SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सींग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) तंग तमाम Q @ vr, f
RB521S30,115 NXP Semiconductors RB521S30,115 -
सराय
ECAD 6894 0.00000000 शिरक - थोक शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky एस एस -523 तंग 1 (असीमित) तमाम 2156-RB521S30,115-954 1 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 25pf @ 1V, 1MHz
BZV55-C2V4,115 NXP Semiconductors BZV5555-C2V4,115 0.0200
सराय
ECAD 5308 0.00000000 शिरक - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग Llds; एक प्रकार का होना तंग तमाम 2156-BZV55-C2V4,115-954 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
PZU20B,115 NXP Semiconductors PZU20B, 115 0.0300
सराय
ECAD 19 0.00000000 शिरक - थोक शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ३१० सभा Sod -323f - रोहस सराय 2156-PZU20B, 115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 100 एमए 50 सना 19.97 वी 20 ओम
MRFX1K80H-230MHZ NXP Semiconductors MRFX1K80H-230MHz 1.0000
सराय
ECAD 1 0.00000000 शिरक - थोक शिर 179 वी अँगुला एसओटी -979 ए 1.8MHz ~ 400MHz LDMOS NI-1230-4H तंग रोहस तमाम 2156-MRFX1K80H-230MHz Ear99 8541.29.0075 1 एक प्रकार का 100ma 1.5 ए 1800W 25.1db - 65 वी
MRFE6VP8600HR5 NXP Semiconductors MRFE6VP8600HR5 311.0600
सराय
ECAD 640 0.00000000 शिरक - थोक शिर 130 वी अँगुला NI-1230 470MHz ~ 860MHz LDMOS NI-1230 तंग रोहस सराय 2156-MRFE6VP8600HR5 Ear99 8541.29.0075 1 सियार, तमाम 20μA 1.4 ए 600W 19.3db - 50 वी
PDTB114ETR NXP Semiconductors PDTB114ETR 0.0300
सराय
ECAD 7334 0.00000000 शिरक - थोक शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB114 ३२० तंग टू -236 एबी तंग रोहस सराय 2156-PDTB114ETR Ear99 8541.21.0075 6,000 50 वी ५०० सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 100mv @ 2.5ma, 50mA 70 @ 50MA, 5V १४० सराय 10 कांपो 10 कांपो
MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors MRF6VP11KGSR5 271.3200
सराय
ECAD 2 0.00000000 शिरक - थोक शिर 110 वी सतह rurcur NI-1230-4S GW 1.8MHz ~ 150MHz Ldmos (rurी) NI-1230-4S GULL - 2156-MRF6VP11KGSR5 2 2 एन-चैनल 100μA १५० सना हुआ 1000 सराय 26db @ 130MHz - 50 वी
BB208-03,135 NXP Semiconductors BB208-03,135 -
सराय
ECAD 1101 0.00000000 शिरक - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 Sod -323 - 2156-BB208-03,135 1 5.4pf @ 7.5V, 1MHz कसना 10 वी 5.2 C1/C7.5 -
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors MRFX600HSR5 138.9000
सराय
ECAD 9931 0.00000000 शिरक - थोक शिर 179 वी सतह rurcur NI-780S-4L 1.8MHz ~ 400MHz Ldmos (rurी) NI-780S-4L - 2156-MRFX600HSR5 2 2 एन-चैनल 10μA 100 सवार 600W 26.4db @ 230MHz - 65 वी
TD780N18KOFHPSA1 NXP Semiconductors TD780N18KOFHPSA1 377.9300
सराय
ECAD 2 0.00000000 शिरक - थोक शिर 135 अरायस, (टीजे) अँगुला कांपना अफ़रप - 2156-TD780N18KOFHPSA1 1 ३०० सना हुआ 1.8 के.वी. 1050 ए 2 वी 23500A २५० सना हुआ 775 ए
PMXB75UPE/S500Z NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z -
सराय
ECAD 4745 0.00000000 शिरक - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-XDFN SATHARY मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक DFN1010D-3 - 2156-PMXB75UPE/S500Z 1 पी-पी 20 वी 2.9 ए (टीए) 1.2V, 4.5V 85MOHM @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA 12 सना हुआ @ 4.5 वी ± 8V 608 पीएफ @ 10 वी - 317MW (TA), 8.33W (TC)
PQMH13147 NXP Semiconductors PQMH13147 -
सराय
ECAD 2526 0.00000000 शिरक - थोक शिर - 2156-PQMH13147 1
PMEG6030ETPX NXP Semiconductors PMEG6030ETPX -
सराय
ECAD 2481 0.00000000 शिरक - थोक शिर सतह rurcur सोद -128 schottky SOD-128/CFP5 - 2156-PMEG6030ETPX 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 3 ए 12 एनएस 200 @a @ 60 V 175 ° C 3 ए 360pf @ 1V, 1MHz
BB156,135 NXP Semiconductors BB156,135 -
सराय
ECAD 1505 0.00000000 शिरक - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 Sod -323 - 2156-BB156,135 1 5.4pf @ 7.5V, 1MHz कसना 10 वी 3.9 C1/C7.5 -
MMRF5014HR5 NXP Semiconductors MMRF5014HR5 523.3200
सराय
ECAD 17 0.00000000 शिरक - थोक शिर 125 वी अँगुला NI-360H-2SB 1MHz ~ 2.7GHz n- चैनल NI-360H-2SB - 2156-MMRF5014HR5 1 n- चैनल 5ma 350 125W 18db @ 2.5GHz - 50 वी
