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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BAV101-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV101-GS08 0.2100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Bav101 तमाम Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gapa @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
SS23SHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS23SHE3_A/I -
सराय
 ECAD 6658 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS23 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 2 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 130pf @ 4v, 1MHz
VS-6TQ045STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ045STRRRR-M3 0.5643
सराय
 ECAD 6056 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 6TQ045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 600 एमवी @ 6 ए 800 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 400pf @ 5v, 1MHz
RMPG06BHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06BHE3_A/53 0.1792
सराय
 ECAD 3455 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Rmpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 6.6pf @ 4v, 1MHz
SS6P4CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS6P4CHM3/86A -
सराय
 ECAD 7753 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS6P4 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 3 ए 650 mV @ 3 ए 200 @a @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
TZM5238B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5238B-GS18 0.0303
सराय
 ECAD 9812 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5238 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.7 वी 8 ओम
BY253P-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY253P-E3/73 -
सराय
 ECAD 6738 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY253 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 3 ए 3 μs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5254C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5254C-E3-18 0.0433
सराय
 ECAD 2639 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5254 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
TZX6V8D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX6V8D-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX कट कट टेप (सीटी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX6V8 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 µa @ 3.5 V 6.8 वी 15 ओम
BZT52B6V8-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B6V8-E3-18 0.0415
सराय
 ECAD 1513 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B6V8 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gay @ 3 वी 6.8 वी 4.5 ओम
12CWQ10FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CWQ10FN -
सराय
 ECAD 5753 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 12CWQ schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 6 ए 800 mV @ 6 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
VS-20TQ035S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ035S-M3 0.7745
सराय
 ECAD 1043 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20TQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 570 mV @ 20 ए 2.7 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 1400pf @ 5v, 1MHz
MBR20H50CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H50CTHE3/45 -
सराय
 ECAD 5902 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 10 ए 710 mV @ 10 ए 100 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C
IRKJ71/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkj71/14a -
सराय
 ECAD 6213 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Irkj71 तमाम Add-a-Pak® तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 1400 वी 80 ए 10 सना हुआ @ 1400 वी
VSKC320-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKC320-12 -
सराय
 ECAD 9971 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ३- VSKC320 तमाम मैगm-ए-rana ® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 320A ५० सदा
V20PW15HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pw15hm3/i 0.5029
सराय
 ECAD 2128 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V20pw15 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.47 वी @ 20 ए 250 µA @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए 950pf @ 4V, 1MHz
GDZ2V0B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V0B-E3-18 0.0360
सराय
 ECAD 3350 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ2V0 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 एमवी 2 वी 100 ओम
32CTQ030STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 32CTQ030STRL -
सराय
 ECAD 5668 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 32CTQ schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 15 ए 490 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N5247C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5247C-TAP 0.0288
सराय
 ECAD 2939 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5247 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
V40100PG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100PG-E3/45 -
सराय
 ECAD 4109 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 V40100 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 810 mV @ 20 ए 500 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ4709-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4709-E3-18 -
सराय
 ECAD 7373 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4709 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 सना हुआ @ 18.2 24 वी
SB040-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/54 -
सराय
 ECAD 1022 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun SB040 schottky Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 600 एमए 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 600ma -
VS-30CTQ080S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ080S-M3 0.9065
सराय
 ECAD 2180 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 30CTQ080 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 15 ए 860 mV @ 15 ए 550 @a @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
88CNQ060ASM Vishay General Semiconductor - Diodes Division 88CNQ060ASM -
सराय
 ECAD 2853 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर होल के kaytaumauth से -61-8-एसएम 88CNQ schottky -61-8-एसएम तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *88CNQ060ASM Ear99 8541.10.0080 200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 40 ए 580 mV @ 40 ए 640 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3790BHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3790bhe3_b/h 0.1508
सराय
 ECAD 1077 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3790 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-SMZJ3790BHE3_B/H Ear99 8541.10.0050 750 10 µa @ 8.4 V 11 वी 6 ओम
MURS260HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Murs260he3_a/h 0.1518
सराय
 ECAD 2878 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs260 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 2 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
1N5821-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5821-E3/54 0.4400
सराय
 ECAD 55 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5821 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 3 ए 2 सना हुआ @ 30 वी -65 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
SS2P5HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P5HE3/84A -
सराय
 ECAD 6809 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q100, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SS2P5 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 80pf @ 4v, 1MHz
VS-T70HF80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70HF80 28.4620
सराय
 ECAD 8945 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -55 टी -मॉड टी 70 तमाम -55 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 15 सना हुआ @ 800 वी 70A -
MBRS140TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRS140TR -
सराय
 ECAD 5405 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Mbrs1 schottky DO-214AA (SMB) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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