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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SS34HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34HE3_B/I 0.6600
सराय
ECAD 2051 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SS34 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
1N5263B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5263B-T -
सराय
ECAD 5290 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5263 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1N5263B-TGI Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gay @ 43 वी 56 वी 1300 ओम
VS-15TQ060STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15TQ060STRL-M3 1.3900
सराय
ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 15TQ060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 620 mV @ 15 ए 800 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए 720pf @ 5v, 1MHz
TZX15B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX15B-TAP 0.2300
सराय
ECAD 112 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX कट कट टेप (सीटी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX15 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 µA @ 11.5 V 15 वी 40 ओम
VBT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045CBP-M3/4W 0.9758
सराय
ECAD 4782 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT2045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 580 mV @ 10 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
V30D60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30D60C-M3/I 2.6600
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) V30D60 schottky एसएमपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 700 एमवी @ 15 ए १.२ सदा -40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETU3006FP-M3R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006FP-M3R -
सराय
ECAD 3574 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर Etu3006 तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000
BZT52B36-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B36-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 8743 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B36-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 87 ओम
BZX84C47-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C47-E3-08 0.2300
सराय
ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C47 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५० सदाबहार @ ३२.९ 47 वी 170 ओम
VS-62CTQ030-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-62CTQ030-M3 2.7600
सराय
ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 62CTQ030 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 600 एमवी @ 60 ए २.५ सना @ ३० वी -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5236B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236B-HE3-08 0.0378
सराय
ECAD 5277 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5236 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 6 वी 7.5 वी 6 ओम
VS-SD603C16S15C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD603C16S15C 105.7600
सराय
ECAD 2086 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग अफ़सीर DO-200AA, A-PUK SD603 तमाम बी -43, पीयूके पीयूके तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 2.97 V @ 1885 ए 1.5 µs 45 पायल @ 1600 वी 600 ए -
VS-80CPQ150PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CPQ150PBF -
सराय
ECAD 6276 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 80CPQ15 schottky To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 40 ए 860 mV @ 40 ए 200 @a @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRF1635HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1635HE3_A/P 0.7920
सराय
ECAD 4979 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब schottky ITO-220AC तंग तमाम 112-MBRF1635HE3_A/P Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 630 mV @ 16 ए 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
PLZ24C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz24c-hg3_a/h 0.3600
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac Plz24 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
BZG04-62-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-62-M3-08 0.5400
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-62 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 500 एमए 5 @a @ 62 वी 75 वी
1N4935GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4935GP-E3/73 -
सराय
ECAD 7769 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4935 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZX84C3V6-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V6-G3-18 0.0353
सराय
ECAD 4166 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
AZ23C15-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C15-E3-08 0.0415
सराय
ECAD 5286 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C15 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
MMSZ5258B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5258B-HE3-08 0.0378
सराय
ECAD 5139 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5258 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 70 ओम
ES1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es1dhe3_a/h 0.3900
सराय
ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA ES1 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 1 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
SE100PWBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se100pwbhm3/i 0.3317
सराय
ECAD 4871 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 SE100 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.14 वी @ 10 ए 2.6 ग्रोन्स 20 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 78pf @ 4v, 1MHz
DZ23C13-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C13-HE3-08 0.0436
सराय
ECAD 6253 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 10 वी 13 वी 25 ओम
VS-SD600N12PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 600N12PC 153.0400
सराय
ECAD 8206 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म बी -8 SD600 तमाम बी -8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.31 वी @ 1500 ए 35 सना -40 ° C ~ 180 ° C 600 ए -
GP10G-6295M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10G-6295M3/73 -
सराय
ECAD 5500 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
VS-12CWQ04FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ04FNTR-M3 0.9300
सराय
ECAD 13 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 12CWQ04 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 6 ए 680 mV @ 12 ए 3 सना हुआ @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MMBZ5248C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5248C-E3-08 -
सराय
ECAD 4693 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5248 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 14 वी 18 वी 21 ओम
1N4738A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4738A 0.3700
सराय
ECAD 17 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4738 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
ZMM5240B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5240B-7 -
सराय
ECAD 2597 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
VS-12FL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FL60S02 8.0100
सराय
ECAD 9418 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 12fl60 तमाम DO-203AA (DO-4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम