SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SS210 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS210 0.3200
सराय
 ECAD 9729 0.00000000 तमाहा तनम्युरस क्यूट्यूस, लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
1N1612RA Solid State Inc. 1N1612RA 1.9500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर अफ़सीर Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N1612RA Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 30 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 16 ए -
ES2AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Es2ahm4g -
सराय
 ECAD 8559 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Es2a तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
SMBZ5938B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5938B-E3/52 0.4600
सराय
 ECAD 3534 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBZ5938 3 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 1.5 वी @ 200 एमए 1 .A @ 27.4 वी 36 वी 38 ओम
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB, S1Q 6.0900
सराय
 ECAD 238 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS16N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - 1 (असीमित) 264-TRS16N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 8 ए (डीसी) 1.6 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C
SBR30A100CTB-13-G Diodes Incorporated SBR30A100CTB-13-G -
सराय
 ECAD 1767 0.00000000 तंग अरेता, AEC-Q101, SBR® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SBR30 सराय टू -263 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 31-SBR30A100CTB-13-GTR Ear99 8541.10.0080 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 850 mV @ 15 ए 100 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C
1N6076US/TR Microchip Technology 1N6076US/tr 23.5500
सराय
 ECAD 4809 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SQ-Melf, b तमाम ई-ई - 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.76 V @ 18.8 ए ए 30 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 155 ° C 1.3 ए -
MB10H90CTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB10H90CTHE3_A/I -
सराय
 ECAD 2704 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MB10H90 schottky To-263ab - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 5 ए 760 mV @ 5 ए 3.5 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C
1N2061 Microchip Technology 1N2061 158.8200
सराय
 ECAD 1093 0.00000000 तमाम - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum तमाम DO-205AB (DO-9) तंग तमाम 150-1N2061 Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 300 ए 75 µA @ 400 वी -65 ° C ~ 190 ° C 275 ए -
1N3141 Solid State Inc. 1N3141 15.5000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर अफ़सीर DO-205AA, DO-8, SAUNTURE तमाम Do-8 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N3141 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.2 वी @ 200 ए 50 µa @ 150 V -65 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
1PS76SB21-QZ Nexperia USA Inc. 1PS76SB21-QZ 0.0441
सराय
 ECAD 7251 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 schottky Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1727-1PS76SB21-QZTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 550 एमवी @ 200 एमए 15 µa @ 30 V 150 ° C 200MA 40pf @ 0v, 1MHz
S2JHE3-LTP Micro Commercial Co S2JHE3-LTP 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 जे तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 353-S2JHE3-LTPTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
MBR30H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H60CT-E3/45 1.9800
सराय
 ECAD 487 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR30 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 680 mV @ 15 ए 60 @a @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-42CTQ030SL-M3H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030SL-M3H -
सराय
 ECAD 2846 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर - - 42CTQ030 - - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-42CTQ030SL-M3H Ear99 8541.10.0080 800 - - - -
MBR1630CT-BP Micro Commercial Co MBR1630CT-BP 0.3600
सराय
 ECAD 4466 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक तंग होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR1630 schottky टू -220 एबी तंग 353-MBR1630CT-BP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 16 ए 700 एमवी @ 8 ए 100 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
BYG22B-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg22b-e3/tr 0.4700
सराय
 ECAD 66 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg22 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 2 ए 25 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
LS56 Good-Ark Semiconductor LS56 0.4700
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur schottky तृणक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 500 एमवी @ 5 ए ५०० सदाबहार @ ६० वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 220pf @ 4v, 1MHz
1N2283 Solid State Inc. 1N2283 2.5000
सराय
 ECAD 100 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N2283 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.19 वी @ 90 ए 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 40 ए -
MBR1030-BP Micro Commercial Co MBR1030-bp 0.3300
सराय
 ECAD 5908 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR1030 schottky TO-220AC तंग 353-MBR1030-BP Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 30 वी 100 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 400pf @ 4v, 1MHz
FR601GP-TP Micro Commercial Co FR601GP-TP 0.5871
सराय
 ECAD 3792 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun FR601 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 6 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 150pf @ 4v, 1MHz
BAT54STQ-7-F-52 Diodes Incorporated BAT54STQ-7-F-52 0.0870
सराय
 ECAD 3086 0.00000000 तंग सियार, AEC-Q101 थोक शिर सतह rurcur SOT-523 BAT54 schottky SOT-523 तंग 31-BAT54STQ-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200MA 1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 25 वी -65 ° C ~ 150 ° C
1N3666 Microchip Technology 1N3666 41.6850
सराय
 ECAD 8520 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से AXIAL तमाम AXIAL - तमाम 150-1N3666 Ear99 8541.10.0070 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 1 वी @ 200 एमए 300 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 85 ° C 500ma -
GL34A-CT Diotec Semiconductor Gl34a-ct 0.2412
सराय
 ECAD 2 0.00000000 सोर - कांपना शिर सतह rurcur Do-213aa GL34A तमाम Do-213aa, एमईएलजी-एमईएलजी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2721-GL34A-CT 8541.10.0000 30 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 500 एमए 1.5 µs 5 µa @ 50 वी -50 ° C ~ 175 ° C 500ma -
1PS70SB14,115 NXP Semiconductors 1PS70SB14,115 0.0300
सराय
 ECAD 297 0.00000000 शिरक * थोक शिर तंग 1 (असीमित) तमाम 2156-1PS70SB14,115-954 10,051
S15 Yangjie Technology S15 0.0200
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-S15TR Ear99 3,000
4RS202M Rectron USA 4RS202M 0.5200
सराय
 ECAD 7703 0.00000000 रत्न - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -सिप, पर -2 -2 एम तमाम रत्न तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2516-4RS202M Ear99 8541.10.0080 3,600 1.1 वी @ 4 ए 2 @a @ 100 वी 4 ए सिंगल फेज़ 100 वी
MBR20200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CTH 0.7673
सराय
 ECAD 4500 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20200 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 1.23 वी @ 20 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SK520LQ-TP Micro Commercial Co SK520LQ-TP 0.7800
सराय
 ECAD 1143 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग 1 (असीमित) 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 5 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 100pf @ 4v, 1MHz
1N4947 BK Central Semiconductor Corp 1N4947 बी.के. -
सराय
 ECAD 1497 0.00000000 तिहान - थोक तंग होल के kaytaumauth से Rair -1, अकtun 1N4947 तमाम Rair -1 ए - तमाम 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 1 µA @ 800 V -65 ° C ~ 200 ° C 1 क -
MUR2040PT-BP Micro Commercial Co MUR2040PT-BP -
सराय
 ECAD 9926 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 MUR2040 तमाम To-247-3 तंग 353-MUR2040PT-BP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 15 ए 1.25 वी @ 15 ए 60 एनएस 100 µA @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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