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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस सराय - पीक पीक कांपम वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) सराफक
BR3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504 2.6900
सराय
 ECAD 300 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR3504 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µA @ 400 V 35 ए सिंगल फेज़ 400 वी
1N755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N755ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 7.5 वी 6 ओम
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 800 V 50 ए सिंगल फेज़ 800 वी
1N5358A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358A 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5358A 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 15.8 V 22 वी 3.5 ओम
RBV1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1001 1.2400
सराय
 ECAD 400 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1001 8541.10.0000 100 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 100 वी 10 ए सिंगल फेज़ 100 वी
1N754ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N754ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N754ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 6.8 वी 5 ओम
SF16-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF16-BULK 0.2200
सराय
 ECAD 16 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SF16-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
RBV1506D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1506D 1.6500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1506D 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 15 ए 10 µA @ 600 V 15 ए सिंगल फेज़ 600 वी
1N4744T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744T/R 0.0400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4744T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 11.4 V 15 वी 14 ओम
Z1110-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1110-T/R 0.1800
सराय
 ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-Z1110-T/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 83.6 V 110 वी 450 ओम
KBP206 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP206 0.8500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपी तमाम KBP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBP206 8541.10.0000 100 1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 2 ए सिंगल फेज़ 600 वी
1N5360BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BT/R 0.1100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5360BT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
1N5239BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5239BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
1N4006T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006T/R 0.0300
सराय
 ECAD 35 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4006T/RTR 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
RBV5010 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010 3.9300
सराय
 ECAD 260 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV5010 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 1000 V 50 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
RBV2502D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502D 1.7400
सराय
 ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2502D 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 200 वी 25 ए सिंगल फेज़ 200 वी
1N753ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N753ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N753ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 6.2 वी 7 ओम
BR5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5002 2.8900
सराय
 ECAD 850 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR5002 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 200 वी 50 ए सिंगल फेज़ 200 वी
BR601 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR601 0.6800
सराय
 ECAD 800 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR601 8541.10.0000 200 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 100 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
1N4743ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4743ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
SS3D/B EIC SEMICONDUCTOR INC. SS3D/B 0.4400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SS3D/BTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N4004BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004BULK 0.0900
सराय
 ECAD 38 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4004BULK 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. Kbl401 1.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBL401 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 4 ए 10 µA @ 100 वी 4 ए सिंगल फेज़ 100 वी
D32PBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32PBULK 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Do-204al, do-41, s अकchut Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-D32PBULK 8541.10.0000 500 2 ए 27 ~ 37V 100 µa
SS1D EIC SEMICONDUCTOR INC. SS1D 0.1300
सराय
 ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SS1DTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756AT/R 0.0300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N756AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 8.2 वी 8 ओम
1N4001 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4001 0.0240
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4001 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
HER306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER306T/R 0.2000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER306T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N5931AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931AT/R 0.1000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5931AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 13.7 V 18 वी 12 ओम
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R 0.1600
सराय
 ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 µA @ 1600 वी -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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