SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
ACZRW5241B-HF Comchip Technology Aczrw5241b-hf 0.0511
सराय
 ECAD 6614 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 641-ACZRW5241B-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 8.4 वी 11 वी 22 ओम
S3D-CT Diotec Semiconductor एस 3 डी-सीटी 0.2897
सराय
 ECAD 2 0.00000000 सोर - कांपना शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC S3d के तमाम SMC (DO-214AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2721-S3D-CT 8541.10.0000 15 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 5 µa @ 200 वी -50 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
DPG20C400PC-TRL IXYS DPG20C400PC-TRL 2.9364
सराय
 ECAD 6925 0.00000000 Ixys सराय R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB DPG20C400 तमाम To-263aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 10 ए 1.32 वी @ 10 ए 45 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
VS-43CTQ100GSTRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ100GSTRLP -
सराय
 ECAD 7845 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 43CTQ100 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VS43CTQ100GSTRLP Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 980 mV @ 40 ए 1 पायल @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SZMM3Z56VT1G onsemi SZMM3Z56VT1G 0.0630
सराय
 ECAD 7721 0.00000000 Onsemi सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 SZMM3 ३०० तंग Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ३२.९ 56 वी 500 ओम
EGL34CHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34CHE3/98 -
सराय
 ECAD 8734 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur Do-213aa (गthama) EGL34 तमाम DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.25 वी @ 500 एमए 50 एनएस 5 µa @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7PF @ 4V, 1MHz
JANTX1N4958CUS Microsemi Corporation Jantx1n4958cus 20.4300
सराय
 ECAD 4698 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/435 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur एसकmun-एमईएलएफ, ई ई 1N4958 5 डब डी -5 बी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 25 µa @ 7.6 V 10 वी 2 ओम
RD36E-T1-AZ Renesas Electronics America Inc RD36E-T1-AZ 0.0600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर - तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 1
ABZT52B16-HF Comchip Technology ABZT52B16-HF 0.0690
सराय
 ECAD 5703 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ABZT52 ५०० तंग सोद -123 - रोहस अफ़मार 641-ABZT52B16-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 45 पायल @ 11.2 16 वी 40 ओम
NSF8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8DTHE3/45 -
सराय
 ECAD 4446 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Nsf8 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
CDLL8.55V Microchip Technology Cdll8.55v 16.2450
सराय
 ECAD 8614 0.00000000 तमाम * थोक शिर - तमाम 150-CDLL8.55V Ear99 8541.10.0050 1
GS1M SURGE GS1M 0.0900
सराय
 ECAD 165 0.00000000 आवेश - कसना शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2616-GS1M 3A001 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 µs 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
ACZRC5377B-G Comchip Technology Aczrc5377b-g 0.3480
सराय
 ECAD 5651 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AB, SMC ACZRC5377 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 69.2 V 91 वी 75 ओम
1N5814R Microchip Technology 1N5814R 65.0400
सराय
 ECAD 4800 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/478 थोक शिर अफ़सीर Do-203aa, do-4, s सmunt 1N5814 तमाम DO-203AA (DO-4) तंग रोहस तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 20 ए 300pf @ 10v, 1MHz
SMD33LHE1-TP Micro Commercial Co Smd33lhe1-tp 0.1069
सराय
 ECAD 2631 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर सतह rurcur Sod-123h Smd33 schottky Sod-123he1 तंग 353-SMD33LHE1-TP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 3 ए 120 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
R7012603XXUA Powerex Inc. R7012603XXUA -
सराय
 ECAD 8533 0.00000000 तमाम - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-200AA, A-PUK R7012603 तंग, तमाम DO-200AA, R62 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2600 वी 2.15 V @ 1500 ए 9 μS 50 सना -65 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
BA 892 E6433 Infineon Technologies बीए 892 E6433 -
सराय
 ECAD 8071 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) एससी -80 बीए 892 एससीडी -80 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 100 सवार 1.1pf @ 3V, 1MHz तंग - एकल 35V 500mohm @ 10ma, 100mHz
BZT52C2V4S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S RRG -
सराय
 ECAD 3300 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
PD3S140-7-2477 Diodes Incorporated PD3S140-7-2477 -
सराय
 ECAD 5849 0.00000000 तंग - थोक तंग सतह rurcur Powerdi ™ 323 schottky Powerdi ™ 323 - 31-PD3S140-7-2477 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 50 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 32pf @ 10v, 1MHz
SF2001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2001GHC0G -
सराय
 ECAD 9875 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SF2001 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 975 mV @ 10 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 80pf @ 4v, 1MHz
VS-2KBB20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBB20 1.6800
सराय
 ECAD 537 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, 2KBB 2KBB20 तमाम 2KBB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 1.9 ए 1.9 ए सिंगल फेज़ 200 वी
JAN1N6632US Microchip Technology JAN1N6632US -
सराय
 ECAD 5490 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/356 थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b 5 डब ई-ई - तमाम 150-JAN1N6632US Ear99 8541.10.0050 50 1.5 वी @ 1 ए 300 µA @ 1 वी 3.3 वी 3 ओम
BZG05B6V8-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B6V8-M3-08 0.1980
सराय
 ECAD 6962 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B6V8 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
CDLL5537B/TR Microchip Technology Cdll5537b/tr 5.9052
सराय
 ECAD 2025 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf ५०० तंग Do-213ab - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL5537B/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 15.3 17 वी 100 ओम
A1N4148WT-HF Comchip Technology A1N4148WT-HF 0.0552
सराय
 ECAD 8769 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 A1N4148 तमाम एस एस -523 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 641-A1N4148WT-HFTR Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 75 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 1 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 125ma 2pf @ 0v, 1MHz
JANTXV1N3824CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3824cur-1/tr 44.1427
सराय
 ECAD 1774 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/115 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) 1 डब DO-213AB (MELF, LL41) - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-jantxv1n3824cur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 9 ओम
JAN1N4965US/TR Microchip Technology JAN1N4965US/TR 9.4500
सराय
 ECAD 105 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/356 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur एसकmun-एमईएलएफ, ई ई 5 डब डी -5 बी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 105 1.5 वी @ 1 ए 2 @a @ 15.2 V 20 वी 4.5 ओम
JAN1N985D-1 Microchip Technology JAN1N985D-1 5.4900
सराय
 ECAD 7003 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/117 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N985 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ६ वी 100 वी 500 ओम
DSEI2X31-12B IXYS Dsei2x31-12b 24.0200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 Ixys - नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस Dsei2x31 तमाम एसओटी -227 बी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Dsei2x3112b Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 1200 वी 28 ए 2.55 वी @ 30 ए 60 एनएस 750 @a @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
LSIC2SD065A20A Littelfuse Inc. LSIC2SD065A20A 11.2400
सराय
 ECAD 873 0.00000000 Littelfuse Inc. अराध्य जीन 2 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 45 ए 960pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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