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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़सि ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A55DA (STA4, Q, M) 1.4900
सराय
 ECAD 8915 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 5.5 ए (टीए () 10V 1.48OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 500ma (TA), 330mA (TA) 630MOHM @ 200mA, 5V, 1.31OHM @ 100ma, 4.5V 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V, 1.2NC @ 4V 46pf @ 10v, 43pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2961 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T (TE85L) -
सराय
 ECAD 3763 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 4-फ, फmun लीड लीड HN2S03 schottky TESQ - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 20 वी 50mA 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y (T5L, F, T -
सराय
 ECAD 3498 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 795 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4607 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1334 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2711 200MW 5-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 400 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 7483 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK80S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.5MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 20 वी 4200 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F, S4X 1.0400
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K2A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 6 ए (टीए) 10V 1.2OHM @ 3A, 10V 4V @ 630µA 21 सना ± 30V 740 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 2650 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2101 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL, LQ 0.6800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN11003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 7.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 660 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 19W (TC)
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 5 ए 50mohm @ 2.5a, 4v 1.2V @ 200 @ 9.5NC @ 5V 780pf @ 10v सराय -स
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2115 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2308 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4903 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 1647 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6107 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.5 ए (टीए () 2V, 4.5V 55MOHM @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 200 @ ९। ± 12V 680 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2104 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR (TE85L, F -
सराय
 ECAD 3368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN3C51 300MW SM6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1610 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1, S1X 0.9400
सराय
 ECAD 6995 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK30E06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 43 ए (टीए) 10V 15mohm @ 15a, 10v 4V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1050 पीएफ @ 30 वी - 53W (टीसी)
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C, S1F 16.3200
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 40 ए (टीसी) 18V 65MOHM @ 20A, 18V 5V @ 1.6MA 41 सना +25v, -10v 1362 पीएफ @ 400 वी - 132W (टीसी)
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5, S5X 3.1400
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK17A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 230mohm @ 8.7a, 10v 4.5V @ 900µA ५० सदाबहार @ १० ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K345 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 33MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA ३.६ सदा ± 8V 410 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE, LF (सीटी ((((() 0.2500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1903 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (J) -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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