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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक - अधिकतम सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) तंग तमाम Q @ vr, f
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C, S1F 16.3200
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 40 ए (टीसी) 18V 65MOHM @ 20A, 18V 5V @ 1.6MA 41 सना +25v, -10v 1362 पीएफ @ 400 वी - 132W (टीसी)
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5, S5X 3.1400
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK17A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 230mohm @ 8.7a, 10v 4.5V @ 900µA ५० सदाबहार @ १० ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K345 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 33MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA ३.६ सदा ± 8V 410 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE, LF (सीटी ((((() 0.2500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1903 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 1153 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2111 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 4510 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TPW4R008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 116 ए (टीसी) 10V 4mohm @ 50a, 10v 4V @ 1MA ५ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 5300 पीएफ @ 40 वी - 800MW (TA), 142W (TC)
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279, H3F 0.4800
सराय
 ECAD 1082 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SV279 ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 6.5pf @ 10v, 1MHz कसना 15 वी 2.5 C2/C10 -
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
सराय
 ECAD 219 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2505 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y (T6CANOFM -
सराय
 ECAD 8697 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2655YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2966FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3228 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2966 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C, S1F 11.4500
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीसी) 18V 118MOHM @ 15a, 18v 5V @ 600 ATAA 28 स्याह @ 18 वी +25v, -10v 873 पीएफ @ 400 वी - 111W (टीसी)
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W, S1X 3.6100
सराय
 ECAD 4687 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK12E80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 11.5 ए (टीए) 10V 450MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 570µA 23 सना ± 20 वी 1400 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D (T6RSS-Q) 1.3400
सराय
 ECAD 4199 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK5P53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 525 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2607 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC, L1XHQ 2.1700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) XPH2R106 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 110 ए (टीए) 2.1MOHM @ 55A, 10V 2.5V @ 1MA 104 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 6900 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P (TE12L, F) 1.5493
सराय
 ECAD 7126 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 16 वी सतह rurcur To-243aa RFM04U6 470MHz MOSFET पीडबmun-मिनी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 2 ए ५०० सना हुआ 4.3W 13.3db - 6 वी
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 73 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1116 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 707 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS520 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 280 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 17pf @ 0v, 1MHz
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 8993 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8031 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 24 ए (टीए) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 3970 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ13 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 9 वी 13 वी 30 ओम
RN2316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2316 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 7556 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403, LF 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301, एलएफ 0.2100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS301 तमाम एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02FSTPL3 0.4600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) 2-फ, फmun लीड लीड JDH2S02 फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 10 सना हुआ 0.3pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - एकल 10V -
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LF 0.2200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X, S1F 11.2600
सराय
 ECAD 108 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK62N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 40mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 3.1MA 135 सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W, S1F 3.8600
सराय
 ECAD 7047 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK17N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 200mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900µA 45 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 2714 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK20S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 6v, 10v 14MOHM @ 10A, 10V 3V @ 1MA 18 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 820 पीएफ @ 10 वी - 38W (टीसी)
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