SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BAT81S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT81S-TR 0.3400
सराय
ECAD 35 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BAT81 schottky DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 1 वी @ 15 सना हुआ 200 सवार @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma 1.6pf @ 1V, 1MHz
DZ23C24-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C24-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 7602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C24-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 18 वी 24 वी 28 ओम
S4PBHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PBHM3/87A -
सराय
ECAD 5334 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन एस 4 पी तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 4 ए 2.5 µs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 30pf @ 4v, 1MHz
DZ23C9V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C9V1-E3-08 0.0415
सराय
ECAD 3709 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gapa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
MMSZ5245C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5245C-HE3-08 0.3400
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5245 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 16 ओम
BZX55F36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F36-TR -
सराय
ECAD 6990 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 27 वी 36 वी 80 ओम
1N4934GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPHE3/73 -
सराय
ECAD 5249 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4934 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
VLZ33A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ33A-GS08 -
सराय
ECAD 9653 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz33 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 @a @ 28.2 V 30.45 वी 65 ओम
BZX384C5V1-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C5V1-E3-18 0.2400
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C5V1 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
1N5239C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239C-TR 0.0288
सराय
ECAD 8036 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5239 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
FES8FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8FT-E3/45 0.5429
सराय
ECAD 6431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Fes8 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
TLZ39A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ39A-GS08 0.0335
सराय
ECAD 9393 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TLZ39 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 सना हुआ @ 32.9 39 वी 85 ओम
BZT52C22-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C22-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 5487 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C22-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 55 ओम
BZX384C22-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C22-E3-18 0.0324
सराय
ECAD 5361 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C22 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ १५.४ वी 22 वी 55 ओम
VS-80-7626 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7626 -
सराय
ECAD 7851 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7626 - 112-‘-80-7626 1
GLL4743A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4743A-E3/97 0.3168
सराय
ECAD 1753 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4743 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
SMBZ5936B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5936B-E3/52 0.4600
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBZ5936 3 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 1.5 वी @ 200 एमए 1 .a @ 22.8 V 30 वी 28 ओम
ZMM5222B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5222B-13 -
सराय
ECAD 8276 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग Do-213aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 2.5 वी 30 ओम
V7N103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V7n103hm3/i 0.6400
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर अफ़स 2-वीडीएफएन V7N103 schottky DFN3820A तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 660 mV @ 6 ए 330 @a @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 2.2 ए 860pf @ 4V, 1MHz
BZT03D43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D43-TAP -
सराय
ECAD 8243 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT03 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 6.98% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BZT03 1.3 डब सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
BU20105S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU20105S-E3/45 -
सराय
ECAD 5987 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, BU-5S Bu20105 तमाम isocink+™ bu-5s तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 1.05 वी @ 10 ए 5 µA @ 1000 V 3.5 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
BZX55F12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F12-TAP -
सराय
ECAD 6814 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
BU2510-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2510-E3/51 1.7540
सराय
ECAD 5199 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, बू BU2510 तमाम isocink+™ बू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 ए 5 µA @ 1000 V 3.5 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
TLZ11-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ11-GS08 0.0335
सराय
ECAD 8101 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz11 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 11 वी 10 ओम
VS-E5PH3006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PH3006L-N3 2.8200
सराय
ECAD 401 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 E5PH3006 तमाम To-247ad तंग 1 (असीमित) तमाम 112-VS-E5PH3006L-N3 Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.6 वी @ 30 ए 46 एनएस 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 30 ए -
GBU8J-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8J-E3/51 2.0600
सराय
ECAD 58 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU8 तमाम जीबीयू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 250 1 वी @ 8 ए 5 µA @ 600 V 3.9 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BU1010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010-E3/45 1.4649
सराय
ECAD 3707 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, बू BU1010 तमाम isocink+™ बू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 1.05 वी @ 5 ए 5 µA @ 1000 V 3.2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBPC110-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC110-E4/51 -
सराय
ECAD 9061 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-ruirch, GBPC-1 GBPC110 तमाम GBPC1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
VSSAF3L63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF3L63HM3/H 0.4900
सराय
ECAD 7008 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur VSSAF3L63 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 540 mV @ 3 ए 70 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2.5a 680pf @ 4v, 1MHz
MMBZ4706-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-G3-18 -
सराय
ECAD 7866 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4706 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ १४.४ वी 19 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम