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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C, S1F 16.3200
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 40 ए (टीसी) 18V 65MOHM @ 20A, 18V 5V @ 1.6MA 41 सना +25v, -10v 1362 पीएफ @ 400 वी - 132W (टीसी)
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 9297 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, BOSCHQ (J (J) -
सराय
 ECAD 2292 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414, LF 0.1900
सराय
 ECAD 4137 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES520, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 CES520 schottky ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 600 एमवी @ 200 एमए 5 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 17pf @ 0v, 1MHz
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, SWFF (एम। एम। -
सराय
 ECAD 8844 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 7756 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR1, AF -
सराय
 ECAD 8896 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG, C, EL -
सराय
 ECAD 4777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) ULN2803 1.31W 18-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1,000 50 वी 500ma - 8 सराय 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU (TE85L) -
सराय
 ECAD 2541 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, MT3S20 900MW यूएफएम - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 12DB 12v 80MA एनपीएन 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45db @ 20MA, 5V
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30, H3F 0.3700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड CUHS20 schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 410 mV @ 2 ए 500 @a @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 390pf @ 0v, 1MHz
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5, S1VF 11.3800
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 45MOHM @ 30.9a, 10V 4.5V @ 3.1MA २०५ सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z, S1F 6.3200
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B, S4X (s -
सराय
 ECAD 3496 0.00000000 तमाम * नली शिर TTD1415 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Matudq (J (J) -
सराय
 ECAD 1872 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL, LQ 0.7900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R004 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 87 ए (टीए), 49 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 6mohm @ 24.5a, 10v 2.4V @ 200 @a 30 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2700 पीएफ @ 20 वी - 1.8W (TA), 81W (टीसी)
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 12.5 वी सतह rurcur SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30ma 10 सना हुआ - 26 डीबी 1.4db 6 वी
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8011-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 5101 0.00000000 तमाम U-mosiii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 40 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 3.5MOHM @ 20A, 4.5V 1.3V @ 200 @ ३२ सना हुआ @ ५ ± 12V 2900 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 7200 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2109 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE, LF 0.4600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K202 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 2.3 ए (टीए) 1.8V, 4V 85MOHM @ 1.5A, 4V 1V @ 1MA ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC2229-O(MIT1F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (MIT1F, M) -
सराय
 ECAD 5931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2111 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8974 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1961 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 9568 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 16 ए 270MOHM @ 8A, 10V - - -
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1306 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 1320 0.00000000 तमाम π-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK4P60DBT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 3.7 ए (टीए टीए) 10V 2OHM @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 8069 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 5999 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1113 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V 47
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9551 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1970 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 9061 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1112 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V २२ सिपाही
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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