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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-HFA90NH40PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA90NH40PBF 24.4610
सराय
 ECAD 4157 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® थोक शिर अँगुला डी -67 अराध्य HFA90 तमाम डी -67 अराध्य तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.67 वी @ @ 180 ए 140 एनएस 2 सना हुआ @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 210A -
BYT77-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division अफ़सि 77 0.5247
सराय
 ECAD 9714 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BYT77 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.2 वी @ 3 ए 250 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
VS-15ETH03S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH03S-M3 1.1900
सराय
 ECAD 9163 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 15ETH03 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.25 वी @ 15 ए 40 एनएस 40 µa @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
BYT51B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vayam 51 बी-टैप 0.2475
सराय
 ECAD 2884 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BYT51 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 4 μs 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए -
VS-25CTQ045SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25CTQ045SLHM3 -
सराय
 ECAD 5103 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB वीएस -25 सी schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-VS-25CTQ045SLHM3TR Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 30 ए 710 mV @ 30 ए 1.75 पायल @ 45 वें -55 ° C ~ 150 ° C
TZS4687-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4687-GS08 0.0411
सराय
 ECAD 3092 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4687 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 100 एमए 4 µa @ 2 वी 4.3 वी
BZX584C22-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C22-HG3-08 0.0532
सराय
 ECAD 2622 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५० सदाबहार @ १५.४ वी 22 वी 20 ओम
SSA24HE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA24HE3/61T -
सराय
 ECAD 9930 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SSA24 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 mV @ 2 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
SS34HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34HE3_B/I 0.6600
सराय
 ECAD 2051 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SS34 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
1N5263B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5263B-T -
सराय
 ECAD 5290 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5263 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1N5263B-TGI Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gay @ 43 वी 56 वी 1300 ओम
VS-15TQ060STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15TQ060STRL-M3 1.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 15TQ060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 620 mV @ 15 ए 800 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए 720pf @ 5v, 1MHz
TZX15B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX15B-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 112 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX कट कट टेप (सीटी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX15 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 µA @ 11.5 V 15 वी 40 ओम
VBT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045CBP-M3/4W 0.9758
सराय
 ECAD 4782 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT2045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 580 mV @ 10 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
V30D60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30D60C-M3/I 2.6600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) V30D60 schottky एसएमपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 700 एमवी @ 15 ए १.२ सदा -40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETU3006FP-M3R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006FP-M3R -
सराय
 ECAD 3574 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर Etu3006 तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000
BZT52B36-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B36-HE3_A-08 0.0533
सराय
 ECAD 8743 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B36-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 87 ओम
BZX84C47-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C47-E3-08 0.2300
सराय
 ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C47 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५० सदाबहार @ ३२.९ 47 वी 170 ओम
VS-62CTQ030-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-62CTQ030-M3 2.7600
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 62CTQ030 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 600 एमवी @ 60 ए २.५ सना @ ३० वी -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5236B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236B-HE3-08 0.0378
सराय
 ECAD 5277 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5236 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 6 वी 7.5 वी 6 ओम
VS-SD603C16S15C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD603C16S15C 105.7600
सराय
 ECAD 2086 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग अफ़सीर DO-200AA, A-PUK SD603 तमाम बी -43, पीयूके पीयूके तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 2.97 V @ 1885 ए 1.5 µs 45 पायल @ 1600 वी 600 ए -
VS-80CPQ150PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CPQ150PBF -
सराय
 ECAD 6276 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 80CPQ15 schottky To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 40 ए 860 mV @ 40 ए 200 @a @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
PLZ24C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz24c-hg3_a/h 0.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac Plz24 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
BZG04-62-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-62-M3-08 0.5400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-62 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 500 एमए 5 @a @ 62 वी 75 वी
1N4935GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4935GP-E3/73 -
सराय
 ECAD 7769 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4935 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZX84C3V6-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V6-G3-18 0.0353
सराय
 ECAD 4166 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
AZ23C15-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C15-E3-08 0.0415
सराय
 ECAD 5286 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C15 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
MMSZ5258B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5258B-HE3-08 0.0378
सराय
 ECAD 5139 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5258 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 70 ओम
ES1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es1dhe3_a/h 0.3900
सराय
 ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA ES1 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 1 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
SE100PWBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se100pwbhm3/i 0.3317
सराय
 ECAD 4871 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 SE100 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.14 वी @ 10 ए 2.6 ग्रोन्स 20 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 78pf @ 4v, 1MHz
VS-SD600N12PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 600N12PC 153.0400
सराय
 ECAD 8206 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म बी -8 SD600 तमाम बी -8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.31 वी @ 1500 ए 35 सना -40 ° C ~ 180 ° C 600 ए -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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