SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
30HFUR-400 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30HFUR-400 -
सराय
ECAD 6206 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 30hfur तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *30HFUR-400 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.45 वी @ 30 ए 80 एनएस 35 µA @ 400 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
1N5625GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5625GP-E3/54 -
सराय
ECAD 7881 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5625 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 3 ए 5 μs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
GI814-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI814-E3/54 -
सराय
ECAD 2932 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT GI814 तमाम DO-204AC (DO-15) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 750 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
SD103BWS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BWS-HE3-18 0.0606
सराय
ECAD 7906 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 SD103 schottky Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 600 एमवी @ 200 एमए 10 एनएस 5 @a @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0v, 1MHz
SL44HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sl44he3_b/i 0.4125
सराय
ECAD 8087 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SL44 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8 ए -
HFA25PB60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA25PB60 -
सराय
ECAD 5080 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 HFA25 तमाम To-247ac संशोधित तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 25 ए 75 एनएस 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
VS-ETU3006-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006-1HM3 2.5823
सराय
ECAD 6605 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa Etu3006 तमाम To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsetu30061hm3 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.65 वी @ 30 ए 26 एनएस 30 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 30 ए -
LL4154-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4154-M-18 0.0305
सराय
ECAD 8106 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Ll4154 तमाम Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 1 वी @ 30 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 25 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 300ma 4pf @ 0v, 1MHz
VS-1N2138RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -12138RA -
सराय
ECAD 5576 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N2138 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 188 ए 10 सना हुआ @ 600 वी -65 ° C ~ 200 ° C 60 ए -
NSF8JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Nsf8jthe3/45 -
सराय
ECAD 6750 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Nsf8 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
VSKDL240-14S20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKDL240-14S20 -
सराय
ECAD 8912 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ३- Vskdl240 तमाम मैगm-ए-rana ® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1400 वी 250A 1.57 V @ 800 ए 2 µs 50 सना
BZD27B11P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B11P-M3-18 0.1050
सराय
ECAD 1304 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
MMBZ4706-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-E3-18 -
सराय
ECAD 5040 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4706 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ १४.४ वी 19 वी
VS-VSKC91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/04 40.5200
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Vskc91 तमाम Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKC9104 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 400 वी 50 ए 10 सना हुआ @ 400 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5266C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5266C-G3-18 0.0483
सराय
ECAD 1330 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5266 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 पायल @ 52 वी 68 वी 230 ओम
BZT52C6V8-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C6V8-G3-18 0.0409
सराय
ECAD 1804 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C6V8 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gay @ 3 वी 6.8 वी 4.5 ओम
MBRB745HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB745HE3/45 -
सराय
ECAD 6752 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB7 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 840 mV @ 15 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
SE20AFJHM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFJHM3/6B 0.1163
सराय
ECAD 3515 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur SE20 तमाम DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 1.2 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.3 ए 12pf @ 4v, 1MHz
1N4933GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4933GP-E3/73 -
सराय
ECAD 9403 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4933 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
VS-60CTQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CTQ035-M3 1.4522
सराय
ECAD 9215 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 60CTQ035 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 30 ए 720 mV @ 60 ए 2 सना हुआ @ 35 वी -65 ° C ~ 150 ° C
DZ23C11-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C11-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 3872 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C11-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 6 ओम
VS-12TQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ035-M3 0.5470
सराय
ECAD 7785 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 12TQ035 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 710 mV @ 30 ए 1.75 पायल @ 35 वें -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए 900pf @ 5v, 1MHz
115CNQ015A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 115CNQ015A -
सराय
ECAD 7408 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला D-61-8 115CNQ015 schottky D-61-8 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 15 वी 55 ए 370 mV @ 55 ए २० सना हुआ @ १५ -55 ° C ~ 125 ° C
VS-10ETF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF06SLHM3 2.0700
सराय
ECAD 135 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10ETF06 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 10 ए 200 एनएस 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
S1G-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1G-M3/61T 0.0522
सराय
ECAD 5473 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 जी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
MMSZ4716-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4716-G3-08 0.0409
सराय
ECAD 8832 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4716 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 10 kay @ 29.6 वी 39 वी
AR3PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar3pdhm3_a/i 0.4950
सराय
ECAD 6620 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन AR3 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.6 वी @ 3 ए 140 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4v, 1MHz
SMZJ3801BHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3801bhm3/h -
सराय
ECAD 6744 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj38 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 µa @ 25.1 V 33 वी 33 ओम
BYM12-200HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-200HE3_A/H -
सराय
ECAD 8288 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) BYM12 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira तमाम BYM12-200HE3_B/H Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
SD253N04S15PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD253N04S15PV -
सराय
ECAD 5042 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum SD253 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *SD253N04S15PV Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.38 V @ 785 ए 1.5 µs 35 पायल @ 400 वी -40 ° C ~ 125 ° C 250A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम