SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
JANTX1N4957 Semtech Corporation Jantx1n4957 -
सराय
ECAD 2947 0.00000000 अफ़सतर MIL-PRF-19500/356 थोक Sic में बंद r क rur kay ± 4.95% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से AXIAL 1N4957 5 डब AXIAL तंग Ear99 8541.10.0050 1 25 µa @ 6.9 V 9.1 वी 2 ओम
JANS1N4617DUR-1 Microchip Technology JANS1N4617DUR-1 208.9650
सराय
ECAD 7339 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/435 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa (गthama) ५०० तंग Do-213aa - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 1 µA @ 1 वी 2.4 वी 1400 ओम
CD214B-B150LF Bourns Inc. CD214B-B150LF -
सराय
ECAD 7826 0.00000000 सराय - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB CD214b schottky SMBJ (DO-214AA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
S1KL MTG Taiwan Semiconductor Corporation S1KL MTG -
सराय
ECAD 2475 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1K तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BZX84B16Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B16Q-7-F 0.0382
सराय
ECAD 1740 0.00000000 तंग सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग -23-3 तंग तमाम 31-BZX84B16Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 11.2 वी 16 वी 40 ओम
1N1374 Microchip Technology 1N1374 44.3850
सराय
ECAD 2608 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 10% - अफ़सीर Do-203aa, do-4, s सmunt 1N137 १० सन्निक DO-203AA (DO-4) - तमाम 150-1N1374 Ear99 8541.10.0050 1 91 वी 35 ओम
EDZLDTE6111B Rohm Semiconductor Edzldte6111b -
सराय
ECAD 1756 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzldt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-edzldte6111btr Ear99 8541.10.0050 3,000
CZRT5237B-HF Comchip Technology CZRT5237B-HF 0.0620
सराय
ECAD 2308 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5237 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 641-CZRT5237B-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.2 वी 8 ओम
CZRA4730-G Comchip Technology CZRA4730-G 0.1550
सराय
ECAD 1659 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-214ac, sma ktach लीड लीड CZRA4730 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 9 ओम
KBU406 Yangjie Technology Kbu406 0.3560
सराय
ECAD 40 0.00000000 तंग - थोक शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-KBU406 Ear99 400
SK12-TP (SMB5817) Micro Commercial Co SK12-TP (SMB5817) -
सराय
ECAD 1666 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SK12 schottky DO-214AA, HSMB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
BZT52C56S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C56S RRG -
सराय
ECAD 6297 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 39.2 V 56 वी 200 ओम
SJPL-H6V Sanken Sjpl-h6v -
सराय
ECAD 6329 0.00000000 शंकेन - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड SJPL-H6 तमाम एसजेपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) एसजेपीएल-एच 6 वी डीके Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 2 ए 50 एनएस 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
HZS30-3TD-E Renesas Electronics America Inc HZS30-3TD-E 0.1000
सराय
ECAD 45 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1
VS-40CTQ150-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150-N3 -
सराय
ECAD 5399 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 40CTQ150 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-40CTQ150-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 930 mV @ 40 ए 50 µa @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C
MM3Z12VB onsemi MM3Z12VB 0.2900
सराय
ECAD 2 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F MM3Z12 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 900 पायल @ 8 वी 12 वी 23 ओम
SBLF1030CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF1030CTHE3/45 -
सराय
ECAD 3082 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक SBLF1030 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 5 ए 550 एमवी @ 5 ए 500 @a @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C
SMBJ5341C/TR13 Microchip Technology SMBJ5341C/TR13 2.1900
सराय
ECAD 4856 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB Smbj5341 5 डब SMBJ (DO-214AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 3 वी 6.2 वी 1 ओम
DZ23C20 Yangjie Technology DZ23C20 0.0240
सराय
ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग एसओटी -23 - रोहस अफ़मार तमाम 4617-DZ23C20TR Ear99 3,000 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 50 ओम
BZY55C8V2 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C8V2 RYG -
सराय
ECAD 3397 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 6.2 वी 8.2 वी 7 ओम
SL26A SURGE एसएल 26 ए 0.2100
सराय
ECAD 27 0.00000000 आवेश - कसना शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2616-SL26A 3A001 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 470 mV @ 2 ए 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 175pf @ 4v, 1MHz
1PS79SB30,135 Nexperia USA Inc. 1PS79SB30,135 0.3200
सराय
ECAD 38 0.00000000 अफ़संद - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1PS79SB30 schottky एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ २५ 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 20PF @ 1V, 1MHz
1N5943CP/TR12 Microchip Technology 1N5943CP/TR12 2.2800
सराय
ECAD 1100 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5943 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 42.6 V 56 वी 86 ओम
CLLRH-02 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CLLRH-02 BK टिन/लीड 0.5100
सराय
ECAD 5670 0.00000000 तिहान - कड़ा शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 तमाम SOD-80 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 500 एमए 200 सवार @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 10pf @ 4v, 1MHz
BYQ28E-200,127 NXP USA Inc. BYQ28E-200,127 0.2400
सराय
ECAD 2 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर BYQ28 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000
SF2005PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2005PTH 1.4290
सराय
ECAD 9372 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SF2005 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.5 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 175pf @ 4v, 1MHz
BZT52B33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B33-HE3-18 0.0436
सराय
ECAD 6926 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B33 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
1PMT5940E3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5940E3/TR13 0.7350
सराय
ECAD 2320 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-216aa 1pmt5940 3 डब Do-216aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 32.7 V 43 वी 53 ओम
A437PD Powerex Inc. A437PD -
सराय
ECAD 9729 0.00000000 तमाम - थोक शिर सराय DO-200AB, B-PUK A437 तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 3.5 µs -40 ° C ~ 125 ° C 600 ए -
JAN1N746CUR-1 Microchip Technology JAN1N746CUR-1 11.3850
सराय
ECAD 4079 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/127 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa (गthama) 1N746 ५०० तंग Do-213aa तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 17 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम