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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65D, S1F -
सराय
 ECAD 9963 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS20N schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 10 ए (डीसी) 1.7 वी @ 10 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K514NU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 47 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K514 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 12 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 4a, 10v 2.4V @ 100 @a 7.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 20 वी - 2.5W (TA)
TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H (TE12LQ, M -
सराय
 ECAD 9667 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8212 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 6 ए 21MOHM @ 3A, 10V 2.3V @ 1MA 16NC @ 10v 840pf @ 10v सराय -स
TK6A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W, S4VX 2.2500
सराय
 ECAD 9900 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 6.2 ए (टीए टीए) 10V 750MOHM @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
TPC8133,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8133, LQ (s 1.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8133 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 40 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 15mohm @ 4.5a, 10v 2V @ 500µA 64 सना +20V, -25V 2900 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2709JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2709 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2142 (TE16L1, NQ) 0.9700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 1 डब पीडब-k-मोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 2,000 600 वी ५०० तंग 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 10ma, 100ma 100 @ 50mA, 5V 35MHz
TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P65W, RQ 1.6300
सराय
 ECAD 7459 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 6.8 ए (टीए टीए) 10V 800MOHM @ 3.4A, 10V 3.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X, S5x 4.0100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK25A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 125mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F, S4X 0.9000
सराय
 ECAD 4438 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K9A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 3.7 ए (टीए टीए) 10V 1.9OHM @ 1.9A, 10V 4V @ 400µA 14 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v - ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE, LF 0.4600
सराय
 ECAD 6467 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J212 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 40.7MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 14.1 gapak @ 4.5 वी ± 8V 970 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU, LF 0.3500
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 13.5pf @ 3V सराय -स
TK8A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45D (STA4, Q, M) 1.6000
सराय
 ECAD 1532 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 8 ए (टीए) 10V 900MOHM @ 4A, 10V 4.4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5, S1VF 7.0800
सराय
 ECAD 3930 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK31N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 99MOHM @ 15.4A, 10V 4.5V @ 1.5MA 105 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 7275 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.5 ए (टीए () 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.8a, 4.5V 1.2V @ 200 @ 19 सराय @ 5 वी ± 8V 1430 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 8145 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 11MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200 @ २ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 1920 पीएफ @ 10 वी - 47W (टीसी)
TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL, RQ 0.9600
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK6R7P06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 46 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6.7MOHM @ 23A, 10V 2.5V @ 300µA 26 सना ± 20 वी 1990 पीएफ @ 30 वी - 66W (टीसी)
TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5, RQ 1.5362
सराय
 ECAD 7882 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK14G65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 9646 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8113 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 11 ए (टीए) 4V, 10V 10mohm @ 5.5a, 10v 2V @ 1ma 107 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 4500 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 7445 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 3.5 ए (टीए) 10V 2.45OHM @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL, L1Q 3.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया TPW1R306 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 260 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.29MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 सना ± 20 वी 8100 पीएफ @ 30 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 2634 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3F (CT (CT (CT) 0.1800
सराय
 ECAD 33 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110U65Z, RQ 4.5300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LF (सीटी ((((() 0.2400
सराय
 ECAD 259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 (TE85L, F) 0.4200
सराय
 ECAD 390 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1606 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K361 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F, LF 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J352 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 10V 110MOHM @ 2A, 10V 1.2V @ 1MA ५.१ सना हुआ @ ५ ± 12V 210 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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