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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम Raurautum की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D, S5X 1.7900
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 200 वी 25 ए (टीए) 10V 70mohm @ 12.5a, 10v 3.5V @ 1MA 60 सना ± 20 वी 2550 पीएफ @ 100 वी - 45W (टीसी)
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W, S5X 2.1100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 11.5 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65x5, LQ 5.6600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 22 ए (टीए) 10V 170mohm @ 11a, 10v 4.5V @ 1.1MA ५० सदाबहार @ १० ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RRRR21 (STA1, ई 3.6500
सराय
 ECAD 1369 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT40RR21 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 एनएस - 1200 वी 40 ए 200 ए 2.8V @ 15V, 40a -, 540) जे (ऑफ) -
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU (TE85L, F) 0.3700
सराय
 ECAD 9188 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-70, SOT-323 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 8OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 11 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S60, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 2 ए 650 @a @ 60 V 150 ° C 2 ए 290pf @ 0v, 1MHz
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J (TE85L, F) 0.6100
सराय
 ECAD 6062 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4B102 750MW एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 30V 1.8 ए, 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 140MV @ 20MA, 600mA / 200MV @ 20MA, 600MA 200 @ 200mA, 2V -
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407, LF 0.7400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8407 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 690MW (TA) पीएस -8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TPCP8407LFCT Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 40V 5 ए (टीए), 4 ए (टीए () 36.3MOHM @ 2.5A, 10V, 56.8MOHM @ 2A, 10V 3V @ 1MA 11.8NC @ 10V, 18NC @ 10V 505pf @ 10v, 810pf @ 10V -
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL, L1Q 0.8500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 40 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11.5MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 24 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 1855 पीएफ @ 50 वी - 630MW (TA), 104W (TC)
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W, LQ 3.4800
सराय
 ECAD 2719 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 280mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O (S1, F 3.0100
सराय
 ECAD 21 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 150 से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 55 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21 (STA1, E, S) 4.7900
सराय
 ECAD 6501 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT50JR21 (STA1ES) Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2V @ 15V, 50 ए - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W, RQ 1.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 5.2 ए (टीए () 10V 1.22OHM @ 2.6A, 10V 3.5V @ 170µA 10.5 सना ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK09999V65Z, LQ 5.5600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK099V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 99MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L, LXHQ 0.9400
सराय
 ECAD 34 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ20S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 20 ए (टीए) 6v, 10v 22.2MOHM @ 10A, 10V 3V @ 1MA 37 सना +10V, -20V 1850 पीएफ @ 10 वी - 41W (टीसी)
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LXHQ 1.0700
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 18MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 200 @ 26 सना ± 20 वी 1650 पीएफ @ 10 वी - 88.2W (टीसी)
TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB, LXGQ 2.7300
सराय
 ECAD 885 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK1R4F04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 160 ए (टीए) 6v, 10v 1.9MOHM @ 80A, 6V 3V @ 500 @ 103 सनाह ± 20 वी 5500 पीएफ @ 10 वी - 205W (टीसी)
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC, L1XHQ 1.2500
सराय
 ECAD 9396 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN7R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.1mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 200 @ 21 सना ± 20 वी 1290 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 65W (TC)
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS12A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 44pf @ 650V, 1MHz
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q 3.6600
सराय
 ECAD 139 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS8A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 28PF @ 650V, 1MHz
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
सराय
 ECAD 51 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N17FU (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N17 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 50 वी 100ma (TA) 20ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1 @a - 7PF @ 3V -
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT, L3F 0.3200
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 180ma (TA) 1.2V, 4V 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA ± 10V 9.5 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708, LF 0.3100
सराय
 ECAD 1502 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2708 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LF 0.1800
सराय
 ECAD 7742 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SA2154 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SC6026 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 60MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, एलएफ 0.5300
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6100 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 140mv @ 20ma, 1a 400 @ 300mA, 2V -
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 3853 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6P40 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 1.4 ए (टीए) 226MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 2.9NC @ 10V 120pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
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