SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
AZ23C10-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C10-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 3052 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23C10-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
VSSAF5M6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vssaf5m6-m3/i 0.4500
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS®, SLIMSMA ™ R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur Do-221ac, sma ktur Saf5m6 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 5 ए 350 @a @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 5 ए 580pf @ 4v, 1MHz
SS3P6LHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6LHM3_A/I 0.5600
सराय
ECAD 1669 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS3P6 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 600 एमवी @ 3 ए 150 @a @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
MMSZ5255B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5255B-E3-18 0.0360
सराय
ECAD 9140 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5255 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 21 वी 28 वी 44 ओम
VS-15ETX06-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETX06-1PBF -
सराय
ECAD 9217 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 15ETX06 तमाम To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS15ETX061PBF Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.2 वी @ 15 ए 18 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
1N6479-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479-E3/96 0.4500
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) 1N6479 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
TLZ3V0-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V0-GS18 0.0335
सराय
ECAD 7824 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) तमाम - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz3v0 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 3 वी 80 ओम
MMSZ5247B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5247B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 2018 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5247B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
AZ23B3V0-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B3V0-G3-08 0.0594
सराय
ECAD 3714 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी एज़ 23-एज़ R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b3v0 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 3 वी 95 ओम
GP30MHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30MHE3/54 -
सराय
ECAD 8848 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun GP30 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 3 ए 5 μs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
BZT52B36-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B36-E3-18 0.0415
सराय
ECAD 2072 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B36 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 87 ओम
SMZG3806A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3806A-E3/52 -
सराय
ECAD 7478 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग SMZG38 1.5 डब SMBG (DO-215AA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 µA @ 38.8 V 51 वी 70 ओम
VS-T40HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HF20 23.8060
सराय
ECAD 9868 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तमाम अँगुला डी -55 टी -मॉड टी 40 तमाम -55 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 15 सना हुआ @ 200 वी 40 ए -
TZMC13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC13-GS18 0.0303
सराय
ECAD 2707 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC13 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 26 ओम
BZG05C11-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C11-E3-TR -
सराय
ECAD 5459 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 500 NA @ 8.2 V 11 वी 8 ओम
BZW03C39-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C39-TAP -
सराय
ECAD 3525 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZW03 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BZW03 1.85 डब सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 वी @ 1 ए 2 @ ए @ 30 वी 39 वी 14 ओम
SF4004-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF4004-TR 0.3267
सराय
ECAD 2547 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun SF4004 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 76pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5230C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5230C-HE3-08 0.0454
सराय
ECAD 4985 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5230 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 19 ओम
ZMM5223B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5223B-7 -
सराय
ECAD 5578 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 75 µA @ 1 वी 2.7 वी 30 ओम
SML4754HE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4754HE3/61 -
सराय
ECAD 6139 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4754 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 @a @ 29.7 V 39 वी 60 ओम
BZD27B6V2P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B6V2P-M3-08 0.4200
सराय
ECAD 7748 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) तमाम - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B6V2 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 6.2 वी 3 ओम
VT1080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080C-E3/4W 0.5409
सराय
ECAD 7650 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-3 VT1080 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VT1080CE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 5 ए 720 mV @ 5 ए 400 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-3EYH01HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EYH01HM3/H 0.5400
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur Do-221ac, sma ktur 3EYH01 तमाम Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 30 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 16pf @ 200v
BZD27B4V3P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B4V3P-E3-18 0.1050
सराय
ECAD 7216 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) तमाम - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B4V3 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 25 µa @ 1 वी 4.3 वी 7 ओम
VS-16CDU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CDU06-M3/I 1.3600
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) 16CDU06 तमाम TO-263AC (SMPD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 8 ए 1.4 वी @ 8 ए 70 एनएस 5 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
FESB16DTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fesb16dthe3_a/i 1.3530
सराय
ECAD 3434 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB FESB16 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 16 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए 175pf @ 4v, 1MHz
VS-40CTQ150STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150STRLPBF -
सराय
ECAD 4940 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 40CTQ150 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 1.16 वी @ 40 ए 50 µa @ 150 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2KBP01M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP01M-E4/72 -
सराय
ECAD 7998 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कड़ा शिर -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम 2KBP01 तमाम KBPM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 3.14 ए 5 µA @ 100 वी 2 ए सिंगल फेज़ 100 वी
UH6PJHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh6pjhm3_a/i -
सराय
ECAD 6109 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH6 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3 वी @ 6 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 30pf @ 4v, 1MHz
KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP04M-E4/51 -
सराय
ECAD 4193 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम Kbp04 तमाम KBPM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 600 1 वी @ 1 ए 5 @a @ 400 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 400 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम