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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/R 0.0600
सराय
 ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 35.8 V 47 वी 80 ओम
1N5243BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5243BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 13 ओम
1N4743T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743T/R 0.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4743T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
1N751ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N751ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N751ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 1 वी 5.1 वी 17 ओम
1N5361BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361BULK 0.3800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5361BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० पायल @ २०.६ सिन्ट 27 वी 5 ओम
1N4736ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 13 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4736ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BULK 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5242BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
RBV2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502 1.5900
सराय
 ECAD 500 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2502 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µa @ 200 वी 25 ए सिंगल फेज़ 200 वी
1N4748A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748A 0.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4748ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 16.7 V 22 वी 23 ओम
1N5245BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5245BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5245BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 11 वी 15 वी 16 ओम
KBL402 EIC SEMICONDUCTOR INC. Kbl402 1.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBL402 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 4 ए 10 µa @ 200 वी 4 ए सिंगल फेज़ 200 वी
FR303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr303t/r 0.1300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-FR303T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
HER108T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Her108t/r 0.1100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-HER108T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N4733ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4733ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
1N753ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N753ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N753ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 6.2 वी 7 ओम
RGP02-20E-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-20E-BULK 0.2900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RGP02-20E-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 2000 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 µa @ 2000 V -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
1N5923BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5923BT/R 0.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5923BT/RTR 8541.10.0000 5,000 5 µa @ 6.5 V 8.2 वी 3.5 ओम
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R 0.1600
सराय
 ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 µA @ 1600 वी -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
1N4760AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4760AT/R 0.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4760AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 51.7 V 68 वी 150 ओम
BR3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504 2.6900
सराय
 ECAD 300 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-BR3504 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µA @ 400 V 35 ए सिंगल फेज़ 400 वी
RBV1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1001 1.2400
सराय
 ECAD 400 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1001 8541.10.0000 100 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 100 वी 10 ए सिंगल फेज़ 100 वी
1N5233BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5233BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3.5 V 6 वी 7 ओम
1N5358A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358A 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5358A 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 15.8 V 22 वी 3.5 ओम
1N5391BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391BULK 0.1800
सराय
 ECAD 19 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5391BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N755ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 7.5 वी 6 ओम
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-FR301BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N5360B 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 800 V 50 ए सिंगल फेज़ 800 वी
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 400 V 25 ए सिंगल फेज़ 400 वी
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/R 0.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 2439-1N4758AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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