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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8004 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 6792 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8004 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 8.3 ए (टीए टीए) 4.5V, 10V 8.5MOHM @ 4.2A, 10V 2.5V @ 1MA 26 सना ± 20 वी 1270 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA)
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y, LF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 100ma, 1v 200MHz
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6WNLF (J) -
सराय
 ECAD 2798 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SA1020 -yt6wnlf (j (j (j (j (j) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10 (TE12L, Q, M) 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS10 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 10v, 1MHz
SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU, LXHF 0.5900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D03 तमाम US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी सीए + सीसी 80 वी 80MA 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 3367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8023 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 21 ए (टीए) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J133 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.5 ए (टीए () 1.5V, 4.5V 29.8MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी ± 8V 840 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1102ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 6140 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1102 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z, S1F 6.3200
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6824 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1117 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-y (एफ) -
सराय
 ECAD 9090 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2406 २ -कण To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 80 वी 4 ए 30 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 300MA, 3 ए 120 @ 500mA, 5V 8MHz
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa1244-y (कtun) -
सराय
 ECAD 1152 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SA1244 1 डब पीडब-k-मोल - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 150ma, 3 ए 120 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 6650 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5, S1Q -
सराय
 ECAD 2691 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TK14C65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6cano, एम।, एम।, एम। -
सराय
 ECAD 9386 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K309T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1396 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K309 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 4.7 ए (टीए टीए) 1.8V, 4V 31MOHM @ 4A, 4V - ± 12V 1020 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV, L3F 0.4500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (MBSH1, FM -
सराय
 ECAD 5908 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SA1428-O,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2WNLF (J) -
सराय
 ECAD 6056 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603 (TE85L, F) 0.3800
सराय
 ECAD 7481 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4603 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1107 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB, S1Q 6.4400
सराय
 ECAD 9973 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS20N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - 1 (असीमित) 264-TRS20N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 10 ए (डीसी) 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 (T5L, F, T) 0.2800
सराय
 ECAD 727 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2104 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1306 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV (TL3, T) 0.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1131 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 100 कांप
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 250ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.4OHM @ 150MA, 4.5V 1V @ 100 ।a ± 10V 42 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Matudq (J (J) -
सराय
 ECAD 1872 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6086 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 47KOHMS
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 (TE85L, F) 0.0753
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1973 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V - 47KOHMS -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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