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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD17C100P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C100P-E3-08 0.1597
सराय
ECAD 6697 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD17C100 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी
MBRB7H60HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB7H60HE3/81 -
सराय
ECAD 7884 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB7 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 730 mV @ 7.5 ए 50 µa @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C 7.5a -
V10K60CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10k60chm3/h 0.3703
सराय
ECAD 2671 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-पॉव schottky फmut (5x6) तंग तमाम 112-V10K60CHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 4.6 ए 590 mV @ 5 ए 900 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
PB5006-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB5006-E3/45 4.4200
सराय
ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी isocink+™ नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, पीबी PB5006 तमाम isocink+™ pb तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 1.1 वी @ 22.5 ए 10 µA @ 600 V 45 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZT52B5V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B5V1-E3-08 0.3100
सराय
ECAD 121 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B5V1 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 800 एमवी 5.1 वी 30 ओम
VSIB10A20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB10A20-E3/45 -
सराय
ECAD 6453 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S Vsib10 तमाम जीएसआईबी -5 एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,200 1 वी @ 5 ए 10 µa @ 200 वी 10 ए सिंगल फेज़ 200 वी
GURB5H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gurb5h60he3/45 -
सराय
ECAD 9492 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Gurb5 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 5 ए 30 एनएस 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
VS-10MQ040-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10MQ040-M3/5AT 0.3800
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA 10mq040 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 1.5 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए -
1N5250C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250C-TAP 0.0288
सराय
ECAD 1929 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5250 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
VS-3EYH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EYH02HM3/I 0.5400
सराय
ECAD 13 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur 3EYH02 तमाम Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 30 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
SML4745A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4745A-E3/61 0.5000
सराय
ECAD 990 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4745 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
VS-30CTH02STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02STRRHM3 2.6100
सराय
ECAD 5138 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 30CTH02 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 1.05 वी @ 15 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BZX384C10-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C10-E3-08 0.2400
सराय
ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C10 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
DZ23C11-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C11-HE3-18 0.0436
सराय
ECAD 3133 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
DZ23C3V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V3-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 3701 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C3V3-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 3.3 वी 80 ओम
BZX84B12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B12-G3-08 0.2900
सराय
ECAD 6265 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B12 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
MMSZ4710-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4710-E3-18 0.0360
सराय
ECAD 8703 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4710 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 सना हुआ @ 19 वी 25 वी
PLZ11B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz11b-hg3_a/h 0.3600
सराय
ECAD 50 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac Plz11 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
BZD27C91P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C91P-M3-18 0.1733
सराय
ECAD 5194 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27-m R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C91 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 91 वी 200 ओम
BZX84C11-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C11-HE3-18 0.0323
सराय
ECAD 2599 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C11 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
BZX384C33-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C33-E3-18 0.0324
सराय
ECAD 3669 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C33 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 33 वी 80 ओम
SMZJ3788BHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3788bhm3_b/i 0.1508
सराय
ECAD 9682 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3788 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-smzj3788bhm3_b/itr Ear99 8541.10.0050 3,200 50 µa @ 7 V 9.1 वी 4 ओम
BZX84C3V0-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V0-E3-08 0.2300
सराय
ECAD 12 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V0 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
BZX384C56-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C56-E3-18 0.0324
सराय
ECAD 2306 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C56 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ ३ ९ .२ 56 वी 200 ओम
BZT03D33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D3333-TR -
सराय
ECAD 5744 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BZT03 1.3 डब सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 24 वी 33 वी 15 ओम
DZ23C33-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C33-E3-08 0.0415
सराय
ECAD 7945 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
TZM5255C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5255C-GS08 -
सराय
ECAD 7611 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5255 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 21 वी 28 वी 44 ओम
V2P6LHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2p6lhm3/i 0.0875
सराय
ECAD 1827 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA V2p6 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-V2P6LHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 600 एमवी @ 2 ए 480 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए 255pf @ 4v, 1MHz
BZX384C30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C30-G3-18 0.0389
सराय
ECAD 2152 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C30 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 30 वी 80 ओम
BZX384B9V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B9V1-HE3-08 0.2800
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B9V1 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम