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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
BA783-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA783-E3-18 -
सराय
ECAD 2772 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सोद -123 Ba783 सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 100 सवार 1.2PF @ 3V, 1MHz पिन - एकल 35V 1.2OHM @ 3MA, 1GHz
GF1JHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1JHE3/5CA -
सराय
ECAD 2443 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba GF1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
V20PW45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pw45-m3/i 0.9400
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V20pw45 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 610 mV @ 20 ए 1.5 सना -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए 3000PF @ 4V, 1MHz
S07J-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07J-GS18 0.4300
सराय
ECAD 42 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S07 तमाम Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4v, 1MHz
VS-4EGU06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4EGU06-M3/5BT 0.6600
सराय
ECAD 39 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB 4EGU06 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 4 ए 39 एनएस 3 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए -
VS-15TQ060-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15TQ060-M3 1.1500
सराय
ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 15TQ060 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 820 mV @ 30 ए 800 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए 720pf @ 5v, 1MHz
GLL4744A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4744A-E3/97 0.3168
सराय
ECAD 3310 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4744 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 11.4 V 15 वी 14 ओम
GSIB2540N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2540N-M3/45 2.2333
सराय
ECAD 8134 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S GSIB2540 तमाम जीएसआईबी -5 एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,200 10 µA @ 400 V 25 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MBR2035CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2035CTHE3/45 -
सराय
ECAD 6303 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 10 ए 650 mV @ 10 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZD27C15P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C15P-HE3-08 0.4200
सराय
ECAD 60 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
VS-20ETS08STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS08STRRRRR-M3 1.2022
सराय
ECAD 3703 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20ETS08 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 20 ए 100 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
SMBZ5927B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5927B-M3/52 0.1906
सराय
ECAD 5096 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBZ5927 ५५० तंग DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 1.5 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 6.5 ओम
V2FM12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2fm12-m3/i 0.0759
सराय
ECAD 5875 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab V2FM12 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 960 mV @ 2 ए 65 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 2 ए 130pf @ 4v, 1MHz
VS-E5TX2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TX2112S2L-M3 2.2800
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फ फ® पीटी® ५ ५ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.6 वी @ 20 ए 115 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20 ए -
VS-160MT100KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-160MT100KPBF 87.2687
सराय
ECAD 3336 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला तमाम 160MT100 तमाम तंग-के। तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS160MT100KPBF Ear99 8541.10.0080 15 130 ए तीन फ़ेज़ 1 केवी
BZX384C47-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C47-G3-08 0.2900
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C47 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५० सदाबहार @ ३२.९ 47 वी 170 ओम
TZM5250B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5250B-GS18 0.0303
सराय
ECAD 9187 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5250 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
VSSAF5M63-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5M63-M3/H 0.5300
सराय
ECAD 4599 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur VSSAF5M63 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 5 ए 10 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 2.6 ए 700pf @ 4v, 1MHz
20TQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20TQ035STRRR -
सराय
ECAD 9824 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20TQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 570 mV @ 20 ए 2.7 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 1400pf @ 5v, 1MHz
BZX584C11-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C11-HG3-08 0.0532
सराय
ECAD 7059 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 10 ओम
MMSZ5259B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5259B-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 8179 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5259B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 30 वी 39 वी 80 ओम
MMSZ5255B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5255B-G3-08 0.0409
सराय
ECAD 8601 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5255 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 kaga @ 21 वी 28 वी 44 ओम
MBRB16H45HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H45HE3_B/I 0.7920
सराय
ECAD 1258 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB16 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 660 mV @ 16 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
BZX55C43-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C43-TR 0.0292
सराय
ECAD 6964 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55C43 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 33 वी 43 वी 90 ओम
IRKE71/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKE71/06A -
सराय
ECAD 5584 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला Add-a-Pak (2) Irke71 तमाम Add-a-Pak® तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 10 सना हुआ @ 600 वी 80 ए -
VS-1N3212R Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -1N3212R -
सराय
ECAD 2862 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3212 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 सना हुआ @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
20CTH03STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTH03STRR -
सराय
ECAD 3307 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20CTH03 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-10BQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ015PBF -
सराय
ECAD 9075 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB 10bq015 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 15 वी 350 mV @ 1 ए 500 µa @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
VS-62CTQ030-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-62CTQ030-M3 2.7600
सराय
ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 62CTQ030 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 600 एमवी @ 60 ए २.५ सना @ ३० वी -65 ° C ~ 150 ° C
GP10G-6295M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10G-6295M3/73 -
सराय
ECAD 5500 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम