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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR7904PB, L1XHQ 2.8200
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) TPHR7904 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीए) 6v, 10v 0.79MOHM @ 75A, 10V 3V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 20 वी 6650 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB, L1XHQ 2.0900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) TPH1R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.14MOHM @ 60A, 10V 3V @ 500 @ ५५ सना ± 20 वी 4560 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LXHQ 0.9300
सराय
 ECAD 3804 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 36.8MOHM @ 12.5A, 4.5V 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z, LXHQ 1.4200
सराय
 ECAD 8142 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 4V @ 500µA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2050 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q (सेमी (सेमी सेमी -
सराय
 ECAD 2662 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8104L1Q (CMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8MOHM @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 सना +20V, -25V 2260 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LQ 1.9000
सराय
 ECAD 7785 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 264-TK33S10N1LLQCT Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 2.5V @ 500µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2250 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107, LF 0.7200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8107 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीएस -8 - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 8 ए (टीए) 6v, 10v 18MOHM @ 4A, 10V 3V @ 1MA ४४.६ सना +10V, -20V 2160 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU, LXHF 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 42.7MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU, LXHF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 103MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना +6v, -8v 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.2V, 4.5V 57MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2 सना ± 8V 177 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 (TE12L, ZF) -
सराय
 ECAD 9451 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 1 डब पीडबmun-मिनी तंग Ear99 8541.29.0095 1 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A, LQ (एम) -
सराय
 ECAD 7420 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम एम-फ तंग Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V 150 ° C 2 ए -
RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4911 100MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4990 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS -
HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 47 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2106 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR, LXHF 0.4200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 200 @ 2MA, 6V 150MHz, 120MHz
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2105 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 47
CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S60, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 670 mV @ 1.5 ए 450 @a @ 60 V 150 ° C 1.5 ए 130pf @ 0v, 1MHz
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 SSM5N16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 100ma (TA) 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 9.3pf @ 3V -
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R9E10PL, S1X 2.9000
सराय
 ECAD 9020 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.9MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 161 सना ± 20 वी 9500 पीएफ @ 50 वी - 306W (टीसी)
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E, S4X 1.4600
सराय
 ECAD 9249 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 4.5 ए (टीए () 10V 3.1OHM @ 2.3A, 10V 4V @ 450µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 950 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL, L1Q 2.9000
सराय
 ECAD 5726 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 1MA 67 सना ± 20 वी 6300 पीएफ @ 50 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL, L1Q 1.3600
सराय
 ECAD 3472 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीसी) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 500µA ५२ सना ± 20 वी 4300 पीएफ @ 50 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 1.4 ए (टीए) 4V, 10V 240MOHM @ 650mA, 10V 2.6V @ 1MA ± 20 वी 137 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LF 0.5500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N813 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 100V 3.5 ए (टीए) 112MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 100 @a 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15v -
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D, RQ 0.9000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 250 वी 13 ए (टीए) 10V 250mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1100 पीएफ @ 100 वी - 96W (टीसी)
TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J, LM 0.1800
सराय
 ECAD 7429 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA123 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, D 3.6200
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT40QR21 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 264-GT40QR21 (STA1ED Ear99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 एनएस - 1200 वी 40 ए 80 ए 2.7V @ 15V, 40a -, 290) जे (बंद) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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