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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ) अफ़स्या
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0.5300
सराय
 ECAD 4497 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS09 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क 70pf @ 10v, 1MHz
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2908 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424 (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v २०० सराय 10 कांपो 10 कांपो
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LF 0.2600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1302 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B, S4X (s -
सराय
 ECAD 3496 0.00000000 तमाम * नली शिर TTD1415 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042, T2WNLQ (J (J) -
सराय
 ECAD 6294 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6042 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 375 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 800ma 100 @ 100ma, 5v -
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5, S1VF 11.3800
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 45MOHM @ 30.9a, 10V 4.5V @ 3.1MA २०५ सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2110 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V ४.7
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी १.२ सदा 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1111 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5085-y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3125 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 11db ~ 16.5db 12v 80MA एनपीएन 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1GHz
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y, S4X 1.5300
सराय
 ECAD 1059 0.00000000 तमाम DTMOSV नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK560A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 30W
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W, S1X 3.6100
सराय
 ECAD 4687 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK12E80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 11.5 ए (टीए) 10V 450MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 570µA 23 सना ± 20 वी 1400 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 123 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6J501 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 10 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 15.3MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA 29.9 ranak @ 4.5 वी ± 8V 2600 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 (T5L, F, T) 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2301 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y (TPL3) -
सराय
 ECAD 5156 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 2SA2154 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK14A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45D (STA4, Q, M) 3.0300
सराय
 ECAD 4530 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK14A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 14 ए 340MOHM @ 7A, 10V - - -
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2708 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 4142 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 21 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.9MOHM @ 10.5a, 10v 2.3V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1900 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 9067 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2113 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W, S4VX 1.9200
सराय
 ECAD 1040 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1, NV) 0.6300
सराय
 ECAD 7769 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SC6076 १० सन्निक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, BOSCHQ (J (J) -
सराय
 ECAD 2292 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1334 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2711 200MW 5-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 400 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa965-y, f (j (j (j (j (j (j -
सराय
 ECAD 3433 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6KEHF (एम) -
सराय
 ECAD 1707 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE, LF (सीटी ((((() 0.2800
सराय
 ECAD 70 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4984 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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