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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईसी, आईसी, आईसी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 49 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 2SC4207 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 the (rurी) rana जोड़ी, आम एमिट एमिट 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC3665-Y(T2NSW,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y (T2NSW, FM -
सराय
 ECAD 1068 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3665 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
CMG07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG07 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 8148 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMG07 तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMG07 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 100 एनएस - 1 क -
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q 0.8200
सराय
 ECAD 3350 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 23 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10v 2V @ 500µA 76 सना +20V, -25V 3240 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U (TE85L, O, F 0.6800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-82A, SOT-343 MT4S300 250MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 16.9db 4V 50mA एनपीएन 200 @ 10MA, 3V 26.5GHz 0.55db @ 2GHz
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL, LQ 1.2000
सराय
 ECAD 9118 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 45 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 2.8MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 500µA 73 सनाह @ 10 वी ± 20 वी 5175 पीएफ @ 22.5 वी - 830MW (TA), 116W (TC)
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6MURAF (J) -
सराय
 ECAD 3172 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5201 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 600 वी ५० सदा 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20ma, 5v -
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6FJT, AF -
सराय
 ECAD 7274 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 (T5L, F, T) 0.1400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F60, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 590 mV @ 2 ए 70 µA @ 60 V 150 ° C 2 ए 300pf @ 0v, 1MHz
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1411 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409, LF 0.1900
सराय
 ECAD 9037 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 4033 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2713 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 47KOHMS -
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 5999 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1113 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V 47
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV, L3XHF 0.3900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 800ma (TA) 1.2V, 4.5V 390MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 1.6 सना +6v, -8v 100 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J133 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.5 ए (टीए () 1.5V, 4.5V 29.8MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी ± 8V 840 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL, LQ 0.8500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH8R903 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 20 ए (टीसी) 10V 8.9mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 1MA ९। ± 20 वी 820 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 24W (टीसी)
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LF 0.2200
सराय
 ECAD 5946 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1311 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W, S1Q 1.7200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK8Q65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 650 वी 7.8 ए (टीए टीए) 10V 670MOHM @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300µA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 9568 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 16 ए 270MOHM @ 8A, 10V - - -
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1.4000
सराय
 ECAD 5114 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 6.5 ए (टीए) 10V 1.2OHM @ 3.3A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D (STA4, Q, M) 1.6000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 7 ए (टीए) 10V 1.25OHM @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H (TE12L, QM -
सराय
 ECAD 6243 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8A05 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 13.3MOHM @ 5A, 10V 2.3V @ 1MA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1700 पीएफ @ 10 वी अफ़र 1W (TA)
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K516 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 46MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 2.5 सना +20V, -12V 280 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 4801 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 3.1MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 87 सना ± 20 वी 4340 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 5.5 ए (टीए () 10V 1.35OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - -
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
सराय
 ECAD 1671 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10I40 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS10I40A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 एमवी @ 700 एमए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 35pf @ 10v, 1MHz
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 (एफ, एम) -
सराय
 ECAD 5165 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1680 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 120 @ 100ma, 2v 100MHz
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40, L3F 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 CBS10F40 schottky Cst2b तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 700 एमवी @ 1 ए 20 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 74pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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