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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-10CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CDU06HM3/I 1.6600
सराय
 ECAD 3501 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) 10CDU06 तमाम TO-263AC (SMPD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 5 ए 1.5 वी @ 5 ए 45 एनएस 3 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C47-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C47-HE3-18 0.0378
सराय
 ECAD 1202 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C47 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 35 वी 47 वी 70 ओम
1N4933GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4933GP-M3/54 -
सराय
 ECAD 4425 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4933 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SML4750AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4750AHE3_A/I 0.2063
सराय
 ECAD 3330 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA SML4750 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
1N4004E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004E-E3/73 -
सराय
 ECAD 5397 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4004 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
FESB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16DT-E3/45 1.7400
सराय
 ECAD 169 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB FESB16 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 16 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए 175pf @ 4v, 1MHz
MMBZ4624-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4624-E3-18 -
सराय
 ECAD 2572 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4624 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 3 वी 4.7 वी 1550 ओम
VS-26MB10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MB10A 8.9500
सराय
 ECAD 7776 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक ४ - 26MB10 तमाम डी -34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
VS-SD1100C08L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C08L 103.5233
सराय
 ECAD 8984 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर DO-200AA, A-PUK SD1100 तमाम बी -43, पीयूके पीयूके तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.31 वी @ 1500 ए 15 सना हुआ @ 800 वी 1170A -
1N5399GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5399GP-E3/54 0.3600
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5399 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
SMZJ3789A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3789A-E3/5B -
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 ECAD 9700 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj37 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 50 µa @ 7.6 V 10 वी 5 ओम
VS-S1131A Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1131 ए -
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 ECAD 3457 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1131A - 112-एस-एस 1131 ए 1
TZMB5V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB5V1-GS08 0.3100
सराय
 ECAD 24 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMB5V1 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 5.1 वी 60 ओम
BY229B-400HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-400HE3/45 -
सराय
 ECAD 3222 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BY229 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.85 वी @ 20 ए 145 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
SS8P2CLHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P2CLHM3/86A -
सराय
 ECAD 2641 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8P2 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 4 ए 540 mV @ 4 ए 300 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B39-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B39-HE3-18 0.0341
सराय
 ECAD 7171 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B39 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ २ २३। 39 वी 130 ओम
VS-30WQ06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ06FNTRL-M3 0.2721
सराय
 ECAD 2177 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 30WQ06 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS30WQ06FNTRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 3 ए 2 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3.5A 145pf @ 5v, 1MHz
MMBZ4618-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4618-G3-08 -
सराय
 ECAD 3908 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4618 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 µA @ 1 वी 2.7 वी 1500 ओम
1N5399GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5399GPHE3/73 -
सराय
 ECAD 6730 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) तमाम होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5399 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
ESH2PD-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PD-E3/85A -
सराय
 ECAD 6520 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur DO-220AA Esh2 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 2 ए 25 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
1N4736A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4736A-TAP 0.3600
सराय
 ECAD 1903 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4736 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
SML4730-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4730-E3/61 -
सराय
 ECAD 6933 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4730 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 9 ओम
IRKC236/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKC236/16 -
सराय
 ECAD 4866 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तमाम अँगुला इंट-ए-rana (3) IRKC236 तमाम कांपना तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *IRKC236/16 Ear99 8541.10.0080 3 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1600 वी 230 ए 20 सना
BZT52A15-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52A15-G3-08 -
सराय
 ECAD 7181 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52-G R टेप ray ryील (ther) तमाम BZT52 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000
VS-42CTQ030S-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030S-1HM3 -
सराय
 ECAD 8212 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 42CTQ030 schottky To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 20 ए 480 mV @ 20 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27B3V9P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-E3-08 0.1155
सराय
 ECAD 8253 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B3V9 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 8 ओम
VS-SD400C08C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD400C08C 52.7075
सराय
 ECAD 3831 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सराय DO-200AA, A-PUK SD400 तमाम DO-200AA, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.86 वी @ 1930 ए 15 सना हुआ @ 800 वी 800 ए -
BZX384B30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B30-G3-18 0.0445
सराय
 ECAD 7304 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B30 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 30 वी 80 ओम
BZD27C16P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C16P-M-08 -
सराय
 ECAD 4441 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27-m R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16 वी 15 ओम
V10PWM60HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pwm60hm3/i 0.3647
सराय
 ECAD 1681 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky कांपना तंग तमाम 112-V10PWM60HM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 10 ए 400 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 10 ए 1580pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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