SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RGP10DHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DHM3/54 -
सराय
ECAD 7603 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
TLZ9V1C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ9V1C-GS08 0.2500
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz9v1 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 सना हुआ @ 8.39 9.1 वी 8 ओम
VS-VSKDS408/060 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKDS408/060 51.8890
सराय
ECAD 3879 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Vskds408 schottky Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKDS408060 Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 100 ए 740 एमवी @ 200 ए २.२ सदा -55 ° C ~ 150 ° C
UH4PDC-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PDC-M3/87A -
सराय
ECAD 1211 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH4 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 2 ए 1.05 V @ 2 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BZX84B3V0-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V0-E3-18 0.0324
सराय
ECAD 9970 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B3V0 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
TZQ5221B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5221B-GS08 0.0411
सराय
ECAD 6728 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5221 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 2.4 वी 30 ओम
EGP30D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30D-E3/54 -
सराय
ECAD 7014 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-2010, DO-27, SAUTCUN ईजीपी 30 तमाम GP20 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
AZ23B8V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B8V2-E3-18 0.0509
सराय
ECAD 8803 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b8v2 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gay @ 6 वी 8.2 वी 7 ओम
BZG05C12-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C12-E3-TR -
सराय
ECAD 4738 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ९। १। 12 वी 9 ओम
BZX84C2V7-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C2V7-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 1635 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C2V7-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
DGP30HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DGP30HE3/54 -
सराय
ECAD 4089 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun DGP30 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1500 वी 1.2 वी @ 3 ए 20 μs 5 @a @ 1500 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
SE10DBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se10dbhm3/i 0.3960
सराय
ECAD 4023 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) SE10 तमाम TO-263AC (SMPD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.15 वी @ 10 ए 3000 एनएस 15 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 67PF @ 4V, 1MHz
SMZJ3791A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3791A-E3/52 -
सराय
ECAD 9707 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj37 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
GLL4749A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4749A-E3/96 0.3256
सराय
ECAD 9604 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf GLL4749 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 20.6 V 24 वी 40 ओम
BZD27B4V7P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B4V7P-E3-08 0.1155
सराय
ECAD 5996 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B4V7 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 4.7 वी 7 ओम
VS-SD200R16M12C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD200R16M12C 94.7420
सराय
ECAD 1642 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर DO-205AC, DO-30, CHANTUS SD200 तंग, तमाम DO-205AC (DO-30) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSSD200R16M12C Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.4 वी @ 630 ए -40 ° C ~ 180 ° C 200A -
BZG05C13-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C13-HE3-TR -
सराय
ECAD 6572 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 13 वी 10 ओम
BZG03C16-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C16-M3-08 0.5000
सराय
ECAD 3957 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.63% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C16 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 12 वी 16 वी 15 ओम
MMSZ4681-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4681-HE3-08 0.0368
सराय
ECAD 7420 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 Mmsz4681 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 1 वी 2.4 वी
BZT55B56-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B56-GS18 0.0433
सराय
ECAD 3475 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55B56 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 43 वी 56 वी 135 ओम
SB360-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360-E3/73 0.4900
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SB360 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 3 ए 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
SML4745AHE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4745AHE3/61 -
सराय
ECAD 1431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4745 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
M6045P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M6045P-E3/45 1.8339
सराय
ECAD 4200 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 M6045 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 30 ए 600 एमवी @ 30 ए 600 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
MCL103B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Mcl103b- ther 0.4900
सराय
ECAD 5542 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं MCL103 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 600 एमवी @ 200 एमए 5 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
SMBZ5921B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5921B-E3/5B 0.1221
सराय
ECAD 2775 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB Smbz5921 3 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 1.5 वी @ 200 एमए 200 µa @ 5.2 V 6.8 वी 2.5 ओम
BZX85B13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B13-TAP 0.3800
सराय
ECAD 23 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85B13 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ १० वी 13 वी 10 ओम
FESF16FTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fesf16fthe3_a/p 1.1055
सराय
ECAD 1143 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब FESF16 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 16 ए 50 एनएस 10 µa @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
SML4738HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4738he3_a/i 0.1434
सराय
ECAD 3812 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4738 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
VS-15ETH03PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH03PBF -
सराय
ECAD 9944 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 15ETH03 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.25 वी @ 15 ए 40 एनएस 40 µa @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
VS-20CTQ040-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040-N3 -
सराय
ECAD 6794 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 20CTQ040 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-20CTQ040-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 20 ए 760 mV @ 20 ए 2 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम