SIC
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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
NXPLQSC30650W6Q WeEn Semiconductors NXPLQSC30650W6Q 5.6197
सराय
 ECAD 5212 0.00000000 तिहाई - थोक तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 934072091127 Ear99 8541.10.0080 240 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.95 वी @ 15 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए 300pf @ 1V, 1MHz
BYC15-600PQ WeEn Semiconductors BYC15-600PQ 1.2300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC15 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.2 वी @ 15 ए 18 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYW29E-200,127 WeEn Semiconductors BYW29E-200,127 0.9300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYW29 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 V @ 8 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
WNSC2D301200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D301200CWQ 7.3439
सराय
 ECAD 8131 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 30 ए 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C
NXPSC10650Q WeEn Semiconductors NXPSC10650Q 5.5700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
WN3S20H100CQ WeEn Semiconductors WN3S20H100CQ 0.7000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WN3S20 schottky टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 750 mV @ 10 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
BYT79-600,127 WeEn Semiconductors BYT79-600,127 1.4600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYT79 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650WQ 6.5500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 30 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 30 ए 980pf @ 1V, 1MHz
WB30FC120ALZ WeEn Semiconductors WB30FC120ALZ 1.2113
सराय
 ECAD 5763 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB30 तमाम एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.5 वी @ 30 ए 65 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 30 ए -
WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650DJ 2.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BYV30JT-600PMQ WeEn Semiconductors BYV30JT-600PMQ 0.7721
सराय
 ECAD 9894 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BYV30 तमाम से 3PF - Ear99 8541.10.0080 480 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 30 ए 65 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
NXPSC10650DJ WeEn Semiconductors NXPSC10650DJ -
सराय
 ECAD 5878 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) 9340700111118 Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
WNSC16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC16650CWQ 3.3290
सराय
 ECAD 7958 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC16650CWQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
BYV29-400,127 WeEn Semiconductors BYV29-400,127 0.9000
सराय
 ECAD 787 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYV29-400 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 8 ए 60 एनएस 50 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
WNSC2D201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200CWQ 5.7953
सराय
 ECAD 8132 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D201200CWQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए 1.65 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 ° C
WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors WNS20S100CBJ 0.7400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WNS20 schottky D2PAK तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 950 mV @ 10 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYQ28ED-200,118 WeEn Semiconductors BYQ28ED-200,118 0.8500
सराय
 ECAD 94 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BYQ28 तमाम डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ 1.5000
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 125pf @ 1V, 1MHz
BYV410X-600/L01Q WeEn Semiconductors BYV410X-600/L01Q 0.6979
सराय
 ECAD 9126 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तमाम To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 2.1 वी @ 10 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 ° C
BYC8-1200PQ WeEn Semiconductors BYC8-1200PQ 0.4620
सराय
 ECAD 4368 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC8 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072036127 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.2 वी @ 8 ए 55 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
MUR440J WeEn Semiconductors Mur440j 0.1249
सराय
 ECAD 5660 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम एसएमसी तंग Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 75 एनएस 10 µA @ 400 V 175 ° C 4 ए -
WNSC5D12650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D12650T6J -
सराय
 ECAD 4059 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - 1740-WNSC5D12650T6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12 ए 420pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D106506Q WeEn Semiconductors WNSC5D106506Q -
सराय
 ECAD 7918 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D106506Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D126506Q WeEn Semiconductors WNSC5D126506Q -
सराय
 ECAD 3206 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D126506Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12 ए 420pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D2012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D2012006Q 2.9042
सराय
 ECAD 7419 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.65 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 20 ए 950pf @ 1V, 1MHz
NXPSC06650B6J WeEn Semiconductors Nxpsc06650b6j 3.7000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 200 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D206506Q WeEn Semiconductors WNSC5D206506Q -
सराय
 ECAD 6400 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D206506Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20 ए 640pf @ 1V, 1MHz
WN3S30H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S30H100CXQ 0.9100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक WN3S30 schottky To-220f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 710 mV @ 15 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
BYC8D-600,127 WeEn Semiconductors BYC8D-600,127 0.9400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC8 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 8 ए 20 एनएस 40 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
NUR460P,133 WeEn Semiconductors NUR460P, 133 -
सराय
 ECAD 3388 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun NUR460 तमाम Do-201ad तंग 1 (असीमित) तमाम 934067058133 Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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