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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD27B20P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B20P-E3-08 0.1155
सराय
 ECAD 9545 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
US1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1B-E3/5AT 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1B तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
200CNQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 200CNQ035 -
सराय
 ECAD 2205 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला To-244ab 200CNQ schottky To-244ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *200CNQ035 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 100 ए 540 mV @ 100 ए 10 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C
8ETX06STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETX06STRL -
सराय
 ECAD 8762 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8etx06 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 8ETX06STRLTR Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3 वी @ 8 ए 24 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
FEPB16HT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16HT-E3/81 1.0574
सराय
 ECAD 4455 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Fepb16 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 500 वी 8 ए 1.5 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27B15P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B15P-HE3-08 0.1238
सराय
 ECAD 1487 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
VS-16CTQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ100PBF -
सराय
 ECAD 3431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 16CTQ100 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 8 ए 720 mV @ 8 ए 550 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
MBRB10H90CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H90CT-E3/45 -
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 ECAD 3697 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur MBRB10 schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 5 ए 760 mV @ 5 ए 3.5 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C
ZM4729A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4729A-GS08 0.3900
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 ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) ZM4729 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 100 µA @ 1 वी 3.6 वी 10 ओम
VS-MBRD320TRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD320TRLPBF -
सराय
 ECAD 9842 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Mbrd3 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsmbrd320trlpbf Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 600 एमवी @ 3 ए 200 @a @ 20 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए 189pf @ 5v, 1MHz
IRKD91/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkd91/12a -
सराय
 ECAD 7015 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Irkd91 तमाम Add-a-Pak® तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 100 ए 10 सना हुआ @ 1200 वी
SGL41-20-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-20-E3/96 0.7400
सराय
 ECAD 22 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf SGL41 schottky GL41 (DO-213AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
VS-MUR1520PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-मthur 1520pbf -
सराय
 ECAD 9754 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 MUR1520 तंग, तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 15 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
MBRF10H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H60-E3/45 -
सराय
 ECAD 5596 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब MBRF10 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 710 mV @ 10 ए 100 µa @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
SS10P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P6-M3/86A 0.8900
सराय
 ECAD 65 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS10P6 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 एमवी @ 7 ए 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 7 ए -
SL42-9C Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL42-9C -
सराय
 ECAD 7038 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SL42 schottky DO-214AB (SMC) तंग रोहस तमाम Q1145000A Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 420 mV @ 4 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 4 ए -
AZ23B5V6-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B5V6-E3-18 0.0509
सराय
 ECAD 7661 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b5v6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 40 ओम
MBRB1090CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090CT-E3/4W 0.5996
सराय
 ECAD 4110 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB1090 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 5 ए 850 mV @ 5 ए 100 µa @ 90 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZD27C3V9P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C3V9P-M3-18 0.1650
सराय
 ECAD 6184 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27-m R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C3V9 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 8 ओम
BZX84C16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-E3-08 0.2300
सराय
 ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C16 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 सना 16 वी 40 ओम
SB15H45L-7000E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB15H45L-7000E3/72 -
सराय
 ECAD 2519 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर SB15H45 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100
PLZ20C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz20c-hg3_a/h 0.3600
सराय
 ECAD 2173 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac Plz20 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए 200 सवार @ 15 वी 20 वी 28 ओम
SMZJ3804BHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3804bhm3/h -
सराय
 ECAD 5925 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj38 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 @a @ 32.7 V 43 वी 53 ओम
VS-12CWQ10FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNTRLHM3 1.3599
सराय
 ECAD 9947 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 12CWQ10 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS12CWQ10FNTRLHM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 6 ए 950 mV @ 12 ए 1 पायल @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DZ23C6V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C6V2-HE3-18 0.0436
सराय
 ECAD 3870 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
VS-25F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F10 5.5900
सराय
 ECAD 4484 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 25f10 तमाम DO-203AA (DO-4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 78 ए 12 gay @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
VS-20CTQ150-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150-1HM3 1.1951
सराय
 ECAD 2952 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 20CTQ150 schottky To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 880 mV @ 10 ए 25 @a @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
S2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A-E3/52T 0.4900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 ए तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.15 वी @ 1.5 ए 2 µs 1 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 16PF @ 4V, 1MHz
SML4748HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4748he3/5a -
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 ECAD 6639 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4748 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 16.7 V 22 वी 23 ओम
BZX84C3V0-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V0-HE3-08 0.0323
सराय
 ECAD 9330 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V0 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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