SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
सराय
ECAD 6993 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT200 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 200 ए (डीसी) 1.2 वी @ 200 ए 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
1N1188R GeneSiC Semiconductor 1N1188R 10.1200
सराय
ECAD 74 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1188R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1094 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
1N3673A GeneSiC Semiconductor 1N3673A 4.2345
सराय
ECAD 9171 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3673 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1109 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
MBR60045CTL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL -
सराय
ECAD 3019 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 300 ए 600 mV @ 300 ए 5 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor MUR10060CT -
सराय
ECAD 9422 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR10060CTGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 50 ए 1.7 वी @ 50 ए 110 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
सराय
ECAD 7 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3210 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
MBR60045CT GeneSiC Semiconductor MBR60045CT 129.3585
सराय
ECAD 9131 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR60045 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR60045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6030R GeneSiC Semiconductor MBR6030R 21.3105
सराय
ECAD 4745 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR6030 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6030RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MSRT10080AD GeneSiC Semiconductor MSRT10080AD 54.0272
सराय
ECAD 4048 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1204AR GeneSiC Semiconductor 1N1204AR 4.2345
सराय
ECAD 8105 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N1204AR तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1064 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor MUR10005CT -
सराय
ECAD 5416 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR10005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S25KR GeneSiC Semiconductor S25KR 5.2485
सराय
ECAD 5105 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S25K तंग, तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S25KRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
MBRF30040R GeneSiC Semiconductor MBRF30040R -
सराय
ECAD 6150 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3004 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 150A 700 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
सराय
ECAD 7871 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3890 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3890GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor MSRT20060AD 80.4872
सराय
ECAD 7515 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT200 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 600 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTRL -
सराय
ECAD 5353 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 150A 580 mV @ 150 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor MUR10040CT 75.1110
सराय
ECAD 8433 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR10040 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR10040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor MBRTA60060 -
सराय
ECAD 2546 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
सराय
ECAD 8840 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT60045GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3673AR GeneSiC Semiconductor 1N3673AR 6.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3673AR तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1055 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
MBRTA80020RL GeneSiC Semiconductor MBRA80020RL -
सराय
ECAD 5746 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 20 वी 400 ए 580 mV @ 400 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
150KR40A GeneSiC Semiconductor 150KR40A 35.5695
सराय
ECAD 5407 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.33 वी @ 150 ए 35 पायल @ 400 वी -40 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBR2X050A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A180 43.6545
सराय
ECAD 6918 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 180 वी 50 ए 920 mV @ 50 ए 3 सना हुआ @ 180 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor MSRTA200140D 142.3575
सराय
ECAD 1737 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA200 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA200140D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1400 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN26/12 GeneSiC Semiconductor GKN26/12 -
सराय
ECAD 9746 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 1200 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
S380YR GeneSiC Semiconductor S380YR 67.0005
सराय
ECAD 6288 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum S380 तंग, तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S380YGGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.2 वी @ 380 ए 10 µa @ 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C 380A -
MBR2X120A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A180 51.8535
सराय
ECAD 7514 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X120 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 180 वी 120 ए 920 mV @ 120 ए 3 सना हुआ @ 180 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GBU4D GeneSiC Semiconductor GBU4D 0.4725
सराय
ECAD 9290 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU4 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBU4DGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µa @ 200 वी 4 ए सिंगल फेज़ 200 वी
MBR30030CT GeneSiC Semiconductor MBR30030CT 94.5030
सराय
ECAD 3603 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR30030 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR30030CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 150A 650 mV @ 150 ए 8 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURT40040R GeneSiC Semiconductor MURT40040R 134.5800
सराय
ECAD 10 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MURT40040 तंग, तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1098 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 400 वी 200A 1.35 वी @ 200 ए 180 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम