SIC
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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401 0.2900
सराय
 ECAD 61 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 4.4 ए (टीए) 2.5V, 10V 55MOHM @ 4.4A, 10V 1.4V @ 250µA 7.2 सराय @ 10 वी ± 12V 680 पीएफ @ 15 वी - 1.2W (TA)
AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2 9.2100
सराय
 ECAD 30 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 AS3D03012 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS3D030120P2 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 42 ए 1.8 वी @ 15 ए 0 एनएस 20 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
1N4148W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148W 0.1000
सराय
 ECAD 69 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 1N4148 तमाम सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 2.5 @a @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
सराय
 ECAD 34 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 55MOHM @ 3A, 4.5V 1.25V @ 250µA 3.81 ranak ± 10V 220 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C 6.4900
सराय
 ECAD 30 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS3D020120C Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 20 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 51 ए 1280pf @ 0v, 1MHz
1N4148WT ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148WT 0.1000
सराय
 ECAD 45 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1N4148 तमाम एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 1 µa @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0v, 1MHz
MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5401 0.1200
सराय
 ECAD 27 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 150 वी ६०० सना हुआ 50NA (ICBO) तमाम 500MV @ 5MA, 50mA 60 @ 10MA, 5V 300MHz
BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC847B 0.1000
सराय
 ECAD 127 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 सभा एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 45 वी 100 सवार 100na एनपीएन 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222A 0.1600
सराय
 ECAD 37 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 ३५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 40 वी ६०० सना हुआ 10na एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150ma, 10v 300MHz
MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4403 0.1200
सराय
 ECAD 126 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३५० तंग एसओटी -23-3 एल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 40 वी ६०० सना हुआ 100na तमाम 750MV @ 50mA, 500mA 100 @ 150ma, 2V 200MHz
US1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED US1D-A 0.1200
सराय
 ECAD 17 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA/DO-214AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P 39.5400
सराय
 ECAD 128 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS1M025120p Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 90 ए (टीसी) 20 वी 34MOHM @ 50A, 20V 4V @ 15ma 195 सना +25v, -10v 3600 पीएफ @ 1000 वी - 463W (टीसी)
BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS123 0.1400
सराय
 ECAD 73 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 5OHM @ 200ma, 10v 2.5V @ 250µA 1.8 सना ± 20 वी 14 पीएफ @ 50 वी - 350MW (TA)
RS1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED रत्न 0.1000
सराय
 ECAD 17 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA/DO-214AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312 0.2800
सराय
 ECAD 33 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 6.8 ए (टीए टीए) 1.8V, 4.5V 18MOHM @ 6.8A, 4.5V 1V @ 250µA 11.05 vapak ± 10V 888 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV21WS 0.1100
सराय
 ECAD 20 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 BAV21 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 250 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5551 0.1200
सराय
 ECAD 36 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३५० तंग एसओटी -23-3 एल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-mmbt5551tr Ear99 8541.21.0095 3,000 160 वी ६०० सना हुआ 50NA (ICBO) एनपीएन 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10MA, 5V 100MHz
AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324 0.2900
सराय
 ECAD 36 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 2 ए (टीए) 4.5V, 10V 280MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA ५.३ सना ± 20 वी 330 पीएफ @ 50 वी - 1.2W (TA)
AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400 0.2900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS3400DKR Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 5.6 ए (टीए () 2.5V, 10V 27mohm @ 5.6a, 10v 1.5V @ 250µA 4.8 ranah @ 4.5 वी ± 12V 535 पीएफ @ 15 वी - 1.2W (TA)
B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS 0.1900
सराय
 ECAD 17 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 schottky Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 mV @ 1 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 120pf @ 4v, 1MHz
AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T 21.5300
सराय
 ECAD 27 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS1M040120T Ear99 8541.21.0095 30 n- चैनल 1200 वी 60 ए (टीसी) 20 वी 55MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10MA 142 सना +25v, -10v 2946 पीएफ @ 1000 वी - 330W (टीसी)
MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907A 0.1200
सराय
 ECAD 40 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३५० तंग एसओटी -23-3 एल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 60 वी 800 सना हुआ 20na तमाम 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150ma, 10v 200MHz
AS3D020120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120P2 6.5200
सराय
 ECAD 60 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 AS3D02012 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS3D020120P2 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 30 ए (डीसी) 1.8 वी @ 15 ए 0 एनएस 20 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BAV99 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV99 0.1100
सराय
 ECAD 125 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 70 वी 215mA 1.25 वी @ 150 एमए 6 एनएस 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P 21.5100
सराय
 ECAD 7607 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 60 ए (टीसी) 20 वी 55MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10MA 142 सना +25v, -10v 2946 पीएफ @ 1000 वी - 330W (टीसी)
BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16 0.4300
सराय
 ECAD 15 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa 1.6 डब एसओटी -223 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 80 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50MA, 500mA 100 @ 150ma, 2V -
AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030065C 7.2300
सराय
 ECAD 30 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4530-AS3D030065C Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.8 वी @ 30 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 35 ए 1805pf @ 0v, 1MHz
BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV21W 0.1100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 BAV21 तमाम सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 250 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 1V, 1MHz
30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045 0.9500
सराय
 ECAD 100 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1,500
AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004 0.5000
सराय
 ECAD 15 0.00000000 अनबन क्यूबरी (int'l) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23-3 एल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 3,000 पी-पी 60 वी 4 ए (टीए) 4.5V, 10V 120MOHM @ 4A, 10V 3V @ 250µA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 930 पीएफ @ 30 वी - 1.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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