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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
BYV34G-600,127 WeEn Semiconductors BYV34G-600,127 2.0100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa BYV34 तमाम I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.48 वी @ 20 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
NXPSC10650XQ WeEn Semiconductors NXPSC10650XQ -
सराय
 ECAD 9358 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f तंग 1 (असीमित) 934070014127 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
NUR460P/L01U WeEn Semiconductors NUR460P/L01U -
सराय
 ECAD 1190 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun NUR460 तमाम Do-201ad तंग 1 (असीमित) तमाम 934067358112 Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए -
NXPSC06650X6Q WeEn Semiconductors NXPSC06650X6Q 3.7500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f तंग 1 (असीमित) 934072082127 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 200 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
BYC15-600PQ WeEn Semiconductors BYC15-600PQ 1.2300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC15 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.2 वी @ 15 ए 18 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYC10-600,127 WeEn Semiconductors BYC10-600,127 1.2300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC10 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 10 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BYV29-600,127 WeEn Semiconductors BYV29-600,127 0.4290
सराय
 ECAD 5902 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYV29 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 8 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors Nxpsc04650d6j 2.6300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 170 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 130pf @ 1V, 1MHz
BYC8B-600PJ WeEn Semiconductors BYC8B-600PJ 0.4455
सराय
 ECAD 6695 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYC8 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.4 वी @ 8 ए 18 एनएस 20 µa @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
NXPLQSC30650W6Q WeEn Semiconductors NXPLQSC30650W6Q 5.6197
सराय
 ECAD 5212 0.00000000 तिहाई - थोक तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 934072091127 Ear99 8541.10.0080 240 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.95 वी @ 15 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए 300pf @ 1V, 1MHz
BYT79X-600PQ WeEn Semiconductors BYT79X-600PQ 1.0500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYT79 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार तंग 934070143127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYW29E-200,127 WeEn Semiconductors BYW29E-200,127 0.9300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYW29 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 V @ 8 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BYV29FB-600,118 WeEn Semiconductors BYV29FB-600,118 0.4950
सराय
 ECAD 9541 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYV29 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 8 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors WNS20H100CBJ 0.8500
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WNS20 schottky D2PAK तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 750 mV @ 10 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC8D-600,127 WeEn Semiconductors BYC8D-600,127 0.9400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC8 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 8 ए 20 एनएस 40 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
WN3S30H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S30H100CXQ 0.9100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक WN3S30 schottky To-220f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 710 mV @ 15 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
NUR460P,133 WeEn Semiconductors NUR460P, 133 -
सराय
 ECAD 3388 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun NUR460 तमाम Do-201ad तंग 1 (असीमित) तमाम 934067058133 Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए -
BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ 2.0100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BYV30 तमाम टू -3 पी तंग 1 (असीमित) 934071201127 Ear99 8541.10.0080 480 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 30 ए 65 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV32 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650WQ 6.5500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 30 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 30 ए 980pf @ 1V, 1MHz
BYT28X-500Q WeEn Semiconductors BYT28X-500Q 0.3767
सराय
 ECAD 4290 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYT28 तमाम To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 500 वी 10 ए 1.4 वी @ 5 ए 60 एनएस 10 µA @ 500 V 150 ° C
WNSC2D151200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D151200WQ 6.2000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D151200WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C 15 ए 700pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D16650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJQ 4.5500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 3PF तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C
BYV29B-600,118 WeEn Semiconductors BYV29B-600,118 0.4703
सराय
 ECAD 4340 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYV29 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 8 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
WND08P16DJ WeEn Semiconductors WND08P16DJ 0.8800
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Wnd08 तमाम डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.25 वी @ 8 ए 50 µA @ 1600 वी 150 ° C 8 ए -
BYV79E-200,127 WeEn Semiconductors BYV79E-200,127 1.1700
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYV79 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 14 ए 30 एनएस 50 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 14 ए -
BYV42G-200,127 WeEn Semiconductors BYV42G-200,127 0.7590
सराय
 ECAD 1754 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa BYV42 तमाम I2pak (to-262) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 850 mV @ 15 ए 28 एनएस 100 µA @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC5D04650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J -
सराय
 ECAD 6725 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - 1740-WNSC5D04650T6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 138pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D06650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650D6J -
सराय
 ECAD 4757 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक - 1740-WNSC5D06650D6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 201pf @ 1V, 1MHz
BYV40W-600PQ WeEn Semiconductors BYV40W-600PQ 1.4871
सराय
 ECAD 3264 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYV40 तमाम से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072032127 Ear99 8541.10.0080 450 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.6 वी @ 40 ए 79 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 40 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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