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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N4761A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4761A-T -
सराय
ECAD 7555 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4761 1.3 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 56 V 75 वी 2000 ओम
BZX85B43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B43-TAP 0.0561
सराय
ECAD 9113 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85B43 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 ५०० पायल @ ३३ वी 43 वी 50 ओम
VS-68-5537 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -68-5537 -
सराय
ECAD 1452 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 68-5537 - 112- -68-5537 1
MMSZ5237B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5237B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 8646 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5237B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.2 वी 8 ओम
VS-E5TH0812THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TH0812THN3 0.8910
सराय
ECAD 6289 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-VS-E5TH0812THN3 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 2.5 वी @ 8 ए 60 एनएस 50 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
BZX84B9V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B9V1-G3-08 0.0389
सराय
ECAD 9480 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B9V1 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
VS-VSKJ320-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ320-16PBF 201.0700
सराय
ECAD 2206 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ३- VSKJ320 तमाम मैगm-ए-rana ® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsvskj32016pbf Ear99 8541.10.0080 2 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 1600 वी 160A 50 सना -40 ° C ~ 150 ° C
BZX384B5V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B5V1-E3-08 0.2700
सराय
ECAD 60 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B5V1 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
V2P6XHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2p6xhm3/h 0.4400
सराय
ECAD 20 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA V2p6 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 640 mV @ 2 ए 100 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 2 ए 240pf @ 4v, 1MHz
BZD27C22P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C22P-HE3-18 0.1536
सराय
ECAD 4467 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C22 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 16 वी 22 वी 15 ओम
MMSZ5226C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5226C-HE3-08 0.3400
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5226 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 28 ओम
SMPZ3927B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3927B-M3/85A 0.0888
सराय
ECAD 2308 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA Smpz3927 ५०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ९। १। 12 वी 6.5 ओम
BZG05C4V7-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7-HE3-TR3 -
सराय
ECAD 9413 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 3 µa @ 1 वी 4.7 वी 13 ओम
MMSZ5232C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232C-E3-08 0.3200
सराय
ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5232 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 3 वी 5.6 वी 11 ओम
AZ23C7V5-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C7V5-E3-18 0.0415
सराय
ECAD 7494 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c7v5 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
MPG06M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06M-E3/54 0.4400
सराय
ECAD 6301 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Mpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 600 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
AZ23C11-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C11-HE3-08 0.0436
सराय
ECAD 4677 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c11 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
AZ23C5V6-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C5V6-HE3-08 0.0436
सराय
ECAD 9424 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c5v6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 40 ओम
MMSZ5233C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5233C-HE3_A-18 0.0566
सराय
ECAD 2768 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5233C-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 3.5 V 6 वी 7 ओम
MMBZ5236B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5236B-G3-18 -
सराय
ECAD 4620 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5236 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6 वी 7.5 वी 6 ओम
MPG06M-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06M-E3/53 0.4100
सराय
ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Mpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 600 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1N5240B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5240B-TR 0.2300
सराय
ECAD 36 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% - होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5240 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
VS-65EPS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65EPS08L-M3 -
सराय
ECAD 8284 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 65EPS08 तमाम To-247ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-‘-65EPS08L-M3 Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.12 वी @ 65 ए 100 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 65 ए -
NSF8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8DTHE3/45 -
सराय
ECAD 4446 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Nsf8 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
GLL4753A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4753A-E3/97 0.3168
सराय
ECAD 5353 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4753 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 27.4 V 36 वी 50 ओम
S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1B-E3/5AT 0.3700
सराय
ECAD 67 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 बी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SML4728AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4728ahe3/5a -
सराय
ECAD 2326 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4728 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 10 ओम
VS-8TQ100-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100-N3 -
सराय
ECAD 7133 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 8TQ100 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-8TQ100-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 720 mV @ 8 ए 550 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 500pf @ 5v, 1MHz
CGP30HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division CGP30HE3/54 -
सराय
ECAD 7698 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun CGP30 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.2 वी @ 3 ए 15 μs 5 µA @ 1400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
GDZ3V9B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ3V9B-G3-18 0.0445
सराय
ECAD 2640 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड-जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ3V9 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम