SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
S5GHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5GHE3/9AT -
सराय
ECAD 4424 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur DO-214AB, SMC S5g तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.15 वी @ 5 ए 2.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 40pf @ 4v, 1MHz
MPG06K-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06K-E3/53 0.1487
सराय
ECAD 8693 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Mpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 600 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZD27B22P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B22P-M3-18 0.1155
सराय
ECAD 4030 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B22 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 16 वी 22 वी 15 ओम
LS101B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS101B-GS08 0.0590
सराय
ECAD 1321 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-80 sauturण LS101 schottky Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 12,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 50 वी 950 एमवी @ 15 एमए 200 सवार @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma 2.1pf @ 0v, 1MHz
BYV28-200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-200 1.1600
सराय
ECAD 22 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BYV28 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 5 ए 30 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3.5A -
BZT52B8V2-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B8V2-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 2448 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B8V2-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gay @ 6 वी 8.2 वी 7 ओम
SB350-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB350-E3/73 -
सराय
ECAD 6998 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SB350 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 680 mV @ 3 ए 500 µA @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
VS-42CTQ030S-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030S-1HM3 -
सराय
ECAD 8212 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 42CTQ030 schottky To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 20 ए 480 mV @ 20 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZM55B33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B3333-TR 0.3200
सराय
ECAD 530 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZM55 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं BZM55B33 ५०० तंग तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 24 वी 33 वी 220 ओम
BZD27B3V9P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-E3-08 0.1155
सराय
ECAD 8253 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B3V9 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 8 ओम
BZT55B4V3-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B4V3-GS18 0.0433
सराय
ECAD 5196 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55B4V3 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 µA @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
VS-82-0356 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -82-0356 -
सराय
ECAD 9849 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 82-0356 - 112-‘-82-0356 1
BZT52A15-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52A15-G3-08 -
सराय
ECAD 7181 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52-G R टेप ray ryील (ther) तमाम BZT52 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000
1N5399GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5399GPHE3/73 -
सराय
ECAD 6730 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) तमाम होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5399 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
IRKC236/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKC236/16 -
सराय
ECAD 4866 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तमाम अँगुला इंट-ए-rana (3) IRKC236 तमाम कांपना तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *IRKC236/16 Ear99 8541.10.0080 3 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1600 वी 230 ए 20 सना
V8P8-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P8-M3/87A 0.2652
सराय
ECAD 2721 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V8p8 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 660 mV @ 8 ए 700 µA @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C 4 ए -
DZ23C4V3-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C4V3-G3-18 0.0483
सराय
ECAD 4635 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Dz23-g R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम कैथोड 4.3 वी 95 ओम
TZQ5243B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5243B-GS08 0.0303
सराय
ECAD 7357 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5243 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 13 ओम
TZM5260B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5260B-GS18 0.0303
सराय
ECAD 3059 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5260 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 33 वी 43 वी 93 ओम
BZX84C15-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C15-HE3-18 0.0313
सराय
ECAD 9063 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C15 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ १०.५ वी 15 वी 30 ओम
BZX384B56-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B56-HE3-08 0.0378
सराय
ECAD 3069 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B56 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५० सदाबहार @ ३ ९ .२ 56 वी 200 ओम
MMBZ5243C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5243C-G3-08 -
सराय
ECAD 6502 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5243 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 13 ओम
MMSZ4699-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4699-E3-08 0.2700
सराय
ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% - सतह rurcur सोद -123 MMSZ4699 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 सना 12 वी
BZX84B11-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B11-HE3-18 0.0341
सराय
ECAD 5848 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B11 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
BZG05B33-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B33-HE3-TR3 -
सराय
ECAD 6146 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05B R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदा 33 वी 35 ओम
RGP5100-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100-E3/54 -
सराय
ECAD 7645 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम होल के kaytaumauth से AXIAL RGP51 तमाम AXIAL - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी - 500ma -
SS2P3HM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3HM3/85A 0.1363
सराय
ECAD 3870 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SS2P3 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 2 ए 150 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 110pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5254B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5254B-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 9525 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5254 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
BZD27C47P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C47P-M-08 -
सराय
ECAD 8692 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27-m R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C47 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 36 V 47 वी 45 ओम
DZ23C43-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C43-G3-18 0.0483
सराय
ECAD 1952 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Dz23-g R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 32 वी 43 वी 100 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम