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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) अफ़स्या
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
सराय
 ECAD 5858 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8031 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 13.3mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना 2150 पीएफ @ 10 वी - -
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL (TE85L, F) 0.5900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK880 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 13pf @ 10v 50 वी 6 सना हुआ @ 10 वी 1.5 वी @ 100 सवार
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W, S1VQ -
सराय
 ECAD 7901 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TK16C60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL, LQ 0.6600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TP89R103 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 15 ए (टीसी) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 7.5a, 10v 2.3V @ 100 @a ९। ± 20 वी 820 पीएफ @ 15 वी - 1W (टीसी टीसी)
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी १.२ सदा 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W, S1Q 1.7200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK8Q65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 650 वी 7.8 ए (टीए टीए) 10V 670MOHM @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300µA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU, RF (डी ((((() -
सराय
 ECAD 1977 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग 1 (असीमित) SSM6N48FURF (डी) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma (TA) 3.2OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100 @a - 15.1pf @ 3V लॉजिक लेवल गेट गेट, 2.5V पचुर
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CBS05F30 schottky Cst2b - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 118pf @ 0v, 1MHz
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL, L1Q 0.8500
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH7R006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 60 ए (टीसी) 4.5V, 10V 13.5MOHM @ 10A, 4.5V 2.5V @ 200 @ २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1875 पीएफ @ 30 वी - 81W (टीसी)
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2511 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMG03 तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMG03 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 4384 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ16 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 11 वी 16 वी 30 ओम
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 7342 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ39 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 31.2 V 39 वी 35 ओम
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 4033 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A (TE85L, QM -
सराय
 ECAD 5115 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 Cus10i30 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS10I30A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 एमवी @ 700 एमए 60 @a @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 50pf @ 10v, 1MHz
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 239 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 250ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34 NC @ 4.5 V ± 10V 36 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL, RQ 1.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4R4P06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.4MOHM @ 29A, 10V 2.5V @ 500µA 48.2 ranau ± 20 वी 3280 पीएफ @ 30 वी - 87W (टीसी)
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316, H3F 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 Bas316 तमाम यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 एनएस 200 सवार @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 0.35pf @ 0v, 1MHz
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 9568 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 16 ए 270MOHM @ 8A, 10V - - -
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 5.5 ए (टीए () 10V 1.35OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - -
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1.4000
सराय
 ECAD 5114 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 6.5 ए (टीए) 10V 1.2OHM @ 3.3A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D (STA4, Q, M) 1.6000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 7 ए (टीए) 10V 1.25OHM @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 4801 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 3.1MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 87 सना ± 20 वी 4340 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H (TE85L, FM -
सराय
 ECAD 7556 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 5.9 ए (टीए () 4.5V, 10V 60MOHM @ 3A, 10V 2.3V @ 100 @a 4.8 ranah @ 10 वी ± 20 वी 300 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H, LQ (CM (CM (CM (CM) -
सराय
 ECAD 2139 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8062 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 18 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 9a, 10v 2.3V @ 300µA 34 सना ± 20 वी 2900 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H (TE12L, QM -
सराय
 ECAD 6243 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8A05 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 13.3MOHM @ 5A, 10V 2.3V @ 1MA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1700 पीएफ @ 10 वी अफ़र 1W (TA)
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1, S1X 1.0400
सराय
 ECAD 9091 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK40E06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 10V 10.4mohm @ 20a, 10v 4V @ 300µA 23 सना ± 20 वी 1700 पीएफ @ 30 वी - 67W (टीसी)
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U (Q, M) -
सराय
 ECAD 5107 0.00000000 तमाम DTMOSII थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK20A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 1MA 27 स्याह @ 10 वी ± 30V 1470 पीएफ @ 10 वी - 45W (टीसी)
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 (TE16L1, NQ) -
सराय
 ECAD 7676 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SJ610 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 250 वी 2 ए (टीए) 10V 2.55OHM @ 1A, 10V 3.5V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 381 पीएफ @ 10 वी - 20W (TA)
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2201 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Cry91 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 5.5 V 9.1 वी 30 ओम
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE (TE85L, F -
सराय
 ECAD 3596 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J206 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 4V 130MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA ± 8V 335 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
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