SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
KDZVTR2.4B Rohm Semiconductor Kdzvtr2.4b 0.4300
सराय
ECAD 10 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr2.4 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.4 वी
UT6KE5TCR Rohm Semiconductor Ut6ke5tcr 0.6800
सराय
ECAD 3681 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-पॉव Ut6ke5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) Huml2020l8 - 1 (असीमित) 3,000 2 एन-चैनल 100V 2 ए (टीए) 207MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 1MA 2.8NC @ 10V 90pf @ 50v तमाम
BSM450D12P4G102 Rohm Semiconductor BSM450D12P4G102 1.0000
सराय
ECAD 6512 0.00000000 रोटी - कड़ा शिर 175 ° C (TJ) अँगुला कांपना BSM450 अफ़राहा 1.45kW (टीसी) कांपना तंग 1 (असीमित) 846-BSM450D12P4G102 4 2 एन-चैनल 1200V 447 ए (टीसी) - 4.8V @ 218.4MA - 44000pf @ 10v तमाम
RN741VTE-17 Rohm Semiconductor RN741VTE-17 0.1287
सराय
ECAD 3994 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN741 UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम RN741VTE17 Ear99 8541.10.0070 3,000 ५० सदा 0.4pf @ 35V, 1MHz पिन - एकल 50 वी 10ohm @ 10ma, 100mHz
R6030KNXC7G Rohm Semiconductor R6030knxc7g 6.6700
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R6030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6030KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 30 ए (टीए) 10V 130MOHM @ 14.5A, 10V 5V @ 1MA ५६ सना ± 20 वी 2350 पीएफ @ 25 वी - 86W (टीसी)
RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH00TS65DGC13 6.6000
सराय
ECAD 3477 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Rgth00 तमाम 277 इकम To-247g तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGTH00TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10Ohm, 15V 54 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 85 ए 200 ए 2.1V @ 15V, 50 ए - 94 एन.सी. 39NS/143NS
BZX84C2V4LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V4LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 8.33% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
R6009JNJGTL Rohm Semiconductor R6009JNJGTL 2.9400
सराय
ECAD 9436 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R6009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 9 ए (टीसी) 15V 585MOHM @ 4.5A, 15V 7V @ 1.38ma २२ स्याह @ १५ वी ± 30V 645 पीएफ @ 100 वी - 125W (टीसी)
RB168VAM-30TR Rohm Semiconductor RB168VAM-30TR 0.3600
सराय
ECAD 630 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 730 mV @ 1 ए 300 पायल @ 30 वी 150 ° C 1 क -
DTA114EE3HZGTL Rohm Semiconductor Dta114ee3hzgtl 0.4100
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DTA114 १५० तंग EMT3 तंग 1 (असीमित) तमाम 846-DTA114EE3HZGTLTR Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZGTL 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SA2018 १५० तंग EMT3 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 12 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10MA, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
SCS110AMC Rohm Semiconductor SCS110AMC -
सराय
ECAD 8147 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS110 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 430pf @ 1V, 1MHz
RBQ10BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ10BGE65ATL 1.4500
सराय
ECAD 171 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 10 ए 690 mV @ 5 ए 70 µA @ 65 V 150 ° C
RS1E200GNTB Rohm Semiconductor RS1E200GNTB 0.8600
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1MA 16.8 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1080 पीएफ @ 15 वी - 3 डबthautun (टीए), 25.1w (टीसी)
BZX84B11VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B11VLT116 0.2600
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
RB218T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-30NZC9 1.5400
सराय
ECAD 990 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB218 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 20 ए 720 mV @ 10 ए 5 µa @ 30 V 150 ° C
R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6047KNZ4C13 14.2000
सराय
ECAD 11 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 R6047 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6047KNZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 47 ए (टीसी) 10V 72MOHM @ 25.8A, 10V 5V @ 1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 4300 पीएफ @ 25 वी - 481W (टीसी)
2SCR293PT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PT100 0.1856
सराय
ECAD 7739 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 2SCR293 2 डब Mpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 1,000 30 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 350mv @ 25ma, 500ma 270 @ 100ma, 2v 320MHz
BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS63AHZGT116 0.3900
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS63 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 100 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 10MA, 100mA 30 @ 25ma, 1v 200MHz
CDZFHT2RA24B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra24b 0.4800
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.21% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24.25 वी 120 ओम
DZ2W18000L Rohm Semiconductor DZ2W18000L -
सराय
ECAD 7208 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-DZ2W18000LTR Ear99 8541.10.0050 3,000
R6020JNZ4C13 Rohm Semiconductor R6020JNZ4C13 8.4500
सराय
ECAD 355 0.00000000 रोटी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 R6020 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247g तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीसी) 15V 234MOHM @ 10A, 15V 7V @ 3.5ma 45 सना ± 30V 1500 पीएफ @ 100 वी - 252W (टीसी)
R6535KNZC17 Rohm Semiconductor R6535KNZC17 7.8500
सराय
ECAD 300 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6535 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6535KNZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीसी) 10V 115mohm @ 18.1a, 10v 5V @ 1.21MA 72 सना ± 20 वी 3000 पीएफ @ 25 वी - 102W (टीसी)
R6024ENXC7G Rohm Semiconductor R6024ENXC7G 5.5800
सराय
ECAD 980 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R6024 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6024ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 24 ए (टीए) 10V 165MOHM @ 11.3a, 10v 4V @ 1MA 70 सनाह ± 20 वी 1650 पीएफ @ 25 वी - 74W (टीसी)
2SARA41CHZGT116R Rohm Semiconductor 2SARA41CHZGT116R 0.5000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2Sara41 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी ५० सदा 500NA (ICBO) तमाम 500MV @ 1MA, 10MA 180 @ 2ma, 6v 140MHz
RB068LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB068LAMA100TFTR 0.6000
सराय
ECAD 5796 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 2 ए 1.5 @a @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
R6030ENZM12C8 Rohm Semiconductor R6030ENZM12C8 -
सराय
ECAD 1373 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6030ENZM12C8 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 30 ए (टीसी) 10V 130MOHM @ 14.5A, 10V 4V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 20 वी 2100 पीएफ @ 25 वी - 120W (टीसी)
RS1E350GNTB Rohm Semiconductor RS1E350GNTB 2.6800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 35 ए (टीए), 80 टीसी (टीसी टीसी () 4.5V, 10V 1.7MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 1MA 68 सना ± 20 वी 4060 पीएफ @ 15 वी - 3W (TA)
UFZVTE-1710B Rohm Semiconductor UFZVTE-1710B 0.3000
सराय
ECAD 450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 8 ओम
RF201L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RF201L4SDDTE25 0.7600
सराय
ECAD 644 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RF201 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1.5 ए 30 एनएस 1 µa @ 400 V 150 ° C 1.5 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम