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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F, S4X 1.0400
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K2A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 6 ए (टीए) 10V 1.2OHM @ 3A, 10V 4V @ 630µA 21 सना ± 30V 740 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL, LQ 0.6800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN11003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 7.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 660 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 19W (TC)
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4903 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2101 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2308 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 1647 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6107 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.5 ए (टीए () 2V, 4.5V 55MOHM @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 200 @ ९। ± 12V 680 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 2650 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 5 ए 50mohm @ 2.5a, 4v 1.2V @ 200 @ 9.5NC @ 5V 780pf @ 10v सराय -स
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2115 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR (TE85L, F -
सराय
 ECAD 3368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN3C51 300MW SM6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2104 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 1153 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2111 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (J) -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y (T6CANOFM -
सराय
 ECAD 8697 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2655YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1965 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4983 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2146 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2306 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 (T5L, F, T) 0.0394
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4991 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms -
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FETE85LF 0.3800
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TA) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6L16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 100ma 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 9.3pf @ 3V -
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P (TE12L, F) 1.5493
सराय
 ECAD 7126 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 16 वी सतह rurcur To-243aa RFM04U6 470MHz MOSFET पीडबmun-मिनी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 2 ए ५०० सना हुआ 4.3W 13.3db - 6 वी
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 73 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1116 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 707 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS520 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 280 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 17pf @ 0v, 1MHz
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 3970 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ13 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 9 वी 13 वी 30 ओम
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 1132 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG02 तमाम एस-फ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH, L1Q 0.8800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN1600 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 17 ए (टीसी) 10V 16mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 200 @ 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1600 पीएफ @ 50 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
RN2316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2316 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 7556 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301, एलएफ 0.2100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS301 तमाम एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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