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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-SD1500C30L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1500C30L 145.4900
सराय
 ECAD 3806 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सराय DO-200AB, B-PUK SD1500 तमाम DO-200AB, B-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 3000 वी 1.64 V @ 3000 ए 50 सना 1600 ए -
SSA34HE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA34HE3/5AT -
सराय
 ECAD 9405 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SSA34 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 mV @ 3 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
VS-CPU6006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPU6006-N3 3.5600
सराय
 ECAD 500 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 CPU6006 तमाम To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 30 ए 1.75 वी @ 30 ए 42 एनएस 30 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
60EPF04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epf04 -
सराय
 ECAD 1005 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 60epf04 तमाम To-247ac संशोधित तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 60 ए 180 एनएस 100 µA @ 400 वी -40 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
VE2045C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VE2045C-E3/45 -
सराय
 ECAD 7573 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Ve2045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 700 एमवी @ 10 ए 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-16FR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR120 8.3700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 16FR120 तंग, तमाम DO-203AA (DO-4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.23 वी @ 50 ए 12 सना हुआ @ 1200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
BYX82TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYX82TR 0.2475
सराय
 ECAD 5401 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BYX82 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 4 μs 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
SS3P6L-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6L-E3/87A -
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 ECAD 6376 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS3P6 schottky To-277a (SMPC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 600 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
IRD3901R Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRD3901R -
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 ECAD 8014 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt IRD3901 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *IRD3901R Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.65 V @ 62.8 ए ए 350 एनएस 50 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 125 ° C 20 ए -
VS-STPS1L30UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS1L30UPBF -
सराय
 ECAD 5302 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Stps1l30 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 200pf @ 5v, 1MHz
VS-8ETU04-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETU04-1HM3 0.7425
सराय
 ECAD 9252 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 8ETU04 तमाम To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 43 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
BYWB29-200HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-200HE3_A/P 0.7590
सराय
 ECAD 6376 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYWB29 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
1N5234B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5234B-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 18 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5234 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 4 वी 6.2 वी 7 ओम
V2FL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2fl45-m3/i 0.0759
सराय
 ECAD 3546 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab V2fl45 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 560 mV @ 2 ए 570 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए 270pf @ 4v, 1MHz
VLZ36C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ36C-GS18 -
सराय
 ECAD 2491 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz36 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 40 @a @ 31.7 V 34.27 वी 75 ओम
GI250-2-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-2-M3/54 -
सराय
 ECAD 6194 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GI250 तमाम DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 11,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2000 वी 3.5 वी @ 250 एमए 2 µs 5 µa @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 250ma -
IRKE56/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKE56/12A -
सराय
 ECAD 8252 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला Add-a-Pak (2) Irke56 तमाम Add-a-Pak® तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 10 सना हुआ @ 1200 वी 60 ए -
UGF18BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF18BCTHE3_A/P -
सराय
 ECAD 6612 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक UGF18 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 18 ए 1.1 वी @ 9 ए 30 एनएस 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C
FGP30DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP30DHE3/73 -
सराय
 ECAD 3025 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FGP30 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 70pf @ 4v, 1MHz
VS-50SQ100TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50SQ100TR -
सराय
 ECAD 7740 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204ar, lectun 50sq100 schottky Do-204ar तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 660 mV @ 5 ए 550 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए -
BZG04-22-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-22-M3-18 0.1980
सराय
 ECAD 3859 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 5 µa @ 22 वी 27 वी
BZD27B11P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B11P-M3-08 0.4100
सराय
 ECAD 913 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
PTV12B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV12B-E3/84A -
सराय
 ECAD 8923 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA PTV12 ६०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 9 वी 12.8 वी 8 ओम
TZMC62-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC62-M-08 0.0324
सराय
 ECAD 8566 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, TZM-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC62 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 47 वी 62 वी 150 ओम
VS-20CTH03S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTH03S-M3 1.7200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20CTH03 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C
12TQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12TQ035STRRR -
सराय
 ECAD 1864 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 12TQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 560 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 35 वें -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
BYG22B-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG22B-E3/TR3 0.4700
सराय
 ECAD 6792 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg22 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 2 ए 25 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
VS-80-1336PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-1336PBF -
सराय
 ECAD 2447 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी * नली शिर वीएस -80 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 50
VS-19TQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-19TQ015PBF -
सराय
 ECAD 9381 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 19TQ015 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 15 वी 360 mV @ 19 ए 1.5 सना हुआ @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C 19 ए -
VS-72HF120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -72HF120M 21.2611
सराय
 ECAD 5977 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 72HF120 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS72HF120M Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.35 V @ 220 ए -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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