SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
सराय
 ECAD 1221 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt schottky डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR3520GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 680 mV @ 35 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
सराय
 ECAD 4523 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR20020 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR20020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 100 ए 1.3 वी @ 100 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
सराय
 ECAD 4907 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 46-3 GA05JT03 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) टू -46 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1252 Ear99 8541.29.0095 200 - 300 वी 9 ए (टीसी) - 240mohm @ 5a - - - 20W (टीसी)
GKN26/08 GeneSiC Semiconductor GKN26/08 -
सराय
 ECAD 6967 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
MURT20020R GeneSiC Semiconductor MURT20020R 104.4930
सराय
 ECAD 8451 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MURT20020 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MURT20020RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 100 ए 1.3 वी @ 100 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA30060 GeneSiC Semiconductor MURTA30060 159.9075
सराय
 ECAD 5731 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 150A 1.7 वी @ 150 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL -
सराय
 ECAD 9587 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 150A 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65-227SP 1.0000
सराय
 ECAD 6507 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला कांपना GA040 कसना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 10 780 अराध्य 6.5 केवी 69 ए - ३० सना हुआ 40 ए 1 सीन
MBR6060R GeneSiC Semiconductor MBR6060R 21.3105
सराय
 ECAD 3703 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR6060 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6060RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MURT30020 GeneSiC Semiconductor MURT30020 118.4160
सराय
 ECAD 1294 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mut30020gn Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 150A 1.3 वी @ 150 ए 100 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
सराय
 ECAD 9407 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT40060 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT40060RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 200A 800 एमवी @ 200 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60100R GeneSiC Semiconductor MBR60100R 21.3105
सराय
 ECAD 9025 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR60100 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR60100RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
FR12KR05 GeneSiC Semiconductor FR12KR05 7.0500
सराय
 ECAD 8803 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR12KR05GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 800 mV @ 12 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
सराय
 ECAD 9258 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8020GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 750 एमवी @ 80 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
S40Q GeneSiC Semiconductor S40Q 10.3200
सराय
 ECAD 791 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
1N3213R GeneSiC Semiconductor 1N3213R 7.0650
सराय
 ECAD 3434 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3213R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3213RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
MURF30060 GeneSiC Semiconductor MURF30060 -
सराय
 ECAD 2191 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 150A 1.7 वी @ 150 ए 150 एनएस 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
सराय
 ECAD 8289 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला ३-मॉड - तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MSRTA6001GN Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) - 1600 वी 600 ए (डीसी) -55 ° C ~ 150 ° C
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA -
सराय
 ECAD 1163 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-257-3 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) TO-257 - रोहस 1 (असीमित) 1242-1148 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 वी 7 ए (टीसी टीसी) (165 lecrunt सेलtun) - 170mohm @ 7a - - 720 पीएफ @ 35 वी - 80W (टीसी)
MBRH30030RL GeneSiC Semiconductor MBRH30030RL -
सराय
 ECAD 2434 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 580 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C 300 ए -
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
सराय
 ECAD 291 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GD15MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 15 ए 0 एनएस 20 µA @ 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 36 ए 1082pf @ 1V, 1MHz
MBR7535R GeneSiC Semiconductor MBR7535R 21.9195
सराय
 ECAD 1581 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR7535 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR7535RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 750 एमवी @ 75 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 75 ए -
1N6098 GeneSiC Semiconductor 1N6098 24.1300
सराय
 ECAD 5218 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N6098 schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1107 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 700 एमवी @ 50 ए 5 सना हुआ @ 30 वी -65 ° C ~ 150 ° C 50 ए -
MBRH15020RL GeneSiC Semiconductor MBRH15020RL -
सराय
 ECAD 6323 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 शोट्की, रयरी डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 580 mV @ 150 ए 3 सना हुआ @ 20 वी 150A -
S85V GeneSiC Semiconductor S85V 12.1170
सराय
 ECAD 8070 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S85VGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 85 ए -
MBRH120200 GeneSiC Semiconductor MBRH120200 60.0375
सराय
 ECAD 9663 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 120 ए 1 सना हुआ @ 200 वी 120 ए -
MBR6060 GeneSiC Semiconductor MBR6060 20.2695
सराय
 ECAD 8592 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR6060 schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6060GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MBRH120100 GeneSiC Semiconductor MBRH120100 60.0375
सराय
 ECAD 1464 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH120100GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 120 ए 4 सना हुआ @ 20 वी 120 ए -
MBRH120150 GeneSiC Semiconductor MBRH120150 60.0375
सराय
 ECAD 3320 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 880 mV @ 120 ए 1 पायल @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C 120 ए -
S320J GeneSiC Semiconductor S320J 63.8625
सराय
 ECAD 6900 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum S320 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S320JGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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