PZU18B1,115 NXP Semiconductors PZU18B1,115 -
सराय
ECAD 5728 0.00000000 शिरक सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ३१० सभा एससी -90 - रोहस सराय 2156-PZU18B1,115-954 1 1.1 वी @ 100 एमए 50 सना 18 वी 20 ओम
BZT52H-C47,115 NXP Semiconductors BZT52H-C47,115 -
सराय
ECAD 8661 0.00000000 शिरक BZT52H थोक शिर ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F 375 अफ़स्या सोद -123F - रोहस सराय 2156-BZT52H-C47,115-954 1 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ३२.९ 47 वी 90 ओम
PDZ27BGWX NXP Semiconductors PDZ27BGWX -
सराय
ECAD 4669 0.00000000 शिरक ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZ-GW थोक शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३६५ सदा सोद -123 - रोहस सराय 2156-PDZ27BGWX-954 1 1.1 वी @ 100 एमए 50 सना 27 वी 40 ओम
BAV20,143 NXP Semiconductors BAV20,143 -
सराय
ECAD 6288 0.00000000 शिरक - थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT तमाम Alf2 - रोहस सराय 2156-BAV20,143-954 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 gay @ 150 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 5pf @ 0v, 1MHz
BZX84-B20,215 NXP Semiconductors BZX84-B20,215 -
सराय
ECAD 1267 0.00000000 शिरक BZX84 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग टू -236 एबी - रोहस सराय 2156-BZX84-B20,215-954 1 900 एमवी @ 10 एमए ५० सटीक @ १४ 20 वी 55 ओम
BZX84J-C11,115 NXP Semiconductors BZX84J-C11,115 -
सराय
ECAD 3413 0.00000000 शिरक सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५५० तंग एससी -90 - रोहस सराय 2156-BZX84J-C11,115-954 1 1.1 वी @ 100 एमए 100 gapa @ 8 वी 11 वी 10 ओम
BZX79-B20133 NXP Semiconductors BZX79-B20133 -
सराय
ECAD 6562 0.00000000 शिरक BZX79 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ४०० तंग Alf2 - रोहस सराय 2156-BZX79-B20133-954 1 900 एमवी @ 10 एमए ५० सटीक @ १४ 20 वी 55 ओम
BZV49-C39,115 NXP Semiconductors BZV49-C39,115 -
सराय
ECAD 7119 0.00000000 शिरक BZV49 थोक शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 1 डब SOT-89 - रोहस सराय 2156-BZV49-C39,115-954 1 1 वी @ 50 सना हुआ ५० सदाबहार @ २ २३। 39 वी 130 ओम
BZT52-C33X NXP Semiconductors BZT52-C33X -
सराय
ECAD 9569 0.00000000 शिरक ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 थोक शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३५० तंग सोद -123 - रोहस सराय 2156-BZT52-C33X-954 1 900 एमवी @ 10 एमए 50 सना 33 वी 40 ओम
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors PDTC144EM, 315 -
सराय
ECAD 1783 0.00000000 शिरक सियार, AEC-Q101 थोक शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 २५० तंग DFN1006-3 - रोहस सराय 2156-PDTC144EM, 315-954 1 50 वी 100 सवार 1 एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 10MA 80 @ 5MA, 5V २३० सराय 47 47
PDTA114EE,115 NXP Semiconductors PDTA114EE, 115 -
सराय
ECAD 9293 0.00000000 शिरक * थोक शिर - रोहस सराय 2156-PDTA114EE, 115-954 1
BZT52H-B36,115 NXP Semiconductors BZT52H-B36,115 -
सराय
ECAD 4246 0.00000000 शिरक BZT52H थोक शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F 375 अफ़स्या सोद -123F - रोहस सराय 2156-BZT52H-B36,115-954 1 900 एमवी @ 10 एमए 50 सना 36 वी 60 ओम
BZB84-B9V1,215 NXP Semiconductors BZB84-B9V1,215 -
सराय
ECAD 6918 0.00000000 शिरक सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग टू -236 एबी - रोहस सराय 2156-BZB84-B9V1,215-954 1 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
BZT52H-C3V6,115 NXP Semiconductors BZT52H-C3V6,115 -
सराय
ECAD 5971 0.00000000 शिरक सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) सतह rurcur सोद -123F BZT52 375 अफ़स्या सोद -123F तंग 1 (असीमित) तमाम 2156-BZT52H-C3V6,115-954 1 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 95 ओम
BZV49-C3V0,115 NXP Semiconductors BZV49-C3V0,115 0.1700
सराय
ECAD 5 0.00000000 शिरक - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur To-243aa 1 डब SOT-89 तंग 1 (असीमित) तमाम 2156-BZV49-C3V0,115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1 वी @ 50 सना हुआ 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम