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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SML4752AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4752AHE3/5A -
सराय
 ECAD 1189 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4752 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
SML4761A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4761A-E3/61 0.5000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4761 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
V20DM60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20dm60c-m3/i 1.3000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) V20DM60 schottky TO-263AC (SMPD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 660 mV @ 10 ए 600 @a @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
VIT3045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3045C-M3/4W 1.1081
सराय
 ECAD 6552 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa Vit3045 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 570 mV @ 15 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N5238B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5238B-TR 0.2300
सराय
 ECAD 8844 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5238 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.7 वी 8 ओम
SS1FL4HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FL4HM3/H 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS1FL4 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 1 ए 200 @a @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 115pf @ 4v, 1MHz
BZG05C4V7-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7-E3-TR -
सराय
 ECAD 5088 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 3 µa @ 1 वी 4.7 वी 13 ओम
SB2D-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2D-M3/5BT 0.1160
सराय
 ECAD 4752 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SB2 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.15 वी @ 2 ए 2 µs 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 16PF @ 4V, 1MHz
ZM4756A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4756A-GS18 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) ZM4756 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 वी 80 ओम
MBRB7H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB7H60-E3/45 -
सराय
 ECAD 5619 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB7 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 730 mV @ 7.5 ए 50 µa @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C 7.5a -
UG8JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ug8jthe3/45 -
सराय
 ECAD 10000 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-2 Ug8 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.75 वी @ 8 ए 50 एनएस 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
U1D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division U1D-M3/5AT 0.4900
सराय
 ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA U1d तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 1 ए 24 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 6.8pf @ 4v, 1MHz
VS-VSUD405CW60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSUD405CW60 41.6000
सराय
 ECAD 6694 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर अँगुला To-244ab Vsud405 तमाम To-244ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 480A 1.72 वी @ 400 ए 124 एनएस 3 सना हुआ @ 600 वी -40 ° C ~ 175 ° C
EGL41AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41AHE3_A/H -
सराय
 ECAD 3726 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) EGL41 तमाम Do-213ab तंग तमाम EGL41AHE3_B/H Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
EGP10GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10GHE3/73 -
सराय
 ECAD 2827 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) तमाम होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut ईजीपी 10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SML4733A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4733a-e3/5a -
सराय
 ECAD 3119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4733 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
VS-8CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CSH01-M3/86A 0.7500
सराय
 ECAD 118 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन 8CSH01 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 4 ए 950 mV @ 4 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C
GBPC2502W-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2502W-E4/51 5.3000
सराय
 ECAD 96 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कड़ा शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC2502 तमाम जीबीपीसी-डब तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µa @ 200 वी 25 ए सिंगल फेज़ 200 वी
BZG05B56-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B56-M3-18 0.1980
सराय
 ECAD 8378 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B56 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ४३ वी 56 वी 120 ओम
BZX84C11-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C11-G3-08 0.2700
सराय
 ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C11 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
BYD13DGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13DGPHE3/54 -
सराय
 ECAD 1190 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BYD13 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
VS-70HFR100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR100M 22.0100
सराय
 ECAD 4132 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 70HFR100 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.35 V @ 220 ए -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
SE12DTLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se12dtlj-m3/i 1.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) तमाम एसएमपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 12 ए 300 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3.6A 96pf @ 4v, 1MHz
8EWS10STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8EWS10STRL -
सराय
 ECAD 6242 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8ews10 तमाम डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 8 ए 50 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
VIT30L60C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vit30L60C-M3/4W 1.1781
सराय
 ECAD 7610 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VIT30L60 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 600 एमवी @ 15 ए 4 सना हुआ @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C
BAS40-06-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-06-HE3-18 0.0606
सराय
 ECAD 3192 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 200MA 1 वी @ 40 एमए 5 एनएस 100 gapa @ 30 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SD101BW-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101BW-G3-08 0.0577
सराय
 ECAD 9101 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 SD101 schottky सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 50 वी 1 वी @ 15 सना हुआ 1 एनएस 200 सवार @ 40 वी -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2pf @ 0v, 1MHz
19TQ015STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19TQ015STRL -
सराय
 ECAD 5068 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 19TQ015 schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 15 वी 360 mV @ 19 ए 1.5 सना हुआ @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C 19 ए -
UF4006-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4006-E3/73 0.5000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut UF4006 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
ZM4754A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4754A-GS08 0.3900
सराय
 ECAD 16 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) ZM4754 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 5 @a @ 29.7 V 39 वी 60 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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