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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC4738-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-GR, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-75, SOT-416 १२० सवार एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2109 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 170 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1116 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H (TE85LFM -
सराय
 ECAD 4459 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8001 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 7.2 ए (टीए () 4.5V, 10V 16MOHM @ 3.6A, 10V 2.3V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 640 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA), 30W (टीसी)
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, एचएफईएफ (एम () -
सराय
 ECAD 4903 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1, S1X 2.4400
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK72E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 72 ए (टीए) 10V 4.3MOHM @ 36A, 10V 4V @ 1MA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5500 पीएफ @ 40 वी - 192W (टीसी)
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P (TE12L, F) 0.9900
सराय
 ECAD 66 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa MT3S113 1.6W पीडबmun-मिनी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1,000 10.5db 5.3v 100ma एनपीएन 200 @ 30MA, 5V 7.7ghz 1.45db @ 1GHz
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, HFEF (J (J) -
सराय
 ECAD 2472 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2317 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 962 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2317 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307, LF 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1307 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E, S5x -
सराय
 ECAD 2076 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीए) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 3926 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 36 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 18a, 10v 2.3V @ 1MA 35 सना ± 20 वी 1970 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
सराय
 ECAD 3597 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1930 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 500 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 49 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 2SC4207 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 the (rurी) rana जोड़ी, आम एमिट एमिट 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 710 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K318 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 107MOHM @ 2A, 10V 2.8V @ 1MA 7 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 235 पीएफ @ 30 वी - 1W (TA)
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516, H3F 0.1800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 Bas516 तमाम ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 एनएस 200 सवार @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 0.35pf @ 0v, 1MHz
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
सराय
 ECAD 3943 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 १५० तंग To-236 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1400ANH, L1Q 1.5000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1400 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 24 ए (टीसी) 10V 13.6mohm @ 12a, 10v 4V @ 300µA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1900 पीएफ @ 50 वी - 1.6W (TA), 48W (टीसी)
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
सराय
 ECAD 7205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1444 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय २.२ किलो
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 4053 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6113 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 55MOHM @ 2.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 10 एनसी @ 5 वी ± 12V 690 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 8069 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W, S1F 3.3800
सराय
 ECAD 8957 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK14N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
सराय
 ECAD 6971 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE, LF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1902 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 1kohms
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6cano, एम।, एम।, एम। -
सराय
 ECAD 9386 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 (T5L, F, T) 0.1400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (एम) -
सराय
 ECAD 9650 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LXHF 0.4600
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 10V 42MOHM @ 5A, 10V 1.2V @ 1MA 8.2 सना +6V, -12V 560 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

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