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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W, S5X 2.1100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 11.5 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH, L1Q 1.4700
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH7R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 22 ए (टीए) 10V 7.5mohm @ 11a, 10v 4V @ 300µA 31 सना ± 20 वी 2320 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 2576 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 22 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2500 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, क्यू (जे (जे) -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1930 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407, LF 0.7400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8407 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 690MW (TA) पीएस -8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TPCP8407LFCT Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 40V 5 ए (टीए), 4 ए (टीए () 36.3MOHM @ 2.5A, 10V, 56.8MOHM @ 2A, 10V 3V @ 1MA 11.8NC @ 10V, 18NC @ 10V 505pf @ 10v, 810pf @ 10V -
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 8734 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8A02 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 34 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 17A, 10V 2.3V @ 1MA 36 सना ± 20 वी 3430 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J358 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 8V 22.1mohm @ 6a, 8v 1V @ 1MA 38.5 सना ± 10V 1331 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LF 0.2100
सराय
 ECAD 4409 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL, LQ 0.8500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH8R903 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 20 ए (टीसी) 10V 8.9mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 1MA ९। ± 20 वी 820 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 24W (टीसी)
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 4612 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705, LF 0.3000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1705 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1932 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2964 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q 1.6200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH2010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 250 वी 5.6 ए (टीए () 10V 198MOHM @ 2.8A, 10V 4V @ 200 @ 7 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 100 वी - 1.6W (TA), 42W (टीसी)
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A (TE85L, QM 0.4700
सराय
 ECAD 3740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS10I40 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 एमवी @ 700 एमए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 35pf @ 10v, 1MHz
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703, LF 0.2900
सराय
 ECAD 5173 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2703 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA RN2910 200MW कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2103 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A (TE12L, QM 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS30 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए 62pf @ 10v, 1MHz
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0.1485
सराय
 ECAD 6796 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1C03 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J (TE85L, F) 0.6100
सराय
 ECAD 6062 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4B102 750MW एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 30V 1.8 ए, 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 140MV @ 20MA, 600mA / 200MV @ 20MA, 600MA 200 @ 200mA, 2V -
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 1132 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG02 तमाम एस-फ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU (TE85L) -
सराय
 ECAD 2541 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, MT3S20 900MW यूएफएम - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 12DB 12v 80MA एनपीएन 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45db @ 20MA, 5V
CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS521, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS521 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 26pf @ 0v, 1MHz
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT (TPL3) 0.3400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2109 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH, LQ 0.9000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN30008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 80 वी 9.6 ए (टीसी) 10V 30mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 100 @a 11 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 920 पीएफ @ 40 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y, T2F (J (J) -
सराय
 ECAD 5109 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1425 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LF 0.2800
सराय
 ECAD 7429 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06 (TE16L, Q) -
सराय
 ECAD 9941 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLH06 तमाम एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 35 एनएस - 5 ए -
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6368 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8110 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 8 ए (टीए) 4V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 2V @ 1ma 48 सना ± 20 वी 2180 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS319 (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA 1SS319 schottky एससी -61 बी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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