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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 8190 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2109 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 53 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 8ohm @ 50ma, 4v - 12.2 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 3437 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS389 schottky ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 40pf @ 0v, 1MHz
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (एम) -
सराय
 ECAD 7133 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6139 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 160 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50MA, 500mA 140 @ 100ma, 5v 100MHz
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F60, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 590 mV @ 2 ए 70 µA @ 60 V 150 ° C 2 ए 300pf @ 0v, 1MHz
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 8069 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W, S1F 3.3800
सराय
 ECAD 8957 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK14N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
सराय
 ECAD 6971 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE, LF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1902 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 1kohms
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 (T5L, F, T) 0.1400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LXHF 0.4600
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 10V 42MOHM @ 5A, 10V 1.2V @ 1MA 8.2 सना +6V, -12V 560 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0.5300
सराय
 ECAD 4497 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS09 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क 70pf @ 10v, 1MHz
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8074 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1954 100 तंग एससी -70 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 12 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10MA, 200ma 300 @ 10MA, 2V 130MHz
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2713 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 47KOHMS -
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 5354 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1968 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2106 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
1SS302A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302A, LF 0.2200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS302 तमाम एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी -55 ° C ~ 150 ° C
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2605 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2605 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6APNF (M) -
सराय
 ECAD 3058 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z, S1F 11.2700
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK040N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 57 ए (टीए) 10V 40mohm @ 28.5a, 10v 4V @ 2.85ma 105 सना ± 30V 6250 पीएफ @ 300 वी - 360W (टीसी)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5, LQ 5.0300
सराय
 ECAD 8257 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 150mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 1.2MA 60 सना ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y, RQ 1.7400
सराय
 ECAD 1946 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK290P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीसी) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 730 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 6910 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1101 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2511 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMG03 तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMG03 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2101 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y, t6kehf (m) -
सराय
 ECAD 1327 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 63 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS367 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 40pf @ 0v, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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