SIC
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अफ़र्याशियस (16626)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक - अधिकतम सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmume - rurugut तमाम वोलmuth - पthirraurोध @ yur, एफ तंग तमाम Q @ vr, f
BSS138W L6433 Infineon Technologies BSS138W L6433 -
सराय
 ECAD 4984 0.00000000 इंफीनन टेक SIPMOS® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PG-SOT323 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 280ma (TA) 4.5V, 10V 3.5OHM @ 220mA, 10V 1.4V @ 26 @ 1.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 43 पीएफ @ 25 वी - 500MW (TA)
BSS214NW L6327 Infineon Technologies BSS214NW L6327 -
सराय
 ECAD 9654 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PG-SOT323 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 1.5 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 140MOHM @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8 सना ± 12V 143 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
IDH03SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH03SG60CXKSA1 -
सराय
 ECAD 9127 0.00000000 इंफीनन टेक S कूलth ™+ नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 IDH03SG60 Sic (सिलिकॉन antairchama) पीजी-पीजी 220-2-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 2.3 वी @ 3 ए 0 एनएस 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 60pf @ 1V, 1MHz
IDH10SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA1 -
सराय
 ECAD 6781 0.00000000 इंफीनन टेक S कूलth ™+ नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 IDH10SG60 Sic (सिलिकॉन antairchama) पीजी-पीजी 220-2-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 2.1 वी @ 10 ए 0 एनएस 90 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 290pf @ 1V, 1MHz
IDV03S60CXKSA1 Infineon Technologies IDV03S60CXKSA1 -
सराय
 ECAD 4936 0.00000000 इंफीनन टेक S कूलth ™+ नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 IDV03S60 Sic (सिलिकॉन antairchama) पीजी-टू 220-2 पैक पैक तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 3 ए 0 एनएस 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 90pf @ 1V, 1MHz
IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R199CPXKSA1 2.4531
सराय
 ECAD 7110 0.00000000 इंफीनन टेक कूलमोस ™ नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu IPA50R199 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 220-3-31 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 500 वी 17 ए (टीसी) 10V 199mohm @ 9.9a, 10v 3.5V @ 660µA 45 सना ± 20 वी 1800 पीएफ @ 100 वी - 139W (टीसी)
IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CPXKSA1 -
सराय
 ECAD 2245 0.00000000 इंफीनन टेक कूलमोस ™ नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu IPA60R मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 220-3-31 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 650 वी 12 ए (टीसी) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 440µA 35 सना ± 20 वी 1300 पीएफ @ 100 वी - 33W (टीसी)
IPA60R520CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R520CPXKSA1 -
सराय
 ECAD 4674 0.00000000 इंफीनन टेक कूलमोस ™ नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu IPA60R मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 220-3-31 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 600 वी 6.8 ए (टीसी टीसी) 10V 520MOHM @ 3.8A, 10V 3.5V @ 250µA 31 सना ± 20 वी 630 पीएफ @ 100 वी - 30W (टीसी)
IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04LGATMA1 5.4700
सराय
 ECAD 1539 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur To-263-7, Dâpak (6 लीड + टैब) Ipb011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 263-7-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 180 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10v 2V @ 200 @ 346 KANAK ± 20 वी 29000 पीएफ @ 20 वी - 250W (टीसी)
IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB015N04LGATMA1 4.8700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB IPB015 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 263-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.5MOHM @ 100A, 10V 2V @ 200 @ 346 KANAK ± 20 वी 28000 पीएफ @ 25 वी - 250W (टीसी)
IPB020N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB020N04NGATMA1 3.0800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur To-263-7, Dâpak (6 लीड + टैब) IPB020 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 263-7-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 140 ए (टीसी) 10V 2mohm @ 100a, 10v 4V @ 95µA 120 सना ± 20 वी 9700 पीएफ @ 20 वी - 167W (टीसी)
IPB023N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB023N06N3GATMA1 -
सराय
 ECAD 2239 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur To-263-7, Dâpak (6 लीड + टैब) IPB023N मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 263-7 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 60 वी 140 ए (टीसी) 10V 2.3MOHM @ 100A, 10V 4V @ 141µA 198 सानत @ 10 वी ± 20 वी 16000 पीएफ @ 30 वी - 214W (टीसी)
PTFA180701FV4FWSA1 Infineon Technologies PTFA180701FV4FWSA1 -
सराय
 ECAD 6557 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी सतह rurcur 2-फ PTFA180701 1.84GHz LDMOS -37265-2 तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 80 10μA 550 एमए 60W 16.5db - 28 वी
PTFA181001EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA181001EV4XWSA1 -
सराय
 ECAD 3051 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 65 वी सतह rurcur 2-y, फिन फिन लीड PTFA181001 1.88GHz LDMOS एच -36248-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 1 750 100W 16.5db - 28 वी
