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ट्रांजिस्टर (8)

उत्पाद संख्या	मूल्य निर्धारण (USD)	मात्रा	उपलब्धि	मंचित	शृंखला	पैकेट	उत्पाद की स्थिति	परिचालन तापमान	माउन्टिंग का प्रकार	पैकेज / मामला	आधार उत्पाद संख्या	तकनीकी	पावर - मैक्स	आपूर्तिकर्ता युक्ति पैकेज	डेटा शीट	रोह्स स्टेटस	नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	तक पहुँचने की स्थिति	ईसीसीएन	HTSUS	मानक पैकेज	भ्रूण प्रकार	स्रोत वोल्टेज (VDSS) के लिए नाली	वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी पर)	आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	Vgs (th) (अधिकतम) @ id	गेट चार्ज (QG) (अधिकतम) @ vgs	वीजीएस (अधिकतम)	इनपुट कैपेसिटेंस (CISS) (अधिकतम) @ vds	फेट फ़ीचर	शक्ति अपव्यय	वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)	वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	ट्रांजिस्टर प्रकार	वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी	डीसी करंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई	आवृत्ति - संक्रमण
S2M0040120K	24.9100	आरएफक्यू	128	एसएमसी डायोड समाधान	-	नली	सक्रिय	-	होल के माध्यम से	To-247-4		SICFET (सिलिकॉन कार्बाइड)		To-247-4	-	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	अप्रभावित पहुंचना	Ear99	8541.10.0080	30	n- चैनल	1200 वी	-	-	-	-		-		-	-
S2M0040120D	24.5300	आरएफक्यू	247	एसएमसी डायोड समाधान	-	नली	सक्रिय	-	होल के माध्यम से	To-247-3		SICFET (सिलिकॉन कार्बाइड)		To-247-3	-	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	अप्रभावित पहुंचना	Ear99	8541.10.0080	25	n- चैनल	1200 वी	-	-	-	-		-		-	-
S2M0080120D	14.9200	आरएफक्यू	276	एसएमसी डायोड समाधान	-	नली	सक्रिय	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	होल के माध्यम से	To-247-3		SICFET (सिलिकॉन कार्बाइड)		To-247ad	डाउनलोड करना	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	प्रभावित होना	Ear99	8541.29.0095	25	n- चैनल	1200 वी	41 ए (टीसी)	20 वी	100MOHM @ 20A, 20V	4V @ 10MA	54 नेकां @ 20 वी	+25v, -10v	1324 पीएफ @ 1000 वी	-	231W (टीसी)
SSTX404S	0.2600	आरएफक्यू	67	एसएमसी डायोड समाधान	-	टेप और रील (टीआर)	सक्रिय	150 ° C (TJ)	सतह पर्वत	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX404		350 मेगावाट	एसओटी -23-3	डाउनलोड करना	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	प्रभावित होना	Ear99	8541.21.0095	3,000												40 वी	600 मा	10NA (ICBO)	एनपीएन	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150ma, 10MV	-
S2M0080120K	15.3500	आरएफक्यू	260	एसएमसी डायोड समाधान	-	नली	सक्रिय	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	होल के माध्यम से	To-247-4		SICFET (सिलिकॉन कार्बाइड)		To-247-4	डाउनलोड करना	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	प्रभावित होना	Ear99	8541.29.0095	30	n- चैनल	1200 वी	41 ए (टीसी)	20 वी	100MOHM @ 20A, 20V	4V @ 10MA	54 नेकां @ 20 वी	+25v, -10v	1324 पीएफ @ 1000 वी	-	231W (टीसी)
S2M0025120D	44.4500	आरएफक्यू	5528	एसएमसी डायोड समाधान	-	नली	सक्रिय	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	होल के माध्यम से	To-247-3		SICFET (सिलिकॉन कार्बाइड)		To-247ad	डाउनलोड करना	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	प्रभावित होना	Ear99	8541.29.0095	25	n- चैनल	1200 वी	63 ए (टीजे)	20 वी	34MOHM @ 50A, 20V	4V @ 15ma	130 नेकां @ 20 वी	+25v, -10v	4402 पीएफ @ 1000 वी	-	446W (टीसी)
SSTX304S	0.2600	आरएफक्यू	2	एसएमसी डायोड समाधान	-	टेप और रील (टीआर)	सक्रिय	150 ° C (TJ)	सतह पर्वत	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX304		350 मेगावाट	एसओटी -23-3	डाउनलोड करना	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	प्रभावित होना	Ear99	8541.21.0095	3,000												60 वी	600 मा	10NA (ICBO)	पीएनपी + डायोड (पृथक)	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150ma, 10MV	-
S2M0025120K	44.8100	आरएफक्यू	5161	एसएमसी डायोड समाधान	-	नली	सक्रिय	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	होल के माध्यम से	To-247-4		SICFET (सिलिकॉन कार्बाइड)		To-247-4	डाउनलोड करना	ROHS3 आज्ञाकारी	1 (असीमित)	प्रभावित होना	Ear99	8541.29.0095	30	n- चैनल	1200 वी	63 ए (टीसी)	20 वी	34MOHM @ 50A, 20V	4V @ 15ma	130 नेकां @ 20 वी	+25v, -10v	4402 पीएफ @ 1000 वी	-	446W (टीसी)