SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक रन (amps) सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सींग वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य वोलmume - rurugut वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX79-C20,143 NXP USA Inc. BZX79-C20,143 0.0200
सराय
ECAD 189 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ४०० तंग Alf2 तंग Ear99 8541.10.0050 1 900 एमवी @ 10 एमए ५० सटीक @ १४ 20 वी 55 ओम
PMPB16XN,115 NXP USA Inc. PMPB16XN, 115 -
सराय
ECAD 4498 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-udfn ने पैड को को ranahar rab PMPB1 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-DFN2020MD (2x2) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 7.2 ए (टीए () 2.5V, 4.5V 21MOHM @ 7.2a, 4.5V 1.5V @ 250µA 10.8 ranah @ 4.5 वी ± 12V 775 पीएफ @ 15 वी - 1.7W (TA), 12.5W (टीसी)
PMZB420UN NXP USA Inc. Pmzb420un -
सराय
ECAD 9917 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 1
BZX585-B68,115 NXP USA Inc. BZX585-B68,115 0.0400
सराय
ECAD 9 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर BZX585 - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
PZU4.3B,115 NXP USA Inc. PZU4.3B, 115 -
सराय
ECAD 6236 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर PZU4.3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
PDTC143EMB315 NXP USA Inc. PDTC143EMB315 0.0300
सराय
ECAD 119 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग Ear99 8541.21.0075 1
BTA316-800C,127 NXP USA Inc. BTA316-800C, 127 -
सराय
ECAD 6719 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 टू -220 एबी तंग Ear99 8541.30.0080 1 कसना ५० सदा तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ३५ सना हुआ
PMEG6020ELR/B115 NXP USA Inc. PMEG6020ELR/B115 -
सराय
ECAD 3801 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर PMEG6020 तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0080 3,000
BF1100WR,115 NXP USA Inc. BF1100WR, 115 -
सराय
ECAD 6703 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 14 वी सतह rurcur SC-82A, SOT-343 BF110 800MHz MOSFET CMPAK-4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - - 2 डीबी 9 वी
PDZ6.8B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ6.8B/ZL115 -
सराय
ECAD 6779 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 3,000
MRF6S19140HR3 NXP USA Inc. MRF6S19140HR3 -
सराय
ECAD 5183 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 68 वी अँगुला एसओटी -957 ए Mrf6 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS NI-880H-2L तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.15 ए 29W 16 डीबी - 28 वी
PH1875L,115 NXP USA Inc. PH1875L, 115 -
सराय
ECAD 2801 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -100, एसओटी -669 PH18 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LFPAK56, SANAHAR-‘8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,500 n- चैनल 75 वी 45.8 ए (टीसी टीसी) 4.5V, 10V 16.5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 1ma 33.4 ranak @ 5 वी ± 15V 2600 पीएफ @ 25 वी - 62.5W (टीसी)
PSMN057-200P,127 NXP USA Inc. PSMN057-200p, 127 1.4600
सराय
ECAD 4 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर Psmn0 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000
PDTD114EU135 NXP USA Inc. PDTD114EU135 0.0400
सराय
ECAD 30 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.21.0075 10,000
BF998R,215 NXP USA Inc. BF998R, 215 -
सराय
ECAD 7525 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 12 वी सतह rurcur एसओटी -143R BF998 200MHz MOSFET एसओटी -143R तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - - 0.6DB 8 वी
BT131-800D,112 NXP USA Inc. BT131-800D, 112 0.1200
सराय
ECAD 10 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) से 92-3 तंग Ear99 8541.30.0080 2,404 कसना ५ सदाचार सराफक 800 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए ३ तंग
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T18H410-24SR6 -
सराय