PTFA190451EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA190451EV4XWSA1 -
सराय
 ECAD 7446 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 65 वी सतह rurcur -36265-2 PTFA190451 1.96GHz LDMOS -36265-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 10μA 450 11W 17.5db - 28 वी
PTFA192001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA192001EV4R250XTMA1 -
सराय
 ECAD 3993 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी अँगुला एच -36260-2 PTFA192001 1.99GHZ LDMOS एच -36260-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 250 10μA 1.8 ए 50W 15.9db - 30 वी
PTFA211801E V4 Infineon Technologies PTFA211801E V4 -
सराय
 ECAD 2716 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 65 वी अँगुला एच -36260-2 PTFA211801 2.14GHz LDMOS एच -36260-2 तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 35 10μA 1.2 ए 35W 15.5db - 28 वी
PTFA212001FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA212001FV4XWSA1 -
सराय
 ECAD 4527 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी सतह rurcur 2-फ PTFA212001 2.14GHz LDMOS एच -37260-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 40 10μA 1.6 ए 50W 15.8db - 30 वी
BAS28E6433HTMA1 Infineon Technologies BAS28E6433HTMA1 0.1041
सराय
 ECAD 5718 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-253-4, TO-253AA BAS28 तमाम पीजी-एसओटी -143-3 डी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 200ma (डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 gapa @ 75 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAS 3005A-02V E6327 Infineon Technologies BAS 3005A-02V E6327 -
सराय
 ECAD 1120 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 BAS 3005 schottky पीजी-पीजी 79-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 500 एमए 300 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 15pf @ 5v, 1MHz
BAT 63-02V E6327 Infineon Technologies बैट 63-02V E6327 -
सराय
 ECAD 5923 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BAT63 पीजी-पीजी 79-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 100 तंग 0.85pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - एकल 3 वी -
BAV 70S E6433 Infineon Technologies BAV 70S E6433 -
सराय
 ECAD 5690 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur 6 -एससी, एससी -88, एसओटी -363 बीएवी 70 तमाम पीजी-पीजी 363-पीओ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 200ma (डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 150 पायल @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAW56UE6433HTMA1 Infineon Technologies BAW56UE6433HTMA1 0.1204
सराय
 ECAD 3649 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-74, SOT-457 Baw56 तमाम पीजी-पीजी 74-6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 200ma (डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 150 पायल @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BB639CE7908HTSA1 Infineon Technologies BB639CE7908HTSA1 -
सराय
 ECAD 3671 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 BB639 पीजी-पीजी 323-2 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 2.75pf @ 28V, 1MHz कड़ा 30 वी 15.3 सी 1/सी 28 -
BG3123E6327HTSA1 Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1 -
सराय
 ECAD 5544 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 8 वी सतह rurcur 6 -एससी, एससी -88, एसओटी -363 BG3123 800MHz MOSFET पीजी-पीजी 363-पीओ तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 25ma, 20ma 14 सना हुआ - 25 डीबी 1.8DB 5 वी
BG3430RE6327HTSA1 Infineon Technologies BG3430RE6327HTSA1 -
सराय
 ECAD 9214 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 8 वी सतह rurcur 6 -एससी, एससी -88, एसओटी -363 800MHz MOSFET पीजी-पीजी 363-पीओ तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 25ma 14 सना हुआ - 25 डीबी 1.3db 5 वी
BG5412KE6327HTSA1 Infineon Technologies BG5412KE6327HTSA1 -
सराय
 ECAD 3291 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 8 वी सतह rurcur 6 -एससी, एससी -88, एसओटी -363 800MHz MOSFET पीजी-पीजी 363-पीओ तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 25ma 10 सना हुआ - 24DB 1.1db 5 वी
BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC057N08NS3GATMA1 2.0800
सराय
 ECAD 11 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव BSC057 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PG-TDSON-8-5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 16 ए (टीए), 100 टीसी (टीसी () 6v, 10v 5.7MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 73µA ५६ सना ± 20 वी 3900 पीएफ @ 40 वी - 2.5W (टीए), 114W (टीसी)
BSC105N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC105N10LSFGATMA1 -
सराय
 ECAD 9677 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव BSC105 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PG-TDSON-8-1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 11.4 ए (टीए टीए), 90 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 50a, 10v 2.4V @ 110µA ५३ सना ± 20 वी 3900 पीएफ @ 50 वी - 156W (टीसी)
BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies BSC123N10LSGATMA1 2.0200
सराय
 ECAD 28 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव BSC123 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PG-TDSON-8-1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 10.6 ए (टीए), 71 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 12.3MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 72µA 68 सना ± 20 वी 4900 पीएफ @ 50 वी - 114W (टीसी)
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AD9208BBPZ-3000

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