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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X, S1F 5.9700
सराय
 ECAD 9517 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK31N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A, LF 0.4000
सराय
 ECAD 78 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 १५० तंग To-236 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, lect (जे (जे ((() -
सराय
 ECAD 9035 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SB1495 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20C60W, S1VQ -
सराय
 ECAD 8691 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TK20C60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 155mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 सना ± 30V 1680 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R, LF 0.5100
सराय
 ECAD 2947 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K824 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 33MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA ३.६ सदा ± 8V 410 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (एम) -
सराय
 ECAD 7133 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6139 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 160 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50MA, 500mA 140 @ 100ma, 5v 100MHz
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5085-y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3125 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 11db ~ 16.5db 12v 80MA एनपीएन 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1GHz
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A (TE12L, QM 0.5900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS30 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 3 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए 82pf @ 10v, 1MHz
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2110 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V ४.7
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LXHF (सीटी) 0.3600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LF 0.2100
सराय
 ECAD 4409 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TRS4A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4A65F, S1Q 2.3700
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS4A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 16PF @ 650V, 1MHz
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6824 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1117 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1111 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 3926 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 36 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 18a, 10v 2.3V @ 1MA 35 सना ± 20 वी 1970 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6P54 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 1.2 ए (टीए) 228MOHM @ 600mA, 2.5V 1V @ 1MA 7.7NC @ 4V 331pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-GR, LF (डी (() -
सराय
 ECAD 6832 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) 2SA1162S-GRLF (डी) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL, RQ 1.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4R4P06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.4MOHM @ 29A, 10V 2.5V @ 500µA 48.2 ranau ± 20 वी 3280 पीएफ @ 30 वी - 87W (टीसी)
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU, LF 0.1800
सराय
 ECAD 33 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 170ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT (TPL3) 0.0571
सराय
 ECAD 2573 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q 0.8200
सराय
 ECAD 3350 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 23 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10v 2V @ 500µA 76 सना +20V, -25V 3240 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE, LF 0.4200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 150MW (TA) Es6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.4OHM @ 150MA, 4.5V 1V @ 100 ।a - 42pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LF 0.1800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1301 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV, L3F 0.2500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 8.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D, S1X (s 2.2900
सराय
 ECAD 4902 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK13E25 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 250 वी 13 ए (टीए) 10V 250mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1100 पीएफ @ 100 वी - 102W (टीसी)
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6CANOFM -
सराय
 ECAD 1780 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2235YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sk2962, t6wnlf (m) -
सराय
 ECAD 5951 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385, सीटी ((((((((() 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 1SS385 schottky एसएसएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 20pf @ 0v, 1MHz
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H, LQ -
सराय
 ECAD 6012 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8228 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 8-सेप तंग 264-TPC8228-HLQTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 60V 3.8A 57MOHM @ 1.9A, 10V 2.3V @ 100 @a 11nc @ 10v 640pf @ 10v -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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