ECAD 7044 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी अँगुला NI-1230-4LS2L A2T18 1.81GHz LDMOS NI-1230-4LS2L तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम 935323767128 Ear99 8541.29.0075 150 एक प्रकार का - 800 सना हुआ 71W 17.4db - 28 वी
PMDPB28UN,115 NXP USA Inc. PMDPB28UN, 115 -
सराय
ECAD 4161 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-udfn ने पैड को को ranahar rab पीएमडीपीबी मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 510MW 6-((2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 4.6 ए 37MOHM @ 4.6A, 4.5V 1V @ 250µA 4.7NC @ 4.5V 265pf @ 10v सराय -स
BUK7Y6R0-60EX NXP USA Inc. Buk7y6r0-60ex -
सराय
ECAD 7606 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री थोक शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -100, एसओटी -669 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LFPAK56, SANAHAR-‘8 तंग 0000.00.0000 1 n- चैनल 60 वी 100 ए (टीसी) 10V 6mohm @ 25a, 10v 4V @ 1MA 45.4 vapak @ 10 वी ± 20 वी 4021 पीएफ @ 25 वी - 195W (टीसी टीसी)
PMF63UN,115 NXP USA Inc. PMF63UN, 115 -
सराय
ECAD 8604 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 PMF63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.8V, 4.5V 74MOHM @ 1.8A, 4.5V 1V @ 250µA ३.३ सदा ± 8V 185 पीएफ @ 10 वी - 275MW (TA), 1.785W (TC)
ACTT4X-800C,127 NXP USA Inc. ACTT4X-800C, 127 0.3000
सराय
ECAD 2 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक To-220f तंग Ear99 8541.30.0080 995 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 4 ए 1 वी 35 ए, 39 ए ३५ सना हुआ
PHK12NQ10T,518 NXP USA Inc. PHK12NQ10T, 518 -
सराय
ECAD 3680 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) PHK12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8- तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 11.6 ए (टीसी) 10V 28MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 35 सना ± 20 वी 1965 पीएफ @ 25 वी - 8.9w (टीसी)
BUK7E1R6-30E,127 NXP USA Inc. BUK7E1R6-30E, 127 -
सराय
ECAD 8847 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa Buk7 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 30 वी 120 ए (टीसी) 10V 1.6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 154 सना ± 20 वी 11960 पीएफ @ 25 वी - 349W (टीसी)
MRF7S15100HSR3 NXP USA Inc. MRF7S15100HSR3 -
सराय
ECAD 5839 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी अँगुला NI-780S MRF7 1.51GHz LDMOS NI-780S तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम 935317045128 Ear99 8541.29.0075 250 - ६०० सना हुआ 23W 19.5db - 28 वी
AFT18S230-12NR3 NXP USA Inc. AFT18S230-12NR3 -
सराय
ECAD 3805 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी अँगुला OM-780-2L2L Aft18 1.88GHz LDMOS OM-780-2L2L तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 935312781528 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 ए 50W 17.6db - 28 वी
MRF6S19100MR1 NXP USA Inc. MRF6S19100MR1 -
सराय
ECAD 9469 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 68 वी To-270-4 Mrf6 1.99GHZ LDMOS TO-270 WB-4 तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0075 500 - 950 एमए २२ सन्निक 14.5db - 28 वी
2N7000,126 NXP USA Inc. 2N7000,126 -
सराय
ECAD 8714 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) 2N70 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 92-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 300ma (टीसी) 4.5V, 10V 5OHM @ 500mA, 10V 2V @ 1ma ± 30V 40 पीएफ @ 10 वी - 830MW (TA)
BF909,215 NXP USA Inc. BF909,215 -
सराय
ECAD 8738 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 7 वी सतह rurcur TO-253-4, TO-253AA BF909 800MHz MOSFET एसओटी -143 बी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 40ma 15 सना हुआ - - 2 डीबी 5 वी
BLC8G27LS-140AV518 NXP USA Inc. BLC8G27LS-140AV518 1.0000
सराय
ECAD 2 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.29.0075 100
MRF6S21190HR3 NXP USA Inc. MRF6S21190HR3 -
सराय
ECAD 6484 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 68 वी अँगुला एसओटी -957 ए Mrf6 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-880H-2L तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 ए 54W 16 डीबी - 28 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम