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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना शिर तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक रन (amps) Raurautum की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - कनर (आईसी) (अधिकतम) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8025 (TE12L, Q, M -
सराय
 ECAD 1087 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.5MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1MA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 2200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 1006 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1109 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
2SC2229-Y(MIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y (MIT, F, M) -
सराय
 ECAD 4110 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606 (TE85L, F) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4606 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P (TE12L, F) -
सराय
 ECAD 2879 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa MT3S20 1.8W पीडबmun-मिनी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 16.5db 12v 80MA एनपीएन 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45db @ 1GHz
TTC004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC004B, Q 0.5300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 TTC004 १० सन्निक से -126N तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 250 160 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50MA, 500mA 140 @ 100ma, 5v 100MHz
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3138-Y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 5873 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3138 १५० तंग To-236 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 200 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 120 @ 10MA, 3V 100MHz
2SA1837,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, YHF (( -
सराय
 ECAD 1662 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2310 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (एम) -
सराय
 ECAD 9931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, YHF (j -
सराय
 ECAD 3098 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
2SC2383-O,T6ALPF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O, T6ALPF (एम) -
सराय
 ECAD 6758 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2383 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1964TE85LF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1964 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O (Q) 3.4000
सराय
 ECAD 74 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-3pl 2SC5359 180 डब से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
2SD2695(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6cano, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 9225 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage TTC009, एफ (एम एम) -
सराय
 ECAD 2791 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-220-3 thercu TTC009 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 80 वी 3 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 5V 150MHz
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3024 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6SHRP, FM -
सराय
 ECAD 5283 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
TPCP8F01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8F01 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 3838 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 20 वी लोड स सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड Tpcp8 पीएस -8 तंग रोहस अफ़मार TPCP8F01 (TE85LFM Ear99 8541.21.0095 3,000 3 ए पीएनपी, एन-चैनल
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, T2F (J (J) -
सराय
 ECAD 3546 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से एससी -71 2SC3668 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, F (J (J (J (J -
सराय
 ECAD 1486 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y, LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1298 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 20MA, 500mA 160 @ 100ma, 1v 120MHz
XPQ1R004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQ1R004PB, LXHQ 3.0000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSIX-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया XPQ1R004 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक L-togl ™ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,500 n- चैनल 40 वी 200 ए (टीए) 6v, 10v 1mohm @ 100a, 10v 3V @ 500 @ 84 सना ± 20 वी 6890 पीएफ @ 10 वी - 230W (टीसी)
HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A56JU (TE85L, F) 0.0616
सराय
 ECAD 4855 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 HN4A56 200MW यूएसवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 60MHz
RN1402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S, LF -
सराय
 ECAD 4581 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 5131 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5549 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 400 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 25ma, 200ma 20 @ 40MA, 5V -
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 4443 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GT8G133 तमाम ६०० तंग 8-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - - 400 वी 150 ए 2.9V @ 4V, 150A - १।
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM, LQ 0.6800
सराय
 ECAD 3445 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN19008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 80 वी 34 ए (टीसी) 6v, 10v 19MOHM @ 17A, 10V 3.5V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 40 वी - 630MW (TA), 57W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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