SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
181NQ045-1 SMC Diode Solutions 181NQ045-1 27.7625
सराय
 ECAD 1479 0.00000000 तदहेना - थोक शिर अँगुला तंग 181nq schottky Prm1-1 (rana kana मॉड मॉडtun) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 181NQ045-1SMC Ear99 8541.10.0080 27 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 660 mV @ 180 ए 15 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 175 ° C 180A 7800pf @ 5V, 1MHz
BZT52-C8V2-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C8V2-AU_R1_000A1 0.1900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 पंजित rurनेशनल इंक। सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3757-BZT52-C8V2-AU_R1_000A1CT Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gay @ 6 वी 8.2 वी 7 ओम
JANHCA1N4579A Microchip Technology JANHCA1N4579A 24.6000
सराय
 ECAD 8753 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/452 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-JANHCA1N4579A Ear99 8541.10.0050 1 2 @a @ 3 वी 6.4 वी 50 ओम
CDBZ5T1045-HF Comchip Technology CDBZ5T1045-HF 1.8300
सराय
 ECAD 263 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Z5-T CDBZ5T1045 schottky एसएमसी (जेड 5-टी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 550 mV @ 10 ए 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
RBQ10NS100ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS100ATL 1.9000
सराय
 ECAD 970 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C
AMMSZ5247B-HF Comchip Technology AMMSZ5247B-HF 0.0725
सराय
 ECAD 5135 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 AMMSZ5247 ५०० तंग सोद -123 - रोहस अफ़मार 641-AMMSZ5247B-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
RR1LAM6STFTR Rohm Semiconductor Rr1lam6stftr 0.5700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 RR1LAME66 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RR1LAME6STFTRDKR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 150 ° C 1 क -
CDLL5991 Microchip Technology Cdll5991 2.2950
सराय
 ECAD 3959 0.00000000 तमाम * थोक शिर Cdll5991 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1
BZD27B56P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B56P-M3-18 0.1155
सराय
 ECAD 4421 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B56 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 43 वी 56 वी 60 ओम
1N4757AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757AH 0.1188
सराय
 ECAD 8200 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4757 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 38.8 V 51 वी 95 ओम
1N5368BE3/TR12 Microchip Technology 1N5368BE3/TR12 2.6850
सराय
 ECAD 4508 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5368 5 डब टी 18 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 33.8 V 47 वी 25 ओम
STPSC20H065CTY STMicroelectronics STPSC20H065CTY 7.3700
सराय
 ECAD 296 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Stpsc20 Sic (सिलिकॉन antairchama) को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 10 ए 1.75 वी @ 10 ए 100 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C
3SMBJ5944B-TP Micro Commercial Co 3SMBJ5944B-TP 0.0983
सराय
 ECAD 7113 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3SMBJ5944 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 353-3SMBJ5944B-TPTR Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 @a @ 47.1 V 62 वी 100 ओम
1N3993E3 Microchip Technology 1N3993E3 53.5950
सराय
 ECAD 3662 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) अफ़सीर Do-203aa, do-4, s सmunt १० सन्निक Do-4 (do-203aa) तंग तमाम 150-1N3993E3 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 2 ए 100 µA @ 500 एमवी 3.9 वी 2 ओम
VS-81CNQ035ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-81CNQ035ASLPBF -
सराय
 ECAD 2649 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सतह rurcur -61-8-एसएल 81CNQ035 schottky -61-8-एसएल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS81CNQ035ASLPBF Ear99 8541.10.0080 400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 40 ए 600 एमवी @ 40 ए 5 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C
KBP06ML-6161E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06ML-6161E4/72 -
सराय
 ECAD 1359 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कड़ा शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम Kbp06 तमाम KBPM - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 200 1.3 वी @ 1.57 ए 5 µA @ 600 V 1.5 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZX79-B10,133 NXP Semiconductors BZX79-B10,133 0.0200
सराय
 ECAD 105 0.00000000 शिरक - थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ४०० तंग Alf2 तंग 1 (असीमित) तमाम 2156-BZX79-B10,133-954 1 900 एमवी @ 10 एमए 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
HZS2C2JRX Renesas Electronics America Inc HZS2C2JRX 0.1100
सराय
 ECAD 32 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर - तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 1
MUR440SHR7G Taiwan Semiconductor Corporation Mur440shr7g -
सराय
 ECAD 7197 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
JANTXV1N970CUR-1 Microchip Technology Jantxv1n970cur-1 19.3800
सराय
 ECAD 6960 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/117 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa (गthama) 1N970 ५०० तंग Do-213aa तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए ५०० सना 24 वी 33 ओम
TFZGTR5.6B Rohm Semiconductor Tfzgtr5.6b 0.0886
सराय
 ECAD 4444 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr5.6 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
1SMA4748HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4748HR3G -
सराय
 ECAD 1775 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4748 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 @a @ 16.7 V 22 वी 23 ओम
RD30P(2)-T1-AZ Renesas Rd30p (2) -t1 -az 0.3600
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रत्न - थोक शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 डब तंग रोहस तमाम 2156-RD30P (2) -T1-AZ Ear99 8541.10.0050 1 10 µa @ 23 वी 30 वी 80 ओम
SDT2L40CP3-7B Diodes Incorporated SDT2L40CP3-7B 0.0916
सराय
 ECAD 9422 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) schottky X3-DSN1608-2 तंग तमाम 31-SDT2L40CP3-7BTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 2 ए 150 µA @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 285pf @ 4v, 1MHz
BAT6806WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6806WH6327XTSA1 -
सराय
 ECAD 3201 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAT6806 PG-SOT323 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 १३० सना हुआ १५० तंग 1pf @ 0v, 1MHz Schottky - 1 जोड़ी एनोड एनोड 8V 10ohm @ 5ma, 10kHz
NTST40100CTG onsemi NTST40100CTG 2.5600
सराय
 ECAD 160 0.00000000 Onsemi - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-3 NTST40100 schottky को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 800 एमवी @ 20 ए 12 @a @ 70 V -40 ° C ~ 150 ° C
BZT52H-C36,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C36,115 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) सतह rurcur सोद -123F BZT52 375 अफ़स्या सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 50 सना 36 वी 60 ओम
1N5365BG onsemi 1N5365BG 0.4600
सराय
 ECAD 8452 0.00000000 Onsemi - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5365 5 डब AXIAL तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० पायल @ २ २.४ सिपाही 36 वी 11 ओम
JANTXV1N6343DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6343dus/tr 68.7000
सराय
 ECAD 3412 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/533 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b ५०० तंग बी, एसकmun-एमईएलएफ - 150-jantxv1n6343dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1.4 वी @ 1 ए 50 सना 62 वी 125 ओम
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045AS-TUB -
सराय
 ECAD 2183 0.00000000 Ixys - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB DSS16 schottky To-263aa - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 670 mV @ 15 ए 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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