SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MMSZ4708-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4708-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 6482 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ4708-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 10 सना हुआ @ 16.7 22 वी
BZX84B3V6-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V6-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 5316 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B3V6-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
BZT52C27-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C27-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 4313 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C27-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
MMSZ5235B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5235B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 9596 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5235B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 5 वी 6.8 वी 5 ओम
BZT52B39-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B39-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 5020 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B39-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 29 वी 39 वी 87 ओम
BZT52C10-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C10-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 3342 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C10-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
BZT52B3V6-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V6-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 2778 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B3V6-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 95 ओम
MMSZ5249B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5249B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 3922 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5249B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
BZX84B12-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B12-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 7356 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B12-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
BZX84B56-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B56-HE3_A-18 0.0498
सराय
ECAD 7802 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B56-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ ३ ९ .२ 56 वी 200 ओम
BZT52C3V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C3V3-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 7990 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C3V3-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
MMSZ5243B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5243B-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 4342 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5243B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 13 ओम
BZX84C4V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C4V3-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 6493 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C4V3-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
DZ23C8V2-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C8V2-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 8533 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C8V2-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gay @ 6 वी 8.2 वी 4.5 ओम
MMSZ5250C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5250C-HE3_A-18 0.0566
सराय
ECAD 2165 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5250C-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
BZT52C11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C11-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 3096 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C11-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
DZ23C13-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C13-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 8720 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C13-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 10 वी 13 वी 9 ओम
VS-80-7626 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7626 -
सराय
ECAD 7851 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7626 - 112-‘-80-7626 1
VS-S1111 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1111 -
सराय
ECAD 3535 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1111 - 112-एस-एस 1111 1
VS-80-7649 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7649 -
सराय
ECAD 3372 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7649 - 112-‘-80-7649 1
VS-80-5651 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-5651 -
सराय
ECAD 1996 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-5651 - 112-‘-80-5651 1
VS-S1282 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1282 -
सराय
ECAD 8644 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1282 - 112-एस-एस 1282 1
VS-74-7449 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -74-7449 -
सराय
ECAD 7444 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 74-7449 - 112- -74-7449 1
VS-VS19CDR08L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS19CDR08L -
सराय
ECAD 9522 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग VS19 - 112-VS-VS19CDR08L 1
VS-VS30ASR04N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS30ASR04N -
सराय
ECAD 3155 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग VS30 - 112-VS-VS30ASR04N 1
VS-S1059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1059 -
सराय
ECAD 8958 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1059 - 112-एस-एस 1059 1
VS-80-7801 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7801 -
सराय
ECAD 9146 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7801 - 112- -80-7801 1
BZX584C3V6-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V6-G3-08 0.3000
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 85 ओम
BZX584C10-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C10-HG3-08 0.3400
सराय
ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 8 ओम
BZX584C3V9-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V9-HG3-08 0.3400
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम