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 5 ए 50 एनएस 100 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BYV30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYV30W-600PT2Q 1.0905
सराय
 ECAD 7638 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYV30 तंग से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 30 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
WND35P12BJ WeEn Semiconductors WND35P12BJ 1.6000
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WND35 तंग D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.4 वी @ 35 ए 50 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D12650TJ 3.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 ° C 12 ए 380pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D301200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D301200CW6Q 5.6835
सराय
 ECAD 3501 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 30 ए 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C
BYC15-600,127 WeEn Semiconductors BYC15-600,127 1.5000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC15 तंग TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 15 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYC5DX-500,127 WeEn Semiconductors BYC5DX-500,127 0.4125
सराय
 ECAD 1052 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC5 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2 वी @ 5 ए 16 एनएस 40 @a @ 500 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
NXPSC06650XQ WeEn Semiconductors NXPSC06650XQ -
सराय
 ECAD 7121 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f तंग 1 (असीमित) 934070152127 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 200 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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