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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
AU2PJHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au2pjhm3/86a -
सराय
 ECAD 2222 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Au2 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 2 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.6 ए 42pf @ 4v, 1MHz
SGL41-20/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-20/1 -
सराय
 ECAD 7148 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सतह rurcur Do-213ab, melf SGL41 schottky GL41 (DO-213AB) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
MBR1050-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1050-E3/45 -
सराय
 ECAD 9236 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR105 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 800 mV @ 10 ए 100 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
AU2PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au2pdhm3_a/i 0.4950
सराय
 ECAD 2834 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Au2 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.9 वी @ 2 ए 75 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.6 ए 42pf @ 4v, 1MHz
VS-80-7848 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7848 -
सराय
 ECAD 8832 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7848 - 112- -80-7848 1
BZD27B3V9P-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-HM3-18 -
सराय
 ECAD 7635 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27B3V9 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 8 ओम
EGF1DHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1DHE3/5CA -
सराय
 ECAD 1041 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur Do-214ba ईजीएफ 1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
S8KS-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8KS-E3/I 0.5700
सराय
 ECAD 1106 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC S8K तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 3,500 अफ़स्या 800 वी 985 mV @ 8 ए 3.4 µs 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.6 ए 63pf @ 4v, 1MHz
VSKDL450-25S20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKDL450-25S20 -
सराय
 ECAD 9119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ३- Vskdl450 तमाम मैगm-ए-rana ® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 2500 वी 460A 2.2 वी @ 1800 ए 2 µs ५० सटीक @ २५०
V20100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100C-E3/4W 1.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 V20100 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 790 mV @ 10 ए 800 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
10CTQ150STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10CTQ150STRR -
सराय
 ECAD 9636 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10CTQ schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 5 ए 930 mV @ 5 ए 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
BAV101-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV101-GS08 0.2100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Bav101 तमाम Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gapa @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
SD103CW-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CW-HE3-18 0.0570
सराय
 ECAD 2936 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 SD103 schottky सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 600 एमवी @ 200 एमए 10 एनएस 5 @a @ 10 वी -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0v, 1MHz
VS-50SQ100GTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50SQ100GTR -
सराय
 ECAD 2270 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204ar, lectun 50sq100 schottky Do-204ar तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VS50SQ100GTR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 660 mV @ 5 ए 150 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 500pf @ 5v, 1MHz
GPP15D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP15D-E3/73 -
सराय
 ECAD 8845 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT GPP15 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 8pf @ 4v, 1MHz
BAT43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT43-TAP 0.3900
सराय
 ECAD 49 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BAT43 schottky DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 15 एमए 5 एनएस ५०० सदाबहार @ २५ 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 7PF @ 1V, 1MHz
SMZG3791B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3791B-M3/5B 0.2485
सराय
 ECAD 8749 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग SMZG3791 1.5 डब SMBG (DO-215AA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
AZ23C51-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C51-HE3-18 0.0436
सराय
 ECAD 9808 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c51 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 38 वी 51 वी 100 ओम
VSSB410S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB410S-E3/5BT 0.4500
सराय
 ECAD 8933 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SB410 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 4 ए 1.5 @a @ 70 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.9 ए 230pf @ 4v, 1MHz
VS-40CTQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ045PBF -
सराय
 ECAD 9367 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 40CTQ045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 530 mV @ 20 ए 3 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
B140-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B140-M3/5AT 0.0644
सराय
 ECAD 7469 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA B140 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क -
UH3B-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3B-E3/9AT -
सराय
 ECAD 9028 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC UH3 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 वी @ 3 ए 40 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
60EPU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epu04 -
सराय
 ECAD 6563 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 60epu04 तमाम To-247ac संशोधित तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 60 ए 85 एनएस 50 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 60 ए -
MBR4045WT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR4045WT -
सराय
 ECAD 1296 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 MBR40 schottky To247ac तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 590 mV @ 20 ए 1.75 पायल @ 45 वें -55 ° C ~ 150 ° C
MBRB25H50CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB25H50CT-E3/81 -
सराय
 ECAD 8169 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB25 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 15 ए 640 mV @ 15 ए 100 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C
GP10MEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MEHE3/73 -
सराय
 ECAD 8782 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.2 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
MURS260HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Murs260he3_a/h 0.1518
सराय
 ECAD 2878 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs260 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 2 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
1N5821-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5821-E3/54 0.4400
सराय
 ECAD 55 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5821 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 3 ए 2 सना हुआ @ 30 वी -65 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
VS-10TQ035STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ035STRL-M3 0.8346
सराय
 ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10TQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 570 mV @ 10 ए 2 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 900pf @ 5v, 1MHz
GLL4747-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4747-E3/97 0.2970
सराय
 ECAD 6439 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf GLL4747 